【課題】太陽電池用などに用いられるシリコンシートにおいて、そのシリコンシートを用いた太陽電池のさらなる高効率化を図ること。
【解決手段】本発明は、表裏の２つの主面の両主面に凹凸を有するシリコンシートであって、上記２つの主面の凹凸の大きさが異なるシリコンシートである。また本発明は、上記のシリコンシートを有する太陽電池であって、凹凸が大きい面が金属電極で被覆されてなることを特徴とする太陽電池にも関する。 （もっと読む）

【課題】従来、結晶成長の初期段階でランダムな面方位を有する多数の結晶粒が制御されずに形成され、それらの結晶粒の接触により形成される結晶粒界の分布もランダムであるため、結晶欠陥がランダム粒界から発生してしまい、高品質な結晶が得られなかった。これに対し、転位や亜粒界などの結晶欠陥の少ない高品質なシリコン多結晶インゴットおよびシリコン多結晶ウェハーを提供する。
【解決手段】インゴットの底部または表面付近に{110}近傍または{112}近傍上面方位を有する複数のデンドライト結晶を含み、隣り合うデンドライト結晶の主鎖成長方向の相対方位角度が0〜45°もしくは135〜180°に制御されている。 （もっと読む）

【課題】非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、４５０℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び／又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。
【解決手段】生じるナノワイヤの成長によって基板上にシリコン及び／又はゲルマニウムのナノワイヤを組み立てる方法であって、シリコンを含む前駆体とゲルマニウムを含む前駆体とを、前記基板に存在する酸化銅を含む化合物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】坩堝に対して濡れ性に劣る原材料融液より中空状単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、閉塞部を円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔１１ｂを有する坩堝１１の内部に保持された原材料７の融液８を貫通孔１１ｂから漏出させ、貫通孔１１ｂ内形状よりも小さな外形状を有する形状制御棒１２を挿通した状態で引下げ操作を行い、シードタッチのために、形状制御棒１２を動作させて融液８をシードタッチ面に向けて送り込ませる。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心軸周りに等配された複数の引下げ用の坩堝１１と、坩堝１１各々を巻回す複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、を有する構成とし、加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを各コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの軸心に対して同一方向に電流が流れるように各々直列に接続し、単一の電力導入端２１より複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する回路に電力を投入する。 （もっと読む）

【課題】複雑な断面形状を有する単結晶を製造する引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部の原材料融液９の漏出孔開口が形成される面を傾斜面とし、開口を傾斜面上部に配置する。単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。また、シード７は融液９との接触面に単結晶の断面形状に対応するパターンを形成し且つ接触面を坩堝１１側の傾斜面と同じ傾斜を有した面とする。シードタッチではシード７最上部と坩堝１１のパターン最下部とを接触させた後シード７を傾斜面に沿って平行移動させ、最終的に各々のパターンを相対するように配置させることでパターン全域のシードタッチを完了する。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のＳｉ結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてＧａとＧｅとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Ｂを含有していてもよい。Ｇａの濃度は２×１０^１４atoms/cm^３以上、３×１０^１８atoms/cm^３以下の範囲であり、Ｇｅの濃度は１×１０^１５atoms/cm^３以上、２×１０^２０atoms/cm^３以下の範囲であることが好ましい。Ｇａを単独で添加したときの結晶（ａ）に比較してＧａとＧｅとを添加した結晶（ｂ）は、Ｖ字模様で表されるＦＰＤ（Flow Pattern Defect）の密度が低下する。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いたシリコンシートの製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際に、形成途中のシリコンシートが液面から受ける影響を小さくし、シリコンシートを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液４に下地板１を浸漬させた後に下地板１をシリコン融液４から脱出させて、シリコン融液４の凝固により下地板１上にシリコンシート２を形成するシリコンシート２の製造装置であって、下地板１の表面に形成されたシリコンシート２がシリコン融液４から脱出し終えるときの下地板１の移動速度が、下地板１がシリコン融液４に没入し始めるときの下地板１の移動速度に比べて大きくなるように、下地板１の速度を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。 （もっと読む）

モールドシートに亘って圧力差が適用され、半導体ウエハ（例えばシリコン）がその上に形成される。圧力差の緩和がウエハを取り外すことを可能にする。モールドシートは、メルトよりも冷たい。熱は、形成ウエハの厚み方向のみに拡散される。液固界面はモールドシートにほぼ平行である。凝固体の温度は幅方向に亘ってほぼ均一であり、その結果、低ストレス及び転位密度並びに高品質の結晶性を提供する。モールドシートは、それを通過するガス粒を可能にする必要がある。水平、垂直又はその中間のいずれかのメルト頂部への全領域接触、モールドシートへのメルトの部分領域横断、並びに、モールドのメルトへのディッピングによって、メルトがシートに導入されうる。多くの手段によって粒サイズを制御可能である。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】耐久性を有し、かつ坩堝の外部から不純物が混入することを抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶の製造装置１００は、坩堝１０１と、加熱部１２５と、被覆部１１０とを備えている。坩堝１０１は、原料１７を内部に配置する。加熱部１２５は、坩堝１０１の外周に配置され、坩堝１０１の内部を加熱する。被覆部１１０は、坩堝１０１と加熱部１２５との間に配置されている。被覆部１１０は、坩堝１０１に対向する側に形成され、かつ原料１７の融点よりも高い金属よりなる第１の層１１１と、第１の層１１１の外周側に形成され、かつ第１の層１１１を構成する金属の炭化物よりなる第２の層１１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド窓材の厚さが厚くてもＸ線が透過する際に回折が生じ難いＸ線透過窓材、同窓材を備えたＸ線透過窓を提供する。
【解決手段】Ｘ線透過窓材１は、ダイヤモンド粒子の平均サイズＺａが０．１μm以上、１０μm以下の多結晶ダイヤモンドで形成され、かつ窓材の厚さが８Ｚａ^1/3以上であり、さらに窓材の両面の平均粗さＲａが１００ｎｍ以下とされたものである。前記多結晶ダイヤモンドとしては熱伝導率が４００Ｗ／ｍＫ以上のものが好ましく、また窓材の厚さは１００μm以上が好ましい。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーフラックスを使用した液相エピタキシャル成長法による磁性ガーネット単結晶の製造方法を提。
【解決手段】フラックスとしてＢｉ₂Ｏ₃−Ｎａ₂ＣＯ₃を用いたメルト原料から液相エピタキシャル成長法により育成される磁性ガーネット単結晶であって、一般式が（ＲＢｉ）₃Ｆｅ_5-x-y-zＩｎ_xＭ_yＰｔ_zＯ₁₂で表され、Ｒは、希土類から選択される１種以上の元素（但し、その他にＣａを含むことがある）、Ｍは、Ｇａ，Ａｌから選択される１種以上の元素であって、０＜ｘ≦０．１、０．７＜（ｘ＋ｙ＋ｚ）＜１．２、０＜ｚ＜０．０４を満たす。前記磁性ガーネット単結晶は、極少量のＰｔと共にＩｎを含有させた特定組成としたことにより、鉛フリーフラックスから育成された膜にもかかわらず、鉛含有フラックスから育成された膜と同等の飽和磁界温度依存性を発現させることができる。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）