【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ５の分子構造を生成する触媒４０が設置された支持部材４を反応管２内に配置する配置ステップと、反応管２内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ５の基端部５０が支持部材４に固定されると共に先端部５１に成長用触媒４０が保持された状態でカーボンナノチューブ５を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ５の成長に応じて、カーボンナノチューブ５の先端部が反応管２内に留まるように、支持部材４を反応管２に対して移動させる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、高純度、高収率で、合成可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供すること、また、その製造方法で得られたカーボンナノ構造体を提供すること。
【解決手段】炭素源としての有機物の気体と、イオウ含有化合物との混合気体を、金属含有触媒を使用せずに８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法；常温常圧で液体の炭素源としての有機物、及び／又は、常温常圧で液体のイオウ含有化合物を、同時に気体状態において８００℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法、また、上記製造方法で得られたカーボンナノ構造体；両端が共に開いた構造を有することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】グラフェンライク炭素材料の樹脂からなる基材に対する密着性に優れた複合材料を提供する。
【解決手段】樹脂からなる基材と、基材表面の少なくとも一部を覆うように設けられたグラフェンライク炭素材料層とを備え、基材の表面にグラフェンライク炭素が密着している複合材料。 （もっと読む）

【課題】電極活物質等として有用な炭素材料、該炭素材料に転化し得る酸素含有炭素質物質、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】
炭素源有機物、酸素源有機物（水酸基を有する化合物および加水分解により水酸基を形成する化合物の少なくともいずれかを使用する。）、過酸化水素および水を含む混合物を、温度３００℃〜６００℃かつ圧力２２ＭＰａ以上の条件下に保持することにより、該混合物から酸素含有炭素質物質を生じさせる。この炭素質物質に熱処理を施して、該炭素質物質の酸素含有量を低下させるとともにラマンスペクトルにおけるＤピークの強度Ｉ_ＤとＧピークの強度Ｉ_Ｇとの比（Ｉ_Ｄ／Ｉ_Ｇ）を低下させることにより、上記炭素材料を得る。 （もっと読む）

【課題】有機物の分解ガス等が大気中に放出されることを防ぐことができると共に、高い収率で炭化物を得ることができ、しかも生産効率に優れた炭化物の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物を水蒸気で加熱することによって、有機物を炭化し、さらに有機物が炭化された炭化物を賦活する。水蒸気による加熱で、有機物を炭化して得られる炭化物を水蒸気を賦活ガスとして賦活することができ、一つの連続した工程で炭化処理と賦活処理を引き続いて、あるいは同時に行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板１と、金属基板１上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層２と、不定形炭素層２に結合される多数のカーボンナノファイバ３とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極２０。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、黒鉛は、一体の固体であり、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、上記真空チャンバ内に９９．９９％以上の純度の炭化水素ガスを導入し、基材上で炭化水素ガスを分解することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気センシングに利用可能なナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素同位体^１２Ｃの純度が９９．９質量％以上であり、化学純度が９９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、ナノ多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径（最大長さ）は５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、不純物の濃度が０．０１質量％以下である黒鉛を準備し、該黒鉛に超高圧、高温を施して黒鉛をダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに炭素以外の異種元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加され炭素以外の元素である異種元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、炭素以外の元素である異種元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により、単層カーボンナノチューブを所定のピッチにて配列した状態で形成させる方法、及びそのような方法で使用されるカーボンナノチューブ生成用触媒を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程と、を含む。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材の表面に、厚み５μｍ未満の銅めっき層を設けてなり、水素を２０体積％以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で、１０００℃で１時間加熱後の前記銅めっき層表面の圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に３００％以上である。 （もっと読む）

【課題】良好な再現性を有し、カーボンナノチューブを安定して紡績することのできるカーボンナノチューブ膜の製造方法の提供。
【解決手段】平板状の基板の表面に金属触媒を堆積させ、続いて、その基板の雰囲気を図１に示すように変化させて、当該基板の表面にカーボンナノチューブ膜を製造した。すなわち、基板の雰囲気を水素ガスで置換し、基板及びその雰囲気を金属触媒活性化温度としての５００℃まで昇温させて３分間その温度に保持した。続いて、基板及びその雰囲気を２００〜５００℃まで降温し、基板の雰囲気に炭化水素ガスを導入した。そして、基板及びその雰囲気を０〜３分間その温度に保持した後、ＣＮＴ合成温度としての７００℃まで基板及びその雰囲気を昇温した。基板及びその雰囲気を炭化水素ガスを導入しながら７００℃に１０分間保持してカーボンナノチューブ膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱音響装置の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供するステップＳ１１と、前記金属基材にグラフェン構造体を成長させるステップＳ１２と、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する非金属基材を提供するステップＳ１３と、前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面を前記非金属基材の第一表面に隣接させるステップＳ１４と、前記金属基材の少なくとも一部を除去するステップＳ１５と、前記非金属基材をエッチングして少なくとも一つのスルーホールを形成し、前記グラフェン構造体の一部を該スルーホールに対して暴露させるステップＳ１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン導電膜の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）