本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも１つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び／又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約５００ｍｍの直線形状を有する。 （もっと読む）

ガラスまたはガラス類似材料６２をレーザ（６２）加工する、レーザ加工プロセスが開示される。このプロセスは、１回の製造作業で、面取りされた端部９６を有するように、物品６０を加工する。ガラスまたはガラス類似材料６２における面取りされた端部９６は、望ましい。これは、破砕やチップに対する耐久性があり、尖った端部を除去できるからである。１回の製造作業で面取り（９６）された物品６０を生成することは、望ましい。これは、物品をレーザ（７２）加工後に面取り（９６）する分離装置へ運ぶ必要がなくなり、時間と費用を節約できるからである。これに代えて、より低コストな装置を用いることもできる。これは、面取り（９６）を実施するための別のプロセスを設けることに代えて、同じレーザ７２を加工に用いて面取り９６を形成できるからである。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝を加熱する円筒状ヒータ部３と円盤状ヒータ部４を有するカーボン製ヒータ30と、坩堝が保温される断熱空間室６と、断熱空間室の底面部60に設けられた絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されカーボン製ヒータに接続されて電力を供給するヒータ電極５を備え、サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、断熱空間室の底面部60を構成する断熱材料の厚さが９０ｍｍ以上、断熱空間室の底面部表面から円盤状ヒータ部４下端までの距離が１０ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電圧検出器等の電気光学素子として有用なＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶を実現する。この場合、ＣｄＴｅ原料融液中に０．０５〜１．０ｐｐｍｗｔのインジウムをドープし融液成長法により得られたＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が０．９以下の部分を電気光学素子用の材料とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】蓋部に設けた封止部材に種結晶を配置し、蓋体の温度を検出し種結晶の温度とみなす技術よりも種結晶の温度を正確に監視することができる炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】蓋体５に種結晶６が直接取り付けられる一方で、封止部が、蓋体５と坩堝本体２との隙間を塞ぐ。これにより、蓋体５の熱は種結晶６に直接伝達されるので、蓋体５の温度は種結晶６の温度に近くなり、種結晶６の温度を正確に監視することができ、種結晶６の温度を正確に再結晶温度に維持することができる。そして、昇華した炭化珪素原料１０が、封止部７と蓋体５との隙間及び蓋体５と坩堝本体２との隙間を通って外部に漏洩するのを防止するので、気相分布を均一にすることができ、結果として、均一な構造の炭化珪素単結晶を確実に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉４１の予備加熱部４３で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部４４において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部４５にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にＹｂ、Ｌｕ、またはＹの単体あるいはＹｂ、Ｌｕ、またはＹ元素を含む化合物のうち少なくとも１つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状４に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝１で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子５を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子５を保温し、シリコン粒子５を結晶化する。 （もっと読む）

複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置であって、高周波コイル技術分野に属し、本発明が分流槽の位置配置を変化し、且つ前記「Ｃ」形の分流槽と補助電流引導孔によって補助され、又は２つの引き孔がその間に分流槽によって接続されてバーベル状均部に形成され、分流槽外端の引き孔が放射状に形成され、電流が流れる時に、分流槽又は分流槽と補助電流引導孔の分流作用下で、ほぼ均一に前記各引き孔に回って流れ、分流槽の補助下での電流が更に均一に各引き孔の周囲に分布できるため、電流が引き孔の周囲に均一に分布する目的を達成し、不良品の数も低減する。
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【課題】 ２５０ナノメートル（ｎｍ）より短波長の電磁放射の透過に用いることができるフッ化カルシウム結晶光学素子において、レーザ耐久性を改善する。
【解決手段】 本発明の光学素子は、主成分としてのＣａＦ_２及び、一実施形態において、＞０.３〜１２００ｐｐｍ Ｍｇ，＞０.３〜２００ｐｐｍ Ｓｒ，＞０.３〜２００ｐｐｍ Ｂａから選ばれる少なくとも１つのドーパント／量を含むが、Ｃｅ及びＭｎは＜０.５ｐｐｍである。ドープト結晶及びこの結晶からつくられる光学素子は２.８Ｍｒａｄをこえるγ線照射後に０.３より小さい５１５/３８０ｎｍ透過率減衰比を有する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロナノワイヤーの可能性を発展させたもので、ヘテロ構造が、硫化亜鉛と酸化亜鉛とによるものを提供する。
【解決手段】長手方向では同様な組成よりなり、それを横断する一側側と他側側では相互に異なる組成域となっているヘテロナノワイヤーであって、相異なる組成域の一方が硫化亜鉛で、他方が酸化亜鉛であることを特徴とし、さらに、前記硫化亜鉛からなる組成域は、長手方向に六方晶系硫化亜鉛と立方晶系硫化亜鉛とが交互に結晶成長しているかあるいは単結晶成長している。これらの製造方法は、不活性ガス流路中に、硫化亜鉛粉末を配置し、該硫化亜鉛粉末の配置位置よりも下流側に金薄膜の付着したシリコン基板を設置し、不活性ガスを流しながら、前記硫化亜鉛粉末をその昇華温度に、前記シリコン基板を前記硫化亜鉛粉末の昇華温度未満に、それぞれ加熱することにより前記シリコン基板表面に前記ヘテロナノワイヤーを生成する。 （もっと読む）

【課題】電気化学デバイス用電極用ウィスカー形成体及びその製造方法を提供。
【解決手段】ウィスカー形成体は、基材と、該基材の表面に配設されたウィスカー母材層と、該ウィスカー母材層の表面に配設されたウィスカーで形成されたウィスカー形成層と、を有し、該ウィスカー形成層のウィスカーが、単体の融点が３００［Ｋ］以上１０００［Ｋ］以下である金属Ａの化合物から成り、該ウィスカー母材層が、該金属Ａを含み、該基材が、金属Ａの融点よりも高い融点を有する。 （もっと読む）

【課題】下地基板と装置自体との係合箇所のかじりおよび破損を簡単な構成で防止することができる下地基板保持装置を提供する。
【解決手段】下地基板保持装置１２は、案内溝部１８と下地基板１１の案内突部１４とを係合させつつ、支持部１７の支持面２０で下地基板１１の自重を着脱可能に支持する。案内溝部１８よりも案内突部１４のほうが幅方向Ｙの突出量が大きくなるように、両者が形成される。下地基板１１が幅方向Ｙにずれる場合、案内突部１４の垂直な第２案内面２２と案内溝部１８の垂直な第４案内面２４とが接触して、下地基板１１をずれ方向に拘束する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と蓋体との接着不良を防止することにより、マクロ欠陥が抑制される炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶６０の所定の面に、算術平均粗さＲａが０．０５〜１．０となるように粗面加工処理を施して加工処理面６３を形成する加工工程と、前記加工処理面６３に後処理を施して後処理面を形成する後処理工程と、前記後処理面に接着剤７１を塗布する塗布工程と、接着剤７１を塗布した塗布面を前記蓋体１２に当接させた状態で加熱することにより、前記接着剤７１を硬化させて種結晶６０を蓋体１２に固定させる固定化工程と、を含んでなる炭化珪素単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度の低い高品質な炭化珪素単結晶を再現性良く結晶成長させる炭化珪素単結晶の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】種結晶４の結晶成長面をエッチング処理してエッチング処理面４ａを形成するエッチング処理面形成工程と、エッチング処理面４ａに昇華法により炭化珪素単結晶を結晶成長させる結晶成長工程と、を有する炭化珪素単結晶の結晶成長方法を用いることにより、結晶成長前にエッチング処理を行って、ゴミや研磨傷ダメージなどの結晶成長阻害要因を除去することができ、沿面成長を促進して、結晶欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を結晶成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

材料の溶融物を冷却し、溶融物内に材料の固体のシートを形成する。シートは移送され、切断されて少なくとも１つのセグメントになり、セグメントは冷却室で冷却される。その材料はシリコン、シリコンゲルマニウム、ガリウム、および窒化ガリウムを用いることができる。冷却室はシートの応力または歪みを防止するよう構成される。一例を挙げると、冷却はガス冷却で行う。 （もっと読む）

【課題】成長効率がよく、より高品質の炭化ケイ素単結晶を得ることができ、より実用的な炭化ケイ素単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５をキャリアガス３と共に坩堝内に供給する供給口１３（１４，１５）と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給する流路を備えた坩堝本体１１と、キャリアガス３の排出口１６と、を備える坩堝１０と、坩堝１０内部の排出口１６側に配置され、炭化ケイ素種結晶２を設置する炭化ケイ素種結晶配置部１２と、坩堝１０の外周に配置され、該坩堝１０を加熱して昇華用原料微粉末５を昇華させる誘導加熱コイル（加熱手段）３２と、を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、坩堝本体１１の昇華用原料微粉末５の昇華ガスが触れる部位にタンタルカーバイドまたはタンタル箔でコーティングした黒鉛部材を用いる。 （もっと読む）