【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置９９を作動させて処理容器１内を減圧排気しながら、シャワーリング５７から処理容器１内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート５９から処理容器１内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、導波管４７及び同軸導波管４９を介して所定のモードで平面アンテナ３３に導き、平面アンテナ３３のマイクロ波放射孔３３ａ、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハＷ表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ効率よくカーボンナノ粒子を連続的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 流体２０中で陰極１４と、黒鉛陽極１２との間に電圧を印加して、隙間３４にアーク放電を発生させる。ボンベ２８から所定流量の不活性気体を隙間３４に導入する。アーク放電によって隙間３４で生成した炭素蒸気からカーボンナノ粒子が生成される。 （もっと読む）

【課題】蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）に再付着することを防止し、配向を崩すことなくＣＮＴから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のＣＮＴを得ることができる触媒金属の除去方法を提供する。
【解決手段】基板Ｋに触媒金属を介して形成させたＣＮＴから、ナノ粒子である触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、基板Ｋの近傍に配置された触媒金属と同種の金属からなるバルク材７を、バルク材加熱用ヒータによりバルク材７の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、真空ポンプ１２により維持された所定の真空度において、基板Ｋを、基板加熱用ヒータ６により触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、触媒金属を蒸発させてバルク材７の鏡面加工された蒸着面７Ｄに蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハＷをエッチング装置１００の処理容器１内のステージ３上に載置する。シャワーリング５７から処理容器１内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス（例えばＯ_２ガス）又は還元性ガス（例えばＨ_２ガスやＮＨ_３ガス）を処理容器１内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハＷ上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 （もっと読む）

【課題】低コストでグラフェンを高速で製造できる量産性のよいグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内に有機溶媒Ｓを収容する工程と、有機溶媒中に浸漬した一対の電極２間にパルス電圧を印加して有機溶媒Ｓを気化させ、このとき生じた気泡中でグロー放電を起こしてプラズマＰを発生させる工程と、プラズマ中の活性種により有機溶媒を分解してグラフェンＧを析出させる工程と、有機溶媒からグラフェンを回収し、この回収したグラフェンを乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】量産に適したグラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置を提供すること
【解決手段】、本技術のグラフェンの製造方法は、導電性を有するフレキシブルな成膜対象物の表面に炭素源物質を接触させる。グラフェンは、成膜対象物に電流を印加して成膜対象物をグラフェンの生成温度以上に加熱することによって成膜対象物の表面において前記炭素源物質から生成される。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体１０は、基板１と、カーボンナノウォール２〜９とを備える。基板１は、シリコンからなる。そして、基板１は、凸部１１と凹部１２とを含む。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に沿って基板１の一方の表面に形成される。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に垂直な方向ＤＲ２において、交互に形成される。凸部１１は、方向ＤＲ２において、０．１〜０．５μｍの長さを有し、凹部１２は、方向ＤＲ２において、０．６〜１．５μｍの長さを有する。また、凸部１１の高さは、０．３〜０．６μｍである。カーボンナノウォール２〜９の各々は、基板１の凸部１１の長さ方向（＝方向ＤＲ１）に沿って凸部１１上に形成される。 （もっと読む）

【課題】被処理体上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Ｔ_１で酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、触媒金属微粒子に温度Ｔ_１より高い温度Ｔ_２で水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程（ＳＴＥＰ２）と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度Ｔ_３で熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる工程（ＳＴＥＰ３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】金属微粒子をカーボン材料に担持させた金属微粒子担持体およびその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン材料を含有する一方、金属微粒子の凝集を抑制する分散溶解剤を含有しない溶液５中に、１対の放電電極１・１を配置する。グロー放電により放電電極１・１間にプラズマを発生させることによって、放電電極１・１を融解して金属微粒子を形成すると共に、形成された金属微粒子をカーボン材料に担持させて金属微粒子担持体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて低抵抗化をカーボン材料の改質処理により図ることが可能なホウ素含有カーボン材料の製造方法及びそれにより製造された低抵抗のホウ素含有カーボン材料を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明のホウ素含有カーボン材料の製造方法は、例えば、放電プラズマ焼結機（ＳＰＳ）１にて、カーボン材料とホウ素もしくはホウ素化合物との混合材料７に電流を流した状態で加熱して、前記カーボン材料にホウ素をドープすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＭ等の難溶解性粉体の表面修飾処理を高速化して、大量の表面修飾処理を低コストで行うことのできる粉体可溶化方法及びその粉体可溶化方法に基づき粉体可溶化処理を行える粉体可溶化装置を提供することである。
【解決手段】攪拌部材４の終端部５を液中電極１４の対向電極として、両電極間に高電圧高周波パルス発生装置１７の合成電圧Ｖが印加される。合成電圧Ｖの印加により、水面３２近傍のＣＮＴあるいは水面３２に浮遊するＣＮＴ１１が粉体電極となって、液中電極１４との間で液中プラズマ放電２７を発生させる。液中プラズマ放電２７により液中電極１４の周囲が沸騰状態に達し、Ｈ^＋やＯＨ⁻等のラジカルを含む活性水蒸気２８が生ずる。活性水蒸気２８及び液中プラズマに接触することにより、浮遊ＣＮＴ粉体はＣＮＴ周囲に水和層が形成され親水化される。 （もっと読む）

【課題】 破損や、反りやうねりを生じることなく炭素板を黒鉛化する方法を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる棚板の間に複数の炭素板を積層した積層体を、黒鉛化炉中に、間隔を設けて複数個配置し、前記複数の積層体の間および周囲に、導電性材料からなる詰粉を充填して前記詰粉に通電することを特徴とする炭素板の黒鉛化方法。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フラーレンの六員環よりも大きな原子を内包する内包フラーレンの製造において、内包フラーレンの形成確率が高い製造方法を提供する。
【解決手段】内包イオンの照射と同時に、直径と質量が大きいイオンをフラーレン膜に照射する。質量が大きいイオンがフラーレン分子１７に衝突するため、フラーレン分子１７が大きく変形し、フラーレン分子１７の開口部が大きくなり、内包イオンがフラーレン分子１７のケージの中に入る確率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】横２列に配した炭素質成形体群を電気的に直列につないで加熱処理する方式の黒鉛化炉を、各列の炭素質成形体群の通電条件や軸方向押圧が安定して炭素質成形体が均一に加熱されるようにすることを課題としている。
【解決手段】第２ターミナル電極４，４を炉体の並列配置の２つのチャンバに炉外から個別に臨ませ、その第２ターミナル電極４，４の電気接続を、導体板７ａ_Ｒ，７ａ_Ｌ、ピボット軸７ｃで端部を前記導体板に連結する可動フレーム７ｂ、その可動フレームに支持される上部可撓導体７ｄ_Ｕ及び下部可撓導体７ｄ_Ｂ、それらの可撓導体の両端に設ける上部接点７ｅ_Ｕ及び下部接点７ｅ_Ｂ及び両接点を導体板に押しつける接点押圧ばね７ｆを備える接続器７を用いて炉外で行なうようにした。 （もっと読む）

【課題】空洞化部位の内部環境を好適に維持しつつ、カーボンナノ粒子を効率良く製造することにある。
【解決手段】空洞化部位２０を陰極部材１０の一端に形成して、陰極部材１０の第一黒鉛部１２と陽極部材４０の第二黒鉛部４２を空洞化部位２０内で対面配置したのち、液中の空洞化部位２０にガス流路１８から不活性ガスを供給しつつ、両黒鉛部間にアーク放電を発生させてカーボンナノ粒子を製造するカーボンナノ粒子の製造装置において、陽極部材４０が、反応槽４外に配置の移動部材４６と、反応槽４内に突出のガイド部４４を有し、第二黒鉛部４２が、移動装置４６によって、ガイド部４４に沿って空洞化部位２０内に向かって垂直方向に相対移動する構成とした。 （もっと読む）