【課題】Ｆｅ微粒子を酸化等の劣化なく、サイズも安定して維持してＦｅ微粒子を保持できる構造を提供する。
【解決手段】本構造は、直径５ないし２０ｎｍのＦｅ微粒子が個々独立して存在し、かつ、表面層に一部埋没した状態で基板上に保持されている、ことを特徴とする構造である。 （もっと読む）

【課題】幅および厚みの均一性に優れたグラファイトナノリボンおよびそのようなグラファイトナノリボンを大量生産することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のグラファイトリボンは、ベルト状のグラファイトであって、最小幅の最大幅に対する比が０．８〜１であり、最小厚みの最大厚みに対する比が０．８５〜１である。好ましくは、最大幅は５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内で変動係数０．３以下の平均値を有し、最大厚みは２５ｎｍ以下の範囲内で変動係数０．２以下の平均値を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便で効率の高いカーボンナノファイバー及びカーボンナノファイバー集合体の製造方法を提供すること、及び当該製造法を用いて作製されたカーボンナノファイバー、及びカーボンナノファイバー集合体を提供することである。
【解決手段】短径が１００ｎｍ以下であってその短径に対する長さの比率（長さ／短径）が１０以上であるフタロシアニンナノワイヤーを加熱焼成すること、該フタロシアニンナノワイヤーと有機溶剤からなる組成物を、任意形状の容器内で乾燥させ、これを焼成することによって任意の外観形状を有するカーボンナノファイバー集合体を形成すること、また、当該組成物をガラスやセラミックスなどの耐熱性基材上に塗布した後、焼成を施すことによって、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複雑な形態に基づく大きな表面積を維持しつつ、分散や高密度充填に有利な形態のフラーレンを提供する。
【解決手段】複数のウィスカー状構造が放射状に伸びた構造、あるいは、複数のウィスカー状構造が放射状に伸び、該ウィスカー状構造がさらに分枝してフラクタル的構造を形成したフラーレン結晶である。このようなフラーレン結晶は、フラーレンを第１の溶媒に溶解した溶液に、前記第１の溶媒よりもフラーレンを溶解する能力が低く、かつ、前記第１の溶媒よりも沸点が高い第２の溶媒を、フラーレンが析出しない範囲で添加し、得られた溶液から前記第１の溶媒および前記第２の溶媒を蒸発させて結晶を析出させることで得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体型カーボンナノチューブの製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の半導体型カーボンナノチューブの生成方法は、基板に、血液を含む触媒予備体を堆積させる第一ステップと、前記触媒予備体に含まれた有機物質を除去して、血液に含まれた鉄を酸化して鉄の酸化物を形成する第二ステップと、前記鉄の酸化物を還元させて鉄ナノ粒子を形成する第三ステップと、前記鉄ナノ粒子を触媒として半導体型カーボンナノチューブを生成する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体、及び、この突起構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、一辺が１０００μｍの立方体に収容可能である。また、突起構造体１は、基材２と、基材２の先端部２１の端面２２に設けられており端面２２からの高さが１０μｍ以上である突起３と、を備える。さらに、この突起構造体１においては、基材２の端面２２の外周２３から突起３の基端３１までの距離Ｄが５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法は、少なくとも一つの第一スルーホールを有するキャリヤー、及び少なくとも一つの第二スルーホールを有する固定体を提供する第一ステップと、カーボンナノチューブ支持体を提供し、該カーボンナノチューブ支持体を前記第一スルーホールに被覆する第二ステップと、前記固定体及び前記キャリヤーを積層して、前記カーボンナノチューブ支持体を前記キャリヤーと前記固定体との間に固定する第三ステップと、を含む。また、本発明は、複数の透過型電子顕微鏡グリッドの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 安全性が高く、コンパクトにでき、ＮＯｘを効率よく分解できる排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】 上記課題は、窒素酸化物を含有する排ガスの処理装置であって、電界放出型素子よりなる電子放出部が形成された陰極と、陽極と、電子線取出窓と、電子線を発生させる真空チャンバーとを備えた電子線照射装置と、前記電子線取出窓を介して前記電子線照射装置が接続された前記排ガスの流路と、前記排ガスの流路に還元剤を供給する装置を有する脱硝装置を備えたことを特徴とする窒素酸化物を含有する排ガスの処理装置によって解決できる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ集合体の更なる高密度化に有利なカーボンナノチューブ複合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ複合体は、基体の表面に搭載されるカーボンナノチューブ集合体とを有する。カーボンナノチューブ集合体は、基体の表面に立設する方向に沿って延びる配向性を有する多数のカーボンナノチューブを並設させつつ集合させて形成されており、カーボンナノチューブ集合体を成長させたままの状態における密度が７０ｍｇ／ｃｍ^３以上とされている。 （もっと読む）

【課題】より配向性および直線性のよいカーボンナノチューブの製造方法，カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板，およびカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】単結晶石英基板を用意し（Ｓ１０）、この基板の表面に鏡面加工処理を施し（Ｓ２０）、さらに基板の表面上の単結晶を再成長させて新たな自然面を形成する（Ｓ３０）。このように、表面上に新たな自然面を形成するので、表面の結晶の格子配列をより滑らかな状態にすることができる。このため、この単結晶石英基板を用いれば、アニール処理、触媒金属の配置、炭素原料ガスの供給という一連の処理（Ｓ４０〜Ｓ６０）によって基板上にカーボンナノチューブを形成する際に、結晶の格子配列のひずみによって、単結晶石英基板上に形成されるカーボンナノチューブにもひずみが生じてしまうのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】 高純度であり、かつ長さあるいは高さの飛躍的なラージスケール化を達成したカーボンナノチューブ・バルク構造体を提供する。
【解決手段】 触媒の薄膜の厚さによってカーボンナノチューブの層数を選択的に制御して単層カーボンナノチューブ及び、三層カーボンナノチューブ以上の多層カーボンナノチューブの少なくともいずれかと共存し、該共存割合が、５０％以上を有する二層カーボンナノチューブを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高さ方向で直線性が高くその配向や密集した構造をそのまま応用したり、多層ＣＮＴをほぐして容易に使用できる絡み合いが少ない多層ＣＮＴ集合構造を提供する。
【解決手段】基板１上に触媒微粒子９の作用で成長した複数の多層ＣＮＴ２ａが集合した構造２であって、上記構造２を構成する多層ＣＮＴ２ａのｃ面間隔[ｎｍ]をｘ軸、下記に定義されるピーク面積内のＸ線強度ピーク値からの半値幅[ｎｍ]をｙ軸として、ｙ軸方向からは次式（１）（２）で示す２つの直線で挟まれる領域内で、かつ、ｘ軸方向からは０．３３８ｎｍ≦ｘ≦０．３５５ｎｍの範囲の領域内にある多層ＣＮＴが集合した構造。
ｙ＝２．１ｘ＋０．７１…（１）
ｙ＝３．５ｘ＋１．１５…（２）
ただし、上記ピーク面積は上記構造に入射したＸ線が該構造内を回折して別側複数位置から出射する際、各位置の変化に伴い形成される出射Ｘ線強度のピーク波形の面積である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】個々のカーボンナノチューブを基質上の予め選択した位置に合成する、化学蒸着を用いたカーボンナノチューブおよび炭素ナノ構造体の製造方法の提供。
【解決手段】蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。 （もっと読む）

【課題】より配向性および直線性のよいカーボンナノチューブの製造方法，カーボンナノチューブ製造用の単結晶基板，およびカーボンナノチューブを提供する。
【解決手段】基板を用意し（Ｓ１０）、この基板の表面に鏡面加工処理を施し（Ｓ２０）、さらに基板の表面にエッチング処理を施す（Ｓ３０）。これによって、単結晶石英基板を切断・研磨する際に表面に生じた加工層を除去することができる。このため、この単結晶石英基板を用いれば、アニール処理、触媒金属の配置、炭素原料ガスの供給という一連の処理（Ｓ４０〜Ｓ６０）によって基板上にカーボンナノチューブを形成する際に、基板に形成された加工層の存在に由来する結晶の格子配列の歪みによって、基板上に形成されるカーボンナノチューブにも歪みが生じてしまうのを抑制することができる。したがって、結晶が本来もつ格子配列に沿って配向性および直線性のよいカーボンナノチューブを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】凝集が少なく分散性が向上したナノカーボン材料製造装置及びナノカーボン材料精製方法を提供する。
【解決手段】流動層反応器により触媒付きナノカーボン材料を製造するナノカーボン材料製造部１５と、得られた触媒付きナノカーボン材料を酸溶液１６に分散してなり、触媒を酸溶液１６により溶解分離する酸処理装置１７と、前記酸処理したナノカーボン材料１８を水洗する水洗装置１９と、水洗したナノカーボン材料１８を濾過装置２３で濾過した後に、乾燥する乾燥装置２４と、乾燥したナノカーボン材料を微粉砕して精製ナノカーボン材料２６とする微粉砕装置２５とを有する。 （もっと読む）