【課題】 ２つの部材を、接着剤、接合膜等を用いることなく、透過波面収差特性や耐湿性を維持したまま接合することが可能となる光学素子の製造方法及びその方法を用いた光学素子を提供する。
【解決手段】 ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面に、水酸基が存在するように親水化処理を施し、ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の処理表面同士を密着させた後に、５０℃〜１５０℃に加熱し、１〜１０ＭＰａの圧力で加圧することによって、接着剤、接着膜なしで接合させて、光学素子を作製する。ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面は、表面の酸素を介した共有結合または水素結合により接合されている。光学素子は、位相差板、回折素子、プリズム、レンズのいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】フッ化金属単結晶のアズグロウン単結晶体について、引き上げ後の冷却を短時間とした場合においても、割れを生じることなく切断加工可能な切断方法を提供する。
【解決手段】アズグロウン単結晶体１の一方側の軸端部を含む部分５，７をセメント硬化体１０で被覆し、セメント硬化体１０で被覆されている部分を回転可能に保持し、単結晶体１をセメント硬化体１０と一体的に且つ単結晶体１の軸Ｌを中心として回転させながら、単結晶体１のセメント硬化体１０で被覆されていない部分に切断刃３０を単結晶体１の軸方向に対して直角方向且つ単結晶体１の内部に向かって移動させて第一刃の切断を行うと共に、切断刃３０による切断に際しては、切断刃３０と単結晶体１との当接位置を、当接位置とセメント硬化体１０で被覆されていない単結晶体の端部からの距離Ｄが、単結晶体１の全長Ｌの２０乃至６０％となるように設定し、且つ切断刃３０の移動を間欠的に行う。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面１１０と、主面１１０を取り囲む側面とを有する下地板１００が準備される。側面は、先端部１２１と、先端部１２１につながる側方部１３１と、先端部１２１に対向する後端部１４１とを有する。後端部１４１は側方部１３１に後端角部１５１を介してつながっている。後端角部１５１は、側方部１３１と後端部１４１との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面１１０を浸漬することによって、主面１１０上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部１２１を引き上げた後に後端部１４１を引き上げることによって、融液から主面１１０が取り出される。融液から取り出された主面１１０から薄板が取り外される。 （もっと読む）

【課題】原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置および製造方法において、薄板の板厚のむらの発生を防止して、板厚を制御することのできる薄板製造装置および薄板製造方法、ならびに坩堝を提供する。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置であって、原料融液を内部に充填可能な坩堝と、坩堝内の原料融液に下地板を浸漬させる浸漬部とを備える。坩堝は、坩堝本体と、下地板の浸漬方向に応じて原料融液の表面の液流の方向を制御する制御部とを含む。 （もっと読む）

【課題】大きなベルデ定数を有し、クラックの発生を十分に抑制でき且つ大型化が可能なファラデー回転子用ガーネット型単結晶及びそれを用いた光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記一般式で表されることを特徴とするファラデー回転子用ガーネット型単結晶。
（Ｔｂ_３−ｚＬ_ｚ）（Ｓｃ_{２−ｘ−ｙ}Ｍ_ｘＮ_ｙ）Ａｌ_３Ｏ_１２−ｗ
（式中、Ｍは４価イオン、Ｎは２価イオンを表し、Ｌは、Ｍ，Ｎ及びＳｃからなる群より選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚ及びｗは下記式を満たす。０＜ｘ＜０．３、０＜ｙ＜０．３、０＜ｘ＋ｙ＜０．６、０≦ｚ＜０．３、０≦ｗ＜０．５） （もっと読む）

【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−１５０℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位／高温部位の質量比率が０．３〜１．０となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】粒界を避けた素子配置を容易に形成させることにより、実質的に単結晶基板上と同等に高性能の素子を効率的に製造でき、更に粒界に沿って分割することで容易に素子を製造できる、大型の多角形ダイヤモンド結晶粒が配列した高配向ダイヤモンド膜を提供する。
【解決手段】異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィー装置などに用いられるフッ化金属単結晶（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなど）のレーザー耐久性を、比較的短期間で、かつ高精度に評価する。
【解決手段】 ＡｒＦレーザー等の実際の使用条件での波長のレーザー光のパルス照射と、該レーザー光照射後の光透過率（Ｔ）の測定とを、試料に環境光の当たらない暗環境下で、繰り返して２回以上行い、パルス照射回数（Ｘ）と、初期値に比しての光透過率の低下から求めた差分吸光度の２００〜８００ｎｍの範囲での積分値（Ｙ）とから、Ｙ＝ａＸ＋ｂの関係を求める。得られる傾き（ａ）の大きさからレーザー耐久性を評価する。暗環境下で行うことにより精度が格段に向上する。なお傾きの小さなものほどレーザー耐久性に優れたフッ化金属単結晶である。 （もっと読む）

【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝２０と、この坩堝２０の上方に配設された上部ヒータ４３と、坩堝２０の下方に配設された下部ヒータ３３と、を有し、坩堝２０内に貯留されたシリコン融液３を、その底面２１から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置１０であって、坩堝２０の底面２１側において坩堝２０の側壁部２２の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ５０を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】浸漬タクトを低下させることなく、平滑性に優れた板状半導体を作製することができる消波構造付容器を提供する。
【解決手段】本発明の消波構造付容器は、金属材料または半導体材料のいずれか一方を含有する融液に、成長基板を浸漬させるための坩堝と、該坩堝の上面に接して取り付けられた保持体と、該保持体の融液の液面側に取り付けられた支持体と、該支持体に接触して設けられた消波構造とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長方向（垂直方向）及び水平方向のいずれの部分においても結晶配向方位の傾きの小さいフッ化金属単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法などの坩堝中の原料溶融液面に上方から種結晶体を接触させ、該種結晶体と同じ結晶配向方位を有する結晶を成長させて、該種結晶体に由来する棒状部（a)、該棒状部よりも径の大きな円柱状の直胴部（b)、及び棒状部（a)と直胴部（b)とを繋ぐ拡径部（c)とを有する単結晶体を得るフッ化金属単結晶体の製造方法において、前記拡径部（c)の高さｈと、直胴部（b)の直径ｒとの比ｈ／ｒが０．３５以下、好ましくは０．２５以下となるように拡径部（c)を形成する。 （もっと読む）

【課題】白金製の坩堝を使用しながら鉛を含有せず、品質劣化も無く量産性に富み、且つ0.10dB以下の挿入損失を可能とするガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】R_3-xBi_xFe_5-wA_wO₁₂（但し、前記Rは一種又は二種以上の希土類元素でGdを必ず含み、前記AはGa,Al,In等からなる一種又は二種以上の元素であり、前記xは0.7<x≦1.5、前記wは0<w≦1.5）で表される組成を有するBi置換希土類鉄ガーネット単結晶にPbを含有させず且つPtを含有させ、更に、Mn又は第2族元素の少なくとも1つの元素を含有し、Mn又は第2族元素の少なくとも１つの元素をM、Bi置換希土類鉄ガーネット単結晶中の、M濃度（atppm）を[M]、Pt濃度（atppm）を[Pt]と表し、[M]と[Pt]との関係式Δを


と表したときにΔを-0.34atppm以上2.87atppm以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】気体スカベンジャー（スカベンジャーガス）の利点を生かして高いレーザー耐性を有する、ステッパーの光学系レンズとして有用なフッ化金属単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン製の断熱材壁８を有するフッ化金属単結晶育成炉を使用して、単結晶引上げ法により、フッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどのフッ化金属単結晶を育成するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記フッ化金属単結晶育成炉内をアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とし、具体的には育成炉内の底部より不活性ガスを炉内に導入しつつ、テトラフルオロメタンなどのスカベンジャーガスを前記フッ化金属の融液１２中に供給するか或いは該融液１２の液面に吹き付けて、フッ化金属単結晶１３を成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体１１６の原料溶融液１０４への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶融液中へ浸漬させ、浸漬した種結晶体の少なくとも一部を溶融させた後、種結晶体と原料溶融液を非接触状態にさせる操作を少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法等の融液凝固法によりフッ化金属単結晶体を製造する方法において、真空紫外光領域での吸収の少ない単結晶体を再現性良く、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 原料フッ化金属溶融液に種結晶体を接触させて結晶成長を開始させるに先立ち、不活性ガス及び／又はフッ素系ガス雰囲気下で原料フッ化金属を溶融させた後、一旦、原料を凝固させ、系内の真空排気を行う。当該操作を行った後に種結晶体を接触させるための原料フッ化金属の溶融を行うことにより１４０〜１７０ｎｍ付近の吸収の極めて少ない単結晶体が再現性良く製造できる。種結晶体の接触及び結晶成長も不活性ガス及び／又はフッ素系ガス雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）