【課題】カーボンナノチューブの燃焼生成方法においてカーボンナノチューブ生成に良好な領域を広く確保し、なおかつ、生成したカーボンナノチューブを迅速に生成領域から隔離してカーボンナノチューブの酸化を防ぐカーボンナノチューブの生成方法を提供する。
【解決手段】燃料、酸化剤および金属触媒微粒子をバーナへ供給して火炎を形成し、当該火炎を用いてカーボンナノチューブを生成し、火炎近傍に設置したカーボンナノチューブ捕集器に生成したカーボンナノチューブを捕集するカーボンナノチューブ燃焼生成方法において、バーナ出口に設置した電極をアースとし、カーボンナノチューブ捕集器との間に直流電場を印加するとともにカーボンナノチューブ捕集器を１〜１０分間保持して生成したカーボンナノチューブを捕集する。 （もっと読む）

本発明は、０．０５Bq/gよりも大きいＣ−１４含量及び０．７未満の凝集体粒度分布の比ΔＤ５０／Ｄｍｏｄｅを有するカーボンブラックに関する。前記カーボンブラックは、カーボンブラック原料の熱酸化的な熱分解又はサーマルクラッキングにより製造され、前記カーボンブラック原料が、再生可能なカーボンブラック原料を含有し、かつ前記熱分解反応／クラッキング反応の際に不足量の酸素が存在している。前記カーボンブラックは、ゴム及びゴム混合物、プラスチック、印刷インキ、インキ、インクジェットインキ、トナー、ラッカー、塗料、紙、接着剤、電池、ペースト、ビチューメン、コンクリート及び他の建築材料において及び冶金学における還元剤として使用されることができる。
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【課題】放電容量及びレート特性に優れた電気化学素子を形成可能な活物質を提供すること。
【解決手段】本発明の活物質２は、下記化学式（１）で表される組成を有する化合物を含む化合物粒子４と、化合物粒子４を被覆する炭素層６と、炭素粒子８と、を備える。
Ｌｉ_ａＭＸＯ_４・・・（１）
［化学式（１）中、ａは０．９≦ａ≦２を満たし、ＭはＦｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＶＯからなる群より選ばれる一種を表し、ＸはＰ、Ｓｉ、Ｓ、Ｖ、及びＴｉからなる群より選ばれる一種を表す。］ （もっと読む）

【課題】平均粒子径が小さく、かつ粒度の揃った、比表面積が比較的大きい電気二重層キャパシタ用活性炭を容易に、かつ安いコストで製造する方法を提供する。
【解決手段】易黒鉛化性炭素材料を原料として、酸化性ガス雰囲気下で焼成処理して得られる炭素材を粒度調整した後に賦活処理して製造して得られることを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法。 （もっと読む）

【課題】連続操作による合成効率が高いフッ化カルボニルの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るフッ化カルボニルの製造方法は、下記一般式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル化合物の少なくとも１種類から選ばれる化合物からなる原料を、キャリアガスとして空気を用いて、連続的に反応管内に誘導し、該反応管内を通過する間に前記化合物を３５０℃〜５３０℃の温度で熱分解することを特徴とする。
一般式（１）


〔一般式（１）において、Ｒｆは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、ａは１〜３の自然数であり、ｂは１〜２の自然数であり、ｃは０〜３０までの整数である。〕 （もっと読む）

充電式電池のカソード活性材料としてのリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジットを合成するための方法であって、リチウム、遷移金属（複数可）およびホスフェートの前駆体を大表面積の活性炭素、好ましくは、リン酸化炭素と混合し反応させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】充分に高い触媒活性を有し、性能の高い触媒を実現する炭素触媒を提供する。
【解決手段】酸素が導入されている炭素触媒であって、表面の酸素原子の含有量が、表面の炭素原子に対して、原子比で０．０２以上０．４以下である炭素触媒を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造設備のコンパクト化が図れ、特に高収率のフラーレンを含有する炭素微粒子を大量かつ簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】炭化水素化合物および水素を含有する混合物と、酸素含有ガスとを反応炉２内に導入し、水素、一部の炭化水素化合物および酸素で燃焼反応を生じさせて二酸化炭素と水蒸気からなる1200〜2000℃の高温ガスを生成させるとともに、この高温ガスの熱を利用して前記反応炉２内に導入した残りの炭化水素化合物を90kPa以下の減圧雰囲気下で熱分解反応を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】触媒化学気相成長法において、高純度で高品質なカーボンナノチューブを収率良く生成するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】触媒化学気相成長法において反応途中に酸素原子を含まない炭素含有化合物の供給を一時停止して、酸化剤を加え、生成したカーボンナノチューブを傷つけずに非晶質の炭素不純物を除去して、失活した触媒金属を再生させた後に、酸化剤を反応域から除去し、再び酸素を含まない酸素含有化合物を供給することで高純度、高品質なカーボンナノチューブを収率良く製造する方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続的成長メカニズムを最適化でき、高品質のカーボンナノ構造物を製造することのできるカーボンナノ構造物の製造方法、及びカーボンナノ構造物の製造に用いるカーボンナノ構造物製造用ガスを提供する。
【解決手段】本発明に係る、連続的に長さを制御可能なカーボンナノ構造物の製造方法においては、キャリアガスと原料ガスを反応室４に供給して触媒体６によりカーボンナノ構造物２を製造するとき、キャリアガスや原料ガス中に、上記原料ガスに対して還元性を有する水素などの還元性ガスを含有させ、さらには酸化性を有する水などの酸化性ガスを含有させ、その濃度を適度に制御することにより、良質のカーボンナノ構造物を高効率に製造することができる。これにより、例えば全長７ｍｍというこれまでに例の無いカーボンナノチューブの製造を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高純度アセチレンガスを用いて、良質なダイヤモンドでかつ接合強度の高いダイヤモンド皮膜を合成する燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法を提供する。
【解決手段】燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法において、ガスボンベの残量に関わらず、ほぼ一定の純度（Ｃ２Ｈ２９９．５％以上）を保つことのできる高純度アセチレンガス３を用いた高純度アセチレン−酸素の燃焼ガスを使用し、ダイヤモンドの合成促進成分として窒素ガス４を用いる。より具体的には、高純度アセチレン−酸素の流量比（Ｏ_２／Ｃ_２Ｈ_２）０．９の燃焼ガスにダイヤモンド合成促進成分として窒素ガスを流量比（Ｎ_２／(Ｃ_２Ｈ_２＋Ｏ_２＋Ｎ_２)）０．２８％〜０．４０％混合する。 （もっと読む）

方法および組成物は電池の使用のためのアノード粉末に関する。粉末は、粉末物質の体積あたりの制限表面積を提供することができる。さらに、粉末は粒子寸法分布内の閾値寸法を下回る粒子の制限量を含むことができる。幾つかの態様は前駆体として普通またはアノードグレード石油コークスを利用する。 （もっと読む）

本発明は、電気化学セルを用いる、カーボンナノチューブ（「ＣＮＴ」）の基板上への電気化学堆積に関する。ＣＮＴの錯体およびアニオン性ポリマーの分散体を中和し、これにより、セルの陽極プレート上に堆積させる。
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【課題】原子スケールで整った端構造を持つ短冊状の単層グラファイト薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】酸素原子２を用いてカーボンナノチューブを劈開させることにより、特定の端構造を有する短冊状の単層グラファイト薄膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素材料の全細孔容積に対するメソ孔が占める細孔容積の割合の大きい炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）


（式（１）中、Ｒ^１はアルキル基を表し、該アルキル基は、水酸基、アルコキシル基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、メルカプト基、スルホ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、アルコキシカルボニル基又はアシルオキシ基が結合していてもよい。ｎは０〜４の整数を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｎ＋ｍは０〜４の整数である。）
で表される化合物にアルデヒド化合物を反応させてフェノール樹脂を得る第１工程、
第１工程で得られたフェノール樹脂を、酸化性ガス雰囲気下、６００℃〜１０００℃で加熱して焼成品を得る第２工程
を含むことを特徴とする炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メソ孔割合大の炭素材料製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）で表される化合物を不活性ガス雰囲気下、８００℃〜３０００℃で加熱する。


（式中、Ｒは水素原子又は炭化水素基、Ｒ’は水素原子又はメチル基を表す。ｎは３〜７の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】テルペン類などによる芳香性を維持しつつ、分子径が小さくシックハウス症候群や悪臭等の原因となるようなトルエンなどの揮発性有機物を選択的に吸着、除去することができる活性炭を提供する。
【解決手段】スリット幅Ｌ１が０．８ｎｍ以下のスリット形状の開口１１ａを有するスリット状ミクロ細孔１１を備えた活性炭であって、該スリット幅Ｌ１の分布が、窒素吸着によるｔ−プロット法による測定で実質的に０．４ｎｍ〜０．６ｎｍのみにピークを有し、全細孔の比表面積が、炭素化物の質量に対して４００ｍ²／ｇ以上であり、スリット状ミクロ細孔の比表面積の割合が、全細孔の比表面積に対して８５％以上である活性炭。 （もっと読む）

【課題】 極低酸素ガスを用い、二酸化炭素を炭素に還元し、二酸化炭素の削減を行う。
【解決手段】 二酸化炭素を含む混合ガスの酸素濃度を極低酸素分圧する。極低酸素分圧の二酸化炭素混合ガスを炭素還元装置内で加熱して二酸化炭素を還元し、炭素を取り出す。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）