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Fターム[4G169BE01]に分類される特許
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触媒の製造方法
【課題】 非常に高い反応活性および選択性を有し、かつ工業スケールにおいて均質で再現性良く製造し得る(メタ)アクロレイン及び/又は(メタ)アクリル酸製造用触媒の製造方法、及び該製造方法により得られる触媒を用いる(メタ)アクロレイン及び/又は(メタ)アクリル酸の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 プロピレン、イソブチレン、t−ブチルアルコール又はその混合物を気相にて分子状酸素または分子状酸素を含有するガスにより酸化して(メタ)アクロレイン及び/又は(メタ)アクリル酸を製造する際に用いられる触媒の製造方法であって、触媒成分を含む混合溶液または水性スラリーから得られる触媒前駆体乾燥粉に、水およびバインダー成分を加えて成型することにより得た触媒前駆体成型品を、50℃以下の雰囲気に調整した乾燥機内で乾燥し、次いで焼成することを特徴とする触媒の製造方法。
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不斉水素化反応で使用されるビス(フェロセニルホスフィノ)フェロセン配位子
ラセミ化合物、鏡像異性的に純粋なジアステレオ異性体又はジアステレオ異性体の混合物の形態の式I(式中、基R1は、同一又は異なり、それぞれがC1〜C4アルキルであり、mは、0又は1〜4の整数であり、nは、0又は1〜3の整数であり、pは、0又は1〜5の整数であり、R2は、芳香族炭化水素基又はC結合芳香族ヘテロ炭化水素基であり、そして、R3は、脂肪族又はヘテロ脂肪族炭化水素基であり、R2及びR3は、同一又は異なり、それぞれが脂肪族又はC結合へテロ脂肪族炭化水素基であり、R4は、非置換又はC1〜C6アルキル、C1〜C6アルコキシもしくはハロゲン置換炭化水素基であり、Aは、第二級アミノ基である)の化合物は、均一系触媒として好適な金属錯体のための配位子である。
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光触媒塗料組成物の製造方法及び光触媒塗料組成物
【課題】塗料に悪影響を及ぼすことなく光触媒微粒子を塗料組成物中に均一に分散させることができる光触媒塗料組成物の製造方法及び光触媒塗料組成物を提供する。
【解決手段】光触媒塗料組成物全体に必要な量の光触媒微粒子を予備配合組成物に配合して分散させてからベース塗料組成物中に分散させることで、光触媒微粒子が塗料ビヒクル樹脂及び溶媒に馴染んだ状態となり光触媒微粒子をベース塗料組成物中に円滑に分散させて、光触媒微粒子の分散の不足や、ベース塗料組成物中での再度の凝集を防止することができる。また予備配合組成物は添加剤、硬化剤や親水化剤を含むものではなく、強いせん断応力を加えても変質の恐れがなく、またベース塗料組成物に強いせん断応力を加える必要がないことから、塗料に悪影響を及ぼす恐れをなくすることができる。
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α−オレフィン低重合体の製造方法
【課題】α−オレフィンの低重合体の製造にあたり、α−オレフィン低重合体を高収率且つ高選択率で得られる、α−オレフィンの低重合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応器10に供給された溶媒中で、クロム系触媒の存在下、α−オレフィンを低重合するα−オレフィン低重合体の製造方法であって、反応器10内の気相中に、0.010体積%〜50.00体積%の割合で不活性ガスを存在させ、溶媒中でα−オレフィンの低重合反応を行い、α−オレフィンの低重合反応により得られた反応液から、未反応α−オレフィン及び溶媒を分離し、反応液から分離された未反応α−オレフィン及び溶媒を反応器10内に循環させることを特徴とするα−オレフィン低重合体の製造方法。
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α−オレフィン低重合体の製造方法及びピロール化合物の保管方法
【課題】ピロール化合物が成分であるクロム系触媒を使用するα−オレフィン低重合体の製造方法等を提供する。
【解決手段】エチレン等のα−オレフィンを原料とし、1−ヘキセン等のα−オレフィン低重合体を製造する際に、重合触媒としてクロム化合物(a)と、ピロール化合物(b)と、アルミニウム含有化合物(c)とから構成されるクロム系触媒を用い、ピロール化合物(b)に含まれるピロール二量体の濃度が、ピロール化合物(b)に対し2重量%以下である。
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エチレン低重合体の製造方法
【課題】クロム系触媒を用いるエチレン低重合体の製造方法において、エチレン低重合体が分離されたハイボイラーからクロム系触媒等の分解生成物が生じにくい条件でデセンを回収する方法を提供する。
【解決手段】クロム系触媒を用いるエチレンの低重合反応により得られたエチレン低重合体を含む反応液から、蒸留操作によりエチレン低重合体とクロム系触媒、デセン、テトラデセン、及び副生ポリマーを含むハイボイラーとを分離し、次いで、ハイボイラーを蒸発分離器70及び液溜タンク80によりテトラデセン濃度が5重量%以上になるように濃縮すると共に、デセンを下記一般式(1)を満たすように蒸発分離する。式(1)中、Tは、蒸発分離器70における残溶液の温度、θは、蒸発分離器70における残溶液の滞留時間である。
θ/1.2EXP(850/T)≦1 (1)
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ハニカム構造体の製造方法、及び、ハニカム構造体
【課題】 強度に優れ、比表面積の大きいハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも無機粒子と無機繊維及び/又はウィスカと無機バインダとを含む原料組成物を用いて、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製する成形工程と、上記ハニカム成形体に焼成処理を施して、ハニカム焼成体を作製する焼成工程とを含むハニカム構造体の製造方法であって、上記無機バインダの平均粒子径は、10〜50nmであることを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
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エポキシ化合物製造用触媒混合物及びそれを用いたエポキシ化合物の製造方法
【課題】オレフィン類を酸化させてエポキシ化合物を製造する場合において、有機副生成物の発生を十分に抑制しつつ、高い転化率及び高い選択率でエポキシ化合物を製造することが可能なエポキシ化合物製造用触媒混合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式(1):
Xm・[ZaO2−b(O2)2−c] ・・・(1)
(式(1)中、Xは対カチオンを表し、Zは元素周期律表第4〜8族元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を表し、mは1〜16の整数を表し、aは1〜32の整数を表し、bは1〜64の整数を表し、cは1〜16の整数を表す。)
で表される過酸化物触媒と、
下記一般式(2)及び/又は(3):
M2O2 ・・・(2)
MO2 ・・・(3)
(式(2)及び(3)中、Mはアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、2価の遷移金属元素、及び3価のランタニド元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を表す。)
で表される金属過酸化物と、
下記一般式(4):
(RCO)2O ・・・(4)
(式(4)中、Rは炭素数1〜10の炭化水素を表す。)
で表されるカルボン酸無水物及び/又は下記組成式(5):
H3BO3 ・・・(5)
で表されるホウ酸と、
を含有することを特徴とするエポキシ化合物製造用触媒混合物。
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ハニカム構造体の製造方法、及び、ハニカム構造体
【課題】強度に優れ、比表面積の大きいハニカム構造体を製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも無機粒子と無機繊維及び/又はウィスカと無機バインダとを含む原料組成物を用いて、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製する成形工程と、上記ハニカム成形体に焼成処理を施して、ハニカム焼成体を作製する焼成工程とを含むハニカム構造体の製造方法であって、上記無機粒子は、1次粒子が凝集してなる2次粒子からなり、上記原料組成物中の上記無機バインダの平均粒子径は、上記無機粒子の平均粒子径の1/200〜1/40であることを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
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ヒドロホルミル化法用のホスホナイト含有触媒
1種又はそれ以上のホスホナイト配位子、ロジウム及びヒドロホルミル化溶媒を含んでなる、種々のノルマル−アルデヒド対イソ−アルデヒド比を有するアルデヒドを製造するための触媒溶液を開示する。また、オレフィン、水素及び一酸化炭素を、1種又はそれ以上のホスホナイト配位子、ロジウム及びヒドロホルミル化溶媒と接触させることを含んでなる、種々のノルマル−アルデヒド対イソ−アルデヒド比を有するアルデヒドの製造方法も開示する。ホスホナイトを基材とする触媒溶液は、一酸化炭素分圧、温度及び配位子(グラムモル)対ロジウム(グラム原子)を含む1つ又はそれ以上のプロセス変数を変動させることによって、ノルマル−アルデヒド対イソ−アルデヒド比を操作することができる。 (もっと読む)
エチレン四量体化触媒系及びこれを用いた1−オクテンの製造方法
遷移金属または遷移金属前駆体、共触媒、及び(R1)(R2)P−(R5)CHCH(R6)−P(R3)(R4)で表されるP−C−C−P骨格構造リガンドを含むクロム触媒系を使用してエチレンを四量体化することにより、反応活性を安定に維持しながら高活性及び高選択性で1−オクテンを製造する方法を開示する。 (もっと読む)
光触媒塗料の製造方法
【課題】透明性、硬度及び分解性能に優れた光触媒塗料の製造方法を提供する。
【解決手段】その一次粒子径が0.01〜0.03μm及びその見掛比重が50〜200g/Lであって、前記一次粒子及び前記一次粒子が凝集又は集塊した二次粒子からなるアナターゼ型酸化チタン粉末をβ-ジケトンとチタネート系カップリング剤の存在下で溶媒である4〜15重量%のメチルアルコールと96〜85重量%のエチルアルコールからなる混合アルコール中に均一に分散させた後、シリカゾルを混合することを特徴とする。
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水素化処理触媒、その製造方法及び重質油の水素化処理方法
【課題】高活性で劣化が少なく、かつ新触媒及び再生触媒の摩耗強度が大きく、かつ重質油処理後の再生が容易な水素化処理触媒、その製造方法、及び該水素化処理触媒を用いて、重質油を水素化処理した後に、該劣化触媒を再生した後も長期間安定して用いることができる重質油の水素化処理方法を提供する。
【解決手段】耐火性酸化物担体に、触媒全量基準で、酸化ニッケルを1〜10質量%、三酸化モリブデンを5〜20質量%、酸化マグネシウムを0.3〜1.5質量%及び五酸化リンを2〜5質量%担持した触媒であって、該酸化マグネシウムが、マグネシウム化合物を酸化マグネシウムとして、0.2≦酸化マグネシウム/有機酸(モル比)≦0.6となるように有機酸に溶解して担持された水素化処理触媒、その製造方法、及び該水素化処理触媒を用いて、重質油を水素化処理した後に、該劣化触媒を再生して用いる重質油の水素化処理方法である。
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脂肪酸モノエステル化物の製造方法およびエステル交換反応用触媒
【課題】有機スズ化合物を触媒として、油脂から脂肪酸モノエステル化物を製造する方法を提供する。
【解決手段】動物油および/または植物油と、ROH(Rは、炭素数1〜24の飽和または不飽和の脂肪族基を示す。)で示されるアルコールとを、有機スズ化合物からなる触媒の存在下にエステル交換する工程を含む、脂肪酸モノエステル化物の製造方法である。転化率が高く、脂肪酸モノエステル化物を効率的に製造することができる。
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ゼオライト層状前駆体からの大細孔ゼオライトの製造法
【課題】
本発明は、各種の化学反応における触媒としてだけでなく、吸着剤や充填剤として有用なMWW型ゼオライトにおけるさらに新しいタイプのMWW型ゼオライト、及びその製造方法、並びにそれを用いた固体酸触媒を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、MWW型ゼオライトの層状の前駆体にシリル化剤を添加した後、これを焼成することによりMWW型ゼオライトの層状の前駆体の層間距離が拡大されたマイクロ孔を有することを特徴とするMWW型ゼオライト、その製造方法、及びそれを用いた固体酸触媒に関する。
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オレフィンモノマーのオリゴマー化用配位子及び触媒
式(I):(R1)2P−P(R1)m(R2)n=N(R3)(但し、R3は水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ヘテロヒドロカルビル基、置換へテロヒドロカルビル基、シリル基又はその誘導体から選ばれ、R1基は独立に、オルト位の少なくとも1つに極性置換基を有する任意に置換した芳香族基から選ばれ、R2基は独立に、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル基及び置換へテロヒドロカルビル基から選ばれるが、R2基が芳香族である場合は、オルト位のいずれにも極性置換基を持たず、またmは0又は1、nは1又は2であるが、m+nの合計は2である)を有する配位子;該配位子を含む触媒システム;及び該配位子を用いた、オレフィンモノマーの同時三量化及び四量化法。 (もっと読む)
芳香族酸のエーテルの合成方法
芳香族酸のエーテルは、銅(I)または銅(II)源および銅に配位するジケトン配位子を含有する反応混合物でハロゲン化芳香族酸から製造される。 (もっと読む)
ポリオレフィン系樹脂成形体の光触媒コーティング方法
【課題】二酸化チタン等の光触媒がポリオレフィン系樹脂成形体のコーティングに使用するバインダー成分中に埋もれるのを防ぎ、かつ表面に光触媒が緻密にかつ強く結合された、高活性で剥離の少ない光触媒材料の製造を可能とする、ポリオレフィン系樹脂成形体の光触媒コーティング方法を提供する。
【解決手段】プライマー物質の塗布によって表面ゼータ電位を正(+)又は負(−)に調整したポリオレフィン系樹脂成形体を、光触媒/水の重量比が0.0005から0.1の混合溶液に浸漬して成形体の表面ゼータ電位とは反対の負(−)又は正(+)の電位を有する光触媒を静電的に結合させ、ついで水分除去を行うことを特徴とする光触媒のコーティング方法。
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遷移金属で触媒されるヒドロホルミル化用のビスホスファイト配位子
本発明は、式中のX=置換又は非置換の2価のビスアルキレン−又はビスアリーレン基であり、Y=置換又は非置換の2価のビスアリーレン−又はビスアルキレン基であり、Z=酸素又はNR9であり、かつR1、R2、R3、R4は同じ又は異なるもので、置換又は非置換の、結合した、結合していない又は縮合したアリール−又はヘテロアリール基であり、R9は、水素又は置換又は非置換のアルキル−又はアリール基である、式(I)のビスホスファイト、その製造法並びにこのホスファイトを触媒反応で、殊にオレフィン又はC−C−二重結合を有する有機化合物の触媒作用ヒドロホルミル化で使用することに関する。
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新規のカルボニル化配位子及びエチレン性不飽和化合物のカルボニル化におけるその使用
一般式(I)の新規の二座配位子が記載される。式(I):Rはヒドロカルビル芳香族構造を表す。芳香族構造上の置換基Yxは、x=1〜nΣtYxが≧4となるように水素以外の原子の合計x=1〜nΣtYxを有し、その際、nは置換基Yxの総数であり、tYxは特定の置換基Yxにおける水素以外の原子の総数を表す。基、X1、X2、X3及びX4は、各原子Q1若しくはQ2に対する三級炭素原子を介してQ1若しくはQ2に結合し、Q1及びQ2は、独立してリン、ヒ素又はアンチモンを表す。触媒系及び触媒系を利用したエチレン性不飽和化合物のカルボニル化のための方法も記載される。
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