【課題】従来のインゴット（CZ法等）によらず、シリコンウエハを含む半導体ウエハを直接製造する方法及び装置を提供する。
【解決手段】不活性ガスを充填したチャンバ１内において、長手方向に延長した保持炉３に半導体の溶融体５を保持し、前記保持炉３の上方からウエハ基板となる金属テープ２を所定の速度で供給し、下降させて供給し、前記シリコン溶融体５上面に接触させ、前記テープ２の少なくとも１面に前記半導体を凝固付着させ、該テープ２を上方に引上げ、基板で補強されたウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】 固体レーザー光から、基本波の混在が十分少ない第２高調波を高い変換効率で得ることができる光学素子を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する光学素子は、１次整合又は３次整合を用いた擬似位相整合により、入射した光を２倍の周波数となるように波長変換して出射する波長変換素子と、該波長変換素子から出射される光の光路に配置された無機光学フィルターと、を備え、波長変換素子が、Ｂａ_１−ｙ（Ｍｇ_１−ｘＺｎ_ｘ）_１＋ｙＦ_４（但し、０≦ｘ≦１であり且つ−０．２≦ｙ≦０．２である。）で表される強誘電体フッ化物単結晶からなるものであり、且つ、無機光学フィルターが、ＮｄＦ_３単結晶からなるものである。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】坩堝内に装入された塊状のシリコン原料を効率良く溶解することができ、多結晶シリコンインゴットの生産効率を大幅に向上させることが可能な多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットの製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝内に装入したシリコン原料を溶解してシリコン融液を生成し、このシリコン融液を凝固させて多結晶シリコンのインゴットを製出する多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記坩堝内にシリコン原料を装入するシリコン原料装入工程Ｓ０２と、前記シリコン原料と前記坩堝の底面部との接触面積を増大させるシリコン密接層を形成するシリコン密接層形成工程Ｓ０１と、前記坩堝を加熱して前記坩堝内のシリコン原料を溶解し、前記シリコン融液を生成する加熱溶融工程Ｓ０３と、前記坩堝を冷却して、前記坩堝内のシリコン融液を凝固させる凝固工程Ｓ０４と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来廃材となっていた坩堝残を有効に活用することができ、純度の高い原料を使用した場合と同等の特性が得られる多結晶シリコンインゴットを製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第１の導電型を規定する第１のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分（坩堝残）を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより精密に抑制する。
【解決手段】肩部２２０は、種結晶２１０側から直胴部２３０側に向けて、徐々にその直径が拡大していく形状を有している。また、直胴部２３０は、上方から下方に向けてその直径Ｄがほぼ同じとなるような形状を有している。なお、直胴部２３０の直径Ｄは、所望とするサファイア単結晶のウエハの直径よりもわずかに大きな値に設定される。そして、尾部２４０は、上方から下方に向けて徐々にその直径が縮小していくことにより、上方から下方に向けて、尾部が凸状となる形状を有している。そして、尾部２４０の長さＨと、直胴部２３０の直径Ｄとの比Ｈ／Ｄを、０．２≦Ｈ／Ｄ≦０．４とする。 （もっと読む）

【課題】セリウム低濃度側と高濃度側の蛍光出力差を十分に低減することができるシンチレータ用単結晶、その製造のための熱処理方法、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｇｄ_{２−（ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ａＬｕ_ｘＣｅ_ｙＬｍ_ｚＳｉＯ_５ ……（１）
（一般式（１）中、ＬｍはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＬｎはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍを除くランタノイド系元素、並びにＳｃ、Ｙから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａは０以上１未満の値を示し、ｘは１を超え２未満の値を示し、ｙは０を超え０．０１以下の値を示し、ｚは０を超え０．０１以下の値を示す。なお、ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚの値は２以下である。） （もっと読む）

【課題】クラックや濁りの発生を十分防止することができ、良好な透過率特性を示すフッ化物結晶を歩留まりよく得ることができるフッ化物結晶の育成方法、係る方法を用いて得られるフッ化物結晶及び光学部材を提供する。
【解決手段】ブリッジマン炉１０を用い、フッ化物原料が配合された結晶原料３をルツボ２に収容し、溶融後、融液を冷却固化してフッ化物結晶を育成する方法であって、フッ化物原料として、鉄及び鉛の合計質量濃度が１．５ｐｐｍ未満であるフッ化物を配合する。なお、結晶中への酸素の凝集を抑制する観点からは、鉄の質量濃度が０．５ｐｐｍ未満且つ鉛の質量濃度が１ｐｐｍ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、その含有量を2.54atppm以上4.0 atppm以下に設定し、且つ、Pt含有量を0.91atppm以上2.68atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】第１族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。
【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950℃と1200℃の間の温度、望ましくは950℃と1150℃の間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。 （もっと読む）

【課題】飽和磁界が低く、温度特性が優れたファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＧｄ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＡｌ_ｚＯ_１２（式中、０．１５≦ｙ/ｘ≦０．６５，０．３≦ｚ≦０．５，０．０４≦ｗ≦０．１）で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなるファラデー回転子において、製品形状での室温での飽和磁界が２００（Ｏｅ）以下、温度特性０．０７ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】鉛が環境に与える悪影響を避けるために、白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下のILを可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を添加すると共に、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表したとき、[M]と[Pt]との関係式Δ


の値を-0.31atppm以上2.08atppm以下に設定する。 （もっと読む）

単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示する。方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。 （もっと読む）

【課題】 フォトメカニカル効果を示し、有機化合物とは異なる性質を有する全く新規なフォトメカニカル物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属ジチオナイト錯体からなる針状単結晶であり、光異性化反応により結晶形状変化を起こす。金属ジチオナイト錯体は、例えば下記式１で示される構造を有する。この構造の金属ジチオナイト錯体において、例えば置換基Ｒはｎ−ブチル基であり、金属原子Ｍはロジウムである。針状単結晶は、金属ジチオナイト錯体を合成した後、ジクロロメタンを含む混合溶媒から再結晶することにより得る。
【化１】
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【課題】紫外・真空紫外（ＵＶ／ＶＵＶ）領域における透過率が十分高く且つ耐レーザー性や耐ＵＶ／ＶＵＶ性に優れたフッ化物単結晶、それを実現可能とするフッ化物の熱処理方法及びフッ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物であるフッ化物５を、脱酸素機能を有するスカベンジャーとともに、気密化可能な加熱炉１００内に収容する収容ステップと、気密化した加熱炉１００内から排気して当該加熱炉内１００の圧力を１×１０^−１Ｐａ以下にしてからスカベンジャーの昇温を開始する昇温開始ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃低い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を停止する排気停止ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃高い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を再開する排気再開ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】石英坩堝のより長期的な使用を可能とし、しかも稼働効率の改善を図ることができる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法では、内面に剥離材をコーティングし焼成した坩堝に溶融原料を供給する工程と、前記坩堝内で前記溶融原料を固化させ、溶融原料の残量が３０％以下となる段階で、結晶片を溶融層に浸漬し、結晶の表面に突出部を形成する工程と、前記突出部を利用して前記結晶を前記坩堝から取り出す工程を、同じ坩堝を再利用して繰り返し行う。また、本発明に係る結晶成長方法では、前記突出部を把持する吊り具を使用し、前記吊り具に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。また、前記坩堝に振動を加えながら前記シリコン結晶を前記坩堝から取り出すこととしてもよい。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な酸化物及びこの酸化物を備えた磁気光学デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃（ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ホルミウム、及び、ルテチウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む）で表される酸化物を主成分とする単結晶あるいはセラミックスであって、波長１．０６μｍでのベルデ定数が０．１８ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上であり、かつ、波長１．０６μｍ、光路長３ｍｍでの透過率が７０％以上である。前記酸化物は光アイソレータ３００のファラデー回転子３１０として使用され、該ファラデー回転子３１０の前後に、偏光材料である偏光子３２０及び検光子３３０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B₂O₃）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 （もっと読む）