【課題】単一層カーボンナノチューブを成長させる方法を提供すること。
【解決手段】鉄及びモリブデンなどの触媒性金属、及び酸化マグネシウム担体材料を含む触媒を調製すること、及び単一層カーボンナノチューブを製造するための十分な温度かつ十分な接触時間で、前記触媒と気体状炭素含有供給原料を接触させることを含む。鉄とモリブデンの重量比は、約２：１から約１０：１の範囲であり、かつこれらの金属はＭｇＯの約１０重量％まで含まれていてもよい。この触媒は硫化されていてもよい。メタンが適切な炭素含有供給材料である。この方法は、輸送反応器、流動層反応器、移動層反応器及びそれらを組み合わせた機器などの反応器内で、バッチ、連続又は半連続方式で行うことができる。また、この方法は、マグネシア、ジルコニア、シリカ及びアルミナなどの担体上に少なくとも１種の第ＶＩＢ族又は第ＶＩＩＩＢ族の金属を含む触媒であって、硫化された触媒を用いて、単一層カーボンナノチューブを製造することを含む。 （もっと読む）

【課題】リチウム二次電池の出力特性を十分に向上させることができるとともに、安定した充放電特性を呈することが可能であり、初期効率及び容量維持率を向上させることが可能な、新規なリチウム二次電池負極活物質を得る。
【解決手段】石炭系及び／又は石油系（以下、石炭系等という）生コークス及び前記石炭系等か焼コークスが、重量比で９０：１０〜１０：９０に配合され、該コークスの合計量１００重量部に対して、リン化合物及びホウ素化合物を、リン及びホウ素換算で各々０．１重量部〜６．０重量部の割合で添加したコークス材料を、焼成してなることを特徴とするリチウム二次電池負極活物質。 （もっと読む）

本発明は、再生可能原料および有機残留物を水熱炭化するための連続的な方法に関し、この方法では、第１のプロセス段階で、実質的に炭化の圧力レベルへの圧力上昇が行われ、第２のプロセス段階、すなわち炭化段階で、低くとも５ｂａｒの圧力および最高で水の沸騰温度で炭化が実施され、得られた炭化した生成物は少なくとも一部が沈降物として堆積し、かつ第２のプロセス段階での水の充填高さは水の取出しにより調整され、第２のプロセス段階から吐出された沈降物の温度は水の蒸発により下げられ、そして第３のプロセス段階、すなわち蒸気雰囲気中で乾燥を行う蒸気加熱乾燥段階に送られ、続いてプロセスから吐出される。

（もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出する電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極に面状に拡げて塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】高比表面積、高純度でありかつ高さあるいは長さの飛躍的なラージスケール化を達成した、パターニング化された配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒を基板上にパターニングして設け、前記金属触媒から反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、複数本の単層カーボンナノチューブを生成することにより、パターニングされた単層カーボンナノチューブ・バルク構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】高比表面積、高純度でありかつ高さあるいは長さの飛躍的なラージスケール化を達成した配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配向した単層カーボンナノチューブが複数本集って構成され、かつ比表面積８００〜２５００ｍ^２／ｇ、及び蛍光Ｘ線で測定した純度；９８％以上を備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブ・バルク構造体。この構造体を、金属触媒の厚さを制御して該金属触媒を基板上に設け、前記金属触媒から複数本のカーボンナノチューブを反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、かつ反応雰囲気中に水蒸気、酸素、オゾン、もしくは、低炭素数の含酸素化合物、またはこれらの混合ガスを添加して気相成長法により所定の方向に配向させて形成する。 （もっと読む）

活性炭材料の製造方法は、天然の非リグノセルロース性炭素前駆体と無機化合物の水性混合物を形成し、前記混合物を不活性または還元性雰囲気下で加熱し、前記加熱した混合物を冷却して第１の炭素材料を形成し、前記無機化合物を除去して活性炭材料を生成する、各工程を有してなる。活性炭材料は、高エネルギー密度装置に使用するための、改善された炭素系電極を形成するのに適している。
（もっと読む）

【課題】原料炭素成分を含む混合物を触媒粒子に接触させる方法において、カーボンナノチューブの長尺化を図り易いカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】原料炭素成分を含む混合物を触媒粒子５５に接触させて、混合物中の原料炭素成分により触媒粒子５５からカーボンナノチューブ５７を成長させる製造方法であり、混合物中の原料炭素成分以外の成分や触媒活性を低下する成分を固定化するための固定化材料４１に混合物を接触させることで、混合物中の原料炭素成分以外の成分や活性低下成分を減少させて原料炭素成分の存在割合を増加させた後、カーボンナノチューブ５７を成長させる。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）からなる熱伝導体アレイがハウジング（９）内に提供され、前記熱伝導体（２）が第１の電極（１）と第２の電極（６）との間に延在し、熱伝導体がその一端に取り付けられたウェイト（４）によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、ウェイト（４）によって生成されるウェイトフォース（Ｇ）のベクトルが熱伝導体（２）の長手延長方向と４５°以下の角度（α）を形成するように、ウェイト（４）又は熱伝導体（２）が第２の電極（６）に案内されて電気的ループ接触が形成されることを提案する。
（もっと読む）

【課題】成長させるカーボンナノチューブの長尺化を図り易いカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】原料物質の熱分解により原料炭素成分を含む分解混合物を生成させ、分解混合物を触媒粒子５５に接触させて、分解混合物中の原料炭素成分により触媒粒子５５からカーボンナノチューブ５７を成長させる製造方法であり、触媒粒子５５の活性低下成分を固定化するための固定化材料５４を、触媒粒子５５の配置領域に配置し、分解混合物を固定化材料５４と触媒粒子５５とに接触させて分解混合物中の活性低下成分を固定化材料５４に固定化しつつ、カーボンナノチューブ５７を成長させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ等の有用性の高い繊維状のナノカーボンをナノカーボン生成温度領域に合わせて段階的にその特性を変えることにより効率的に製造すること等を目的とする。
【解決手段】有機物を原料とするナノカーボン生成において、低温レベルの第１のナノカーボン生成装置１１と、内部温度を前記第１のナノカーボン生成装置１１における内部設定温度以上に設定した高温レベルの第２のナノカーボン生成装置３１とを具備し、ナノカーボン生成を低温レベルでのナノカーボン生成、高温レベルでのナノカーボン生成の２段階で行い、第１のナノカーボン生成装置１１で排出される未反応炭化水素を第２のナノカーボン生成装置３１に入れることにより、低温レベルで生成するナノカーボン、高温レベルで生成するナノカーボンの両方を回収することを特徴とするナノカーボン生成システム。 （もっと読む）

【課題】 母材と混合したときに優れた分散性を示し、外力により容易に配向することができる微細炭素繊維およびその繊維を用いた複合体の提供。
【解決手段】 中空構造を有し、繊維外径が１〜１０００ｎｍ、アスペクト比が５〜１０００、ＢＥＴ比表面積が２〜２０００ｍ²／ｇ、Ｘ線回折法による（００２）面の平均面間隔ｄ₀₀₂が０.３４５ｎｍ以下、ラマン散乱スペクトルの１３４１〜１３４９ｃｍ^-1のバンドのピーク高さ（Ｉｄ）と１５７０〜１５７８ｃｍ^-1のバンドのピーク高さ（Ｉｇ）の比（Ｉｄ／Ｉｇ）が０.１〜２であり、繊維の長手方向に対して屈曲度が３０度以下の直線性を有し、サスペンジョン法で測定した異方性磁化率が１×１０^-4以上である直線性微細炭素繊維、及びそれを用いた複合体。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 （もっと読む）

【課題】塩基触媒やアニオン交換材料などの用途に好適な窒素原子含有官能基を含有する炭素質材料およびその製造方法、ならびに該炭素質材料を用いた塩基触媒およびアニオン交換材料を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素質材料は、所定の構成炭素原子と窒素原子含有官能基とが非縮合型の共有結合を介して結合した構造を有する、窒素原子含有官能基を有する芳香族炭化水素を、ルイス酸の存在下で加熱処理する得る工程を経て製造される。 （もっと読む）

【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産することを課題とする。
【解決手段】還元雰囲気の加熱炉容器１１と、この加熱炉容器内に該容器と同心円状に傾斜角度をつけて配置された円錐状板１２と、この円錐状板の外周部に配置された加熱源と、前記加熱炉容器の上流側に配置され，加熱炉容器内に金属触媒粉混合炭化水素を連続的に又は間欠的に噴霧する金属触媒粉混合炭化水素注入ノズル１４と、前記加熱炉容器の下流側に配置されたナノカーボン排出ノズル１７とを具備し、金属触媒粉混合炭化水素注入ノズルより金属触媒粉混合炭化水素を連続的又は間欠的に噴霧することにより円錐状板上で反応させてナノカーボンを成長させ、成長した生成ナノカーボンを円錐状板から剥離させ、生成ナノカーボンをナノカーボン排出ノズルにより排出することを特徴とするナノカーボン生成炉１０。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の複数本のカーボンナンチューブからなるカーボンナノチューブネットワークを有する導電性膜、透明導電性フィルムおよびこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に複数本のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブネットワークが形成され、前記カーボンナノチューブネットワークのカーボンナノチューブ同士がグラファイト膜で連結された導電性膜に関する。 （もっと読む）

【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産することを課題とする。
【解決手段】還元雰囲気の加熱炉容器１１と、この加熱炉容器の外周部に配置された加熱源と、前記加熱炉容器の上流側に配置され，加熱炉容器内に炭化水素を噴霧する炭化水素注入ノズル１５と、前記加熱炉容器の下流側に配置された生成ナノカーボン排出ノズル１８とを具備し、加熱炉容器の内面に金属基板１２を配置して、炭化水素注入ノズル１５より炭化水素を連続的に噴霧することにより金属基板上で反応させてナノカーボン１７を成長させ、成長した生成ナノカーボン１７を金属基板１２から剥離させ、生成ナノカーボンを前記排出ノズル１８により排出することを特徴とするナノカーボン生成炉。 （もっと読む）

充電式電池のカソード活性材料としてのリチウム金属ホスフェート／炭素ナノコンポジットを合成するための方法であって、リチウム、遷移金属（複数可）およびホスフェートの前駆体を大表面積の活性炭素、好ましくは、リン酸化炭素と混合し反応させることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで大面積、厚膜品のダイヤモンド単結晶を提供し、抵抗率の高い気相合成法によってダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】種基板１であるダイヤモンド単結晶を用意する工程と、前記ダイヤモンド単結晶から気相合成法によって単結晶を成長させる工程と、を有し、前記単結晶を成長させる工程において、水素と、炭素源を含んだ合成ガス中に窒素ガスを添加することにより、単結晶基板中の炭素原子に対する窒素原子の含有量が５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とするとともに、さらに、前記ダイヤモンド単結晶の周辺にＳｉ基板２を配置することにより、単結晶基板中の炭素原子に対するＳｉ原子の含有量を１．０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下とし、抵抗率が１．０×１０16Ω・cm以上であるダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】半導体用途に利用できる高品質な単結晶ダイヤモンドを提供し、かかるダイヤモンド単結晶基板を、従来よりも短時間で作製しかつコストを低廉化させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。好ましくは前記第一層における窒素含有量が２０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であり、前記第二層の窒素含有量が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満であるダイヤモンド単結晶基板である。 （もっと読む）