【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤ変形現象を低減又は除去し、同時にゲルマニウムリッチナノワイヤを製造する実行容易な方法を提供する。
【解決手段】基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。第１シリコン層３は引張応力がかかり、及び／又は、ターゲット層１は炭素原子を含む。第１シリコン層３は接続領域において除去される。接続領域のターゲット層１は、ナノワイヤ８を形成するために熱酸化される。第１シリコン層３の格子パラメータは、第１シリコン層３の除去後、サスペンデッドビームを構成する材料の格子パラメータと同一である。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】成長軸方向に径の均一なホウ素ドープ半導体ナノワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】成長軸方向に径の均一なホウ素ドープ半導体ナノワイヤは、次の工程を含む製造方法により製造できる。
工程（１）：半導体原料ガスを用いて、基板上にＩＶ族半導体ナノワイヤを成長させる；
工程（２）：ジボランガスのみを導入することにより、前記半導体ナノワイヤの表面にホウ素膜を堆積させる；
工程（３）：表面にホウ素膜を堆積させた前記ホウ素膜付き半導体ナノワイヤを、半導体ナノワイヤ（本体）の融点以下の温度で熱アニールする。 （もっと読む）

材料の溶融物を冷却し、溶融物内に材料の固体のシートを形成する。シートは移送され、切断されて少なくとも１つのセグメントになり、セグメントは冷却室で冷却される。その材料はシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム、および窒化ガリウムを用いることができる。冷却室はシートの応力または歪みを防止するよう構成される。一例を挙げると、冷却はガス冷却で行う。 （もっと読む）

水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶基板の表面に、超薄膜で高い膜厚均一性を有する酸化膜と半導体単結晶層が形成された半導体基板を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体単結晶基板の表面に酸化膜と半導体単結晶層とを順次形成することによって、酸化膜上に半導体単結晶層を有する半導体基板を製造する方法であって、少なくとも、前記半導体単結晶基板に酸化性溶液またはその気体を接触させることにより、前記半導体単結晶基板の表面に前記半導体単結晶基板とエピタキシャルな関係を保持した酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に半導体単結晶層をエピタキシャル成長する工程とを有する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電気的性質を有する粒界を有し(品質が単結晶なみ)、かつ強度が、従来の多結晶よりも強い多結晶材料の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成するバルク多結晶材料の製造方法で、バルク多結晶材料が、シリコンまたはシリコンゲルマニウム多結晶であるバルク多結晶材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２結晶を主相として含有し、デバイス材料への幅広い応用が可能となる新規な薄膜を提供する。
【解決手段】β型鉄シリサイド結晶を主相として含有し、更にＣｕを含有する薄膜。 （もっと読む）

【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤー製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に物質膜パターンを形成する段階と、基板上に前記物質膜パターンを覆う第１絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び上部絶縁膜を順次に積層する段階と、物質膜パターンが露出されるまで上部絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び第１絶縁膜を順次に研磨して第１ナノワイヤー形成層の一部を露出させる段階と、第１ナノワイヤー形成層の露出された領域に単結晶ナノワイヤーを形成する段階とを含むが、第１絶縁膜及び第１ナノワイヤー形成層の総厚さは、物質膜パターンの厚さより薄く形成することを特徴とするナノワイヤー製造方法。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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