【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブが固形分の総重量に対して９重量パーセント未満を占めるペースト使用し、電子電界エミッタを形成し、材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、その後、材料を剥離して、電子電界エミッタの新たな表面を形成する電子電界エミッタの製造方法を提供する。
【解決手段】 固形分の総重量に対して９重量％未満、好ましくは０．０１から２重量％のカーボンナノチューブを含むペースト、或いは、０．０１から６．０重量％のカーボンナノチューブ、４０〜７５重量％の銀微粒子及び３〜１５重量％のガラスフリットを含むペーストを用いて、電子電界エミッタを形成し、材料を電子電界エミッタに密着接触し、その後、剥離して電子電界エミッタの一部を除去するか、あるいは前記電子電界エミッタを再配列させ、前記電子電界エミッタの新たな表面を形成し、カーボンナノチューブで構成される電子電界エミッタを製造することを特徴とする方法 （もっと読む）

【課題】 電子放出に班がなく、ＣＮＴの起毛が良好で起毛密度が高いＣＮＴ電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、導電性を有する基板に導電性ペースト膜を形成した後、該導電性ペースト膜上に高濃度のカーボンナノチューブを含む膜を形成するカーボンナノチューブ層形成工程と、前記工程により得られたカーボンナノチューブ層形成基板を４００〜５００℃で焼成する焼成工程と、前記工程で焼成した基板のカーボンナノチューブ層表面に粘着テープを貼り付け、次いで、これを引き剥がすことにより、前記カーボンナノチューブ層表面を起毛状態とする起毛工程とを有することを特徴とするカーボンナノチューブ電子放出源の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ナノ物質の半導体の性質を利用した半導体装置においては、金属性ナノ物質により半導体装置の半導体特性が劣化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、はじめに、複数のナノ物質に含まれる半導体性ナノ物質と金属性ナノ物質のうち、半導体性ナノ物質の導電性を低下させる。次に、金属性ナノ物質に、金属性ナノ物質を切断する作用を促進する切断促進物質を付着させる。次に、切断促進物質が付着した金属性ナノ物質を切断する。 （もっと読む）

【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されている。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得られる不純物で構成することができる。 （もっと読む）

【課題】空洞化部位の内部環境を好適に維持しつつ、カーボンナノ粒子を効率良く製造することにある。
【解決手段】空洞化部位２０を陰極部材１０の一端に形成して、陰極部材１０の第一黒鉛部１２と陽極部材４０の第二黒鉛部４２を空洞化部位２０内で対面配置したのち、液中の空洞化部位２０にガス流路１８から不活性ガスを供給しつつ、両黒鉛部間にアーク放電を発生させてカーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造装置において、陽極部材４０が、反応槽４外に配置の移動部材４６と、反応槽４内に突出のガイド部４４を有し、第二黒鉛部４２が、移動装置４６によって、ガイド部４４に沿って空洞化部位２０内に向かって垂直方向に相対移動する構成とした。 （もっと読む）

【課題】二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料、特には膜状に形成された二層カーボンナノチューブに富む炭素質材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によって提供される二層カーボンナノチューブを主体に構成された炭素質材料の製造方法は、減圧可能な容器内に配置された一対の電極間にアーク放電を発生させて該電極の少なくとも一方からカーボンを蒸発させて行う製造方法であって、該アーク放電の発生領域に近接する外側領域であって９００Ｋを下回らない温度領域内において前記一対の電極の少なくとも一方からの蒸発物を回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料が大きい表面積を有し、かつ、基体に対し突出した構造を持つ、ナノ炭素材料複合基体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コバルト又はコバルト化合物からなる触媒を基体１１表面に担持し、基体１１を酸化雰囲気中で８５０℃以上１１００℃以下の範囲で熱処理した後、基体１１をオクタノールとオクタンチオールとの混合溶液１５中で加熱することにより、節を有するファイバー状のナノ炭素材料１２が基体１１に生成する。合成の際、基体１１を７００℃以上９００℃以下の範囲で加熱するとよい。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂をバインダーとしてカーボンナノチューブを被覆（コーティング）し浸透させることで、カーボンナノチューブを高配合で粒状化させ、カーボンナノチューブの飛散性の大幅な低減とともに加工性・ハンドリング性・作業性・安全性・ポリマーマトリックスとの濡れ性・分散性を著しく向上させたカーボンナノチューブ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性樹脂を５〜４０ｗｔ％含有し、熱硬化性樹脂でカーボンナノチューブを被覆し顆粒状化する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有機溶媒に分散可能とする方法を提供することを課題とし、さらに、カーボンナノチューブが均一に分散したポリマーを提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ表面にタンパク質を吸着させ、さらに当該タンパク質に界面活性剤の親水部分を結合させたものを、有機溶媒に分散させることで、カーボンナノチューブが有機溶媒に均一に分散した分散液を製造する方法、及び、当該製造方法により製造したカーボンナノチューブを均一に分散させた有機溶媒をポリマー樹脂に加えて、カーボンナノチューブが均一に分散したポリマー樹脂を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブフィルム複合構造体及びその製造方法、透過型電子顕微鏡グリッドを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブフィルム複合構造体１２０は、少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体１２２及び複数のグラフェンシート１２４、を含み、前記カーボンナノチューブ構造体１２２は、複数の微孔１２６を有し、少なくとも一つの前記微孔は、一つの前記グラフェンシート１２４で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】寸法が大きく、コストが低い導電板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電板の製造方法は、少なくとも一回の引張処理を行った導電膜を提供するステップと、基板１００を提供するステップと、前記導電膜２００を前記基板に被覆するステップと、を含む。前記導電膜は、複数のナノユニットビームを有し、各々のナノユニットビームは、複数のナノユニットがそれぞれに端と端とが連接して形成される。また、前記複数のナノユニットビームは、所定方向に沿って配列されて特定の配列配向を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことの出来るナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、ナノ炭素材料を形成前に触媒層の一部を剥離しスポットを形成する。ナノ炭素材料は触媒層の残存部から生成されることから、生成されたナノ炭素材料の極近傍にナノ炭素材料の存在しないスポットが存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料よりなるエッジ部位を多数備えたナノ炭素材料複合基板を製造することが出来る。 （もっと読む）

本発明は、炭素ナノチューブ、炭素ナノチューブ以外の１種以上の炭素化合物及び分散媒を含む混合物を５０乃至４００ａｔｍの亜臨界または超臨界条件において処理して生成された炭素ナノチューブ複合素材及びその製造方法に関する。より具体的には、ａ）炭素ナノチューブ、炭素ナノチューブ以外の１種以上の炭素化合物及び分散媒を含む混合物を１乃至４００ａｔｍの圧力で予熱槽に注入して予熱する段階と、ｂ）前記予熱された混合物を５０乃至４００ａｔｍの亜臨界または超臨界条件において処理する段階と、ｃ）前記ｂ）段階の生成物を０乃至１００℃に冷却及び１乃至１０ａｔｍに減圧する段階と、ｄ）前記冷却／減圧された生成物を回収する段階と、を含む炭素ナノチューブ複合素材の製造方法及びそれを連続的に製造する装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が希少金属インジウムを使用しているのに対し、希少金属を用いず、炭素元素により透明導電性膜を実現することにある。
【解決手段】本発明の透明導電性膜は、グラフェン小片が互いに重なり合った多層構造を用いている。グラフェン小片の平均サイズが５０ｎｍ以上であり、層数が９層以下である。抵抗率が１×１０^-6Ωｍ以下、５５０ｎｍの光に対する透過率が８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】優れた機械的強度を有するカーボンナノチューブバルク素材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブバルク素材100は、マトリックスを構成するカーボンナノチューブ110と、上記カーボンナノチューブの間に介在される高分子結合剤120とを含み、上記高分子結合剤は、高分子バックボーンと、上記高分子バックボーンの末端または側面にグラフトされ、且つ１つ以上のヒドロキシ基が結合されたＣ_３−Ｃ_２４芳香族作用基を含む１つ以上の有機モイアティ（moiety）とを含む。カーボンナノチューブバルク素材の製造方法は、高分子結合剤を揮発性溶媒に溶解した高分子結合剤溶液を、カーボンナノチューブエアロゲルに浸透させる段階と、揮発性溶媒を除去し、カーボンナノチューブエアロゲルを緻密化させる段階を含む。 （もっと読む）

【課題】グラフェンと金属電極との間の接触抵抗を低減する。
【解決手段】グラフェンの単位面積あたりの電気抵抗をｒ_GP[Ω／μｍ²]、グラフェンと金属電極との単位面積当たりの界面抵抗をｒ_C[Ωμｍ²]とすると、接触面積をＳとして、接触抵抗は


と計算できる。ｒ_GPを１０Ω／μｍ²、ｒ_Cを１０Ωμｍ²とした場合の計算結果を示し、接触面積を




にすることにより、接触抵抗を収束値の１０％増し、あるいは３０％増しの値にまで、低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルムの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブフィルムの製造方法は、基板及び、該基板に垂直に配列された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブアレイを提供する第一ステップと、直線形の界線を含む平らな接着面を有する本体を提供する第二ステップと、前記界線を前記基板に平行するように、前記カーボンナノチューブの長軸方向に面して前記本体の接着面を前記カーボンナノチューブアレイに接触させる第三ステップと、前記本体を前記カーボンナノチューブアレイから離れるように移動させて、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを引き出しして得る第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルム及びその製造方法、発光装置に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブのみからなる。前記カーボンナノチューブフィルムは、複数の領域に分割され、前記複数の領域において、隣接する領域におけるカーボンナノチューブの密度は、互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１０上に微粒子状の触媒金属１４ａ，１８ａを堆積する工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、少なくとも触媒金属１４ａ，１８ａの表面を覆う炭素元素からなる構造体１６を成長する工程とを少なくとも２回繰り返して行う工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、基板１０上に、炭素元素からなる線状構造体２０を成長する工程とを有する。 （もっと読む）