【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成中に、ルツボ材料やカーボン蒸気と原料融液との反応に起因する内包物の生成が抑制され、高品質なサファイア単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン系ヒータ３，４又はカーボン系断熱材５を用いたチャンバ６内に、モリブデン、タングステン、もしくはそれらの合金製のルツボ１を設置し、このルツボ１にサファイア原料粉末を装入し、雰囲気ガスを予め不活性ガスで置換した後、ルツボ１を直接加熱してサファイア原料粉末を溶融し、得られた原料融液１０に種結晶１１を接触させて成長結晶１２を引き上げる融液成長法によるサファイア単結晶の製造方法において、前記雰囲気ガスは、不活性ガスと一酸化炭素ガスの混合ガスであり、かつ、一酸化炭素ガスの含有量が、カーボン蒸気又はルツボ材料とサファイア原料融液との反応に起因する内包物の生成を抑制するのに十分な量であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが８．０より大きく且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体露光装置の光学系に用いるレンズ、窓材、プリズムなどの真空紫外光を透過させて使用するフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶のレーザー耐久性を、短時間且つ簡単で高精度に評価する。
【解決手段】 エックス線又はガンマ線照射の照射によりフッ化金属単結晶に色中心を生成させ、該照射前後の光透過率の変化によりレーザー耐久性を評価する方法において、エックス線又はガンマ線照射後の光透過率の測定前に、紫外線及び／又は真空紫外線照射を行なうことで、短時間に変化する色中心を除去し、残ったほとんど変化がない色中心だけを測定する。これにより測定誤差を大幅に低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 被研削材の円筒研削加工時間を短縮できる円筒研削方法の提供。
【解決手段】
カップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａと前記カップホイール型砥石の直径より１０〜２５ｍｍ小さい直径のカップホイール型砥石１１ｇを軸承する前後移動可能な砥石軸１１ａを、これら砥石軸１１ａ，１１ａの軸芯１１ｏが同一直線上にあり、かつ、この同一直線は前記ワーク軸に対し直角になる位置に設けた円筒研削装置１を用いて、クランプ機構７ａ，７ｂに支架された回転している円柱状ワークｗに切り込みを掛け、ついで、回転している円柱状ワークｗを横方向に移動させながら前記カップホイール型砥石１１ｇ，１１ｇでインフィードトラバース研削加工する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に適用することにより、高い光電変換効率を得られる多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】硝酸、酢酸および弗酸からなる混酸液に浸漬し、転位を顕在化させたとき、ウェーハ表面において観察される亜粒界の占有率が１０％以下であることを特徴とする多結晶シリコンウェーハ。前記亜粒界の占有率を６％以下にすると、さらに光電変換効率を高めることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

本発明は、９９．９９％以上の純度を有するαアルミナに関する。このαアルミナは、大部分が８５０μｍ以上のサイズを有し、球形粒子（１）の形状をしている。本発明はまた、上記で定義したαアルミナの使用形態と、関連する合成方法および装置とに関する。
【参考図】図１
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半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、特に固定砥粒ワイヤーソーによりスライスしたシリコン基板を、加工変質層を除去しながら、ステイン層の形成を抑制し、その表面に好適なテクスチャー構造を形成する方法及び処理液を提供する。
【解決手段】表面の反射率を低減させるための表面テクスチャー構造を有するシリコン基板の製造方法であって、少なくともフッ酸、硝酸、及び酸化剤を含み、該フッ酸と硝酸の混合比率が、５０％フッ酸及び６９％硝酸として０．７：１から３：１の容積比である処理液に、シリコン基板を浸漬する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】比較的低コストで高品質の単結晶シリコンリボンを製造できる新規な装置および／またはシステムを提供することにある。
【解決手段】単結晶シリコンリボンの形成装置を提供する。本発明のシリコンリボンの形成装置はるつぼを有し、このるつぼ内でシリコン融成物が形成される。融成物は、るつぼから実質的に垂直方向に流出して、凝固前にシリコン種結晶と接触できる。リボンへの凝固にしたがって、制御された条件下でリボンの更なる冷却が行われ、リボンは最終的に切断される。また、上記装置を使用して単結晶シリコンリボンを形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱処理を適正に行うことができ、ライフタイムが向上した高品質な多結晶シリコンウエハを製出することが可能な多結晶シリコンブロック材の製造方法、多結晶シリコンウエハの製造方法及び多結晶シリコンブロック材を提供する。
【解決手段】太陽電池用基板の素材として使用される多結晶シリコンブロック材の製造方法であって、シリコン融液を凝固させて多結晶シリコンインゴットを製出する鋳造工程Ｓ１と、得られた多結晶シリコンインゴットを切断して、多角形柱状をなし、この多角形面の対角線長さが１５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下とされ、その高さが１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされたブロック素体を切り出す切断工程Ｓ２と、このブロック素体に、温度；５００℃以上６００℃以下、保持時間；１５分以上６０分以下、冷却速度；１０℃／ｍｉｎ以上６０℃／ｍｉｎ以下、の熱処理を行う熱処理工程Ｓ３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の生産効率に優れるαアルミナを提供する。
【解決手段】本発明は、１個あたりの体積が０．０１ｃｍ³以上であり、形状が球状、円柱状および俵状のいずれかからなり、比表面積が１ｍ²／ｇ以下であり、相対密度が８０％以上であり、集合体としてのかさ密度が１．５〜２．３ｇ／ｃｍ³であり、純度が９９．９９質量％以上であり、Ｓｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｆｅ、ＣｕおよびＭｇの含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下であるサファイア単結晶製造用αアルミナを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長９μｍ前後の赤外線に対しても透過率が確保でき、広範囲な波長領域で使用可能な赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料、及び、この赤外線透過部材用シリコン材料からなる赤外線透過部材を提供する。
【解決手段】赤外線を透過するレンズやプリズム等の赤外線透過部材の素材として使用される赤外線透過部材用シリコン材料であって、多結晶シリコンからなり、この多結晶シリコンの抵抗率が１Ωｃｍ以上、かつ、酸素濃度が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ未満とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｈｆから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）