【課題】高温条件で使用できる蛍光体を使用した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、４２０ｎｍを越え５００ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する発光素子と、前記発光素子上に形成された蛍光体層とを具備する。この発光素子のジャンクション温度は１００℃以上２００℃以下である。また、前記蛍光体層は、下記一般式：（Ｍｇ_１−ｘ，ＡＥ_ｘ）_ａ（Ｇｅ_１−ｙ，Ｓｎ_ｙ）_ｂＯ_ｃＨＡ_ｄ：ｚＭｎ（式中、ＡＥはＣａまたはＳｒの少なくとも１種類の元素であり、ＨＡはＦまたはＣｌの少なくとも１種類以上の元素であり、２．５４≦ａ≦４．４０、０．８０≦ｂ≦１．１０、３．８５≦ｃ≦７．００、０≦ｄ≦２．００、０≦ｘ≦０．０５、０≦ｙ≦０．１０、および０＜ｚ≦０．０３である）で表され、前記発光素子から放出される光を吸収して６５０ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長領域に主発光ピークを有する光を放出する蛍光体を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＫＬｕ_２Ｆ_７単結晶、及び当該単結晶のＬｕ元素の一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素で置換した単結晶を融液成長法によって効率よく製造する方法、および、当該製造方法によって製造される単斜晶型フッ化物単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式Ｋ（Ｍ_ｘＬｕ_１−ｘ）_２Ｆ_７（ただし、ＭはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素を表わし、ｘは０〜０．２の範囲である）で表わされ、単斜晶型結晶構造を有することを特徴とするフッ化物単結晶、該単結晶からなる真空紫外発光素子、該単結晶からなるシンチレーター、及び該単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】赤みを有するように演色性が調整された光を発光することができる発光装置を得ること。
【解決手段】
外部から電力が供給される回路基板２と、回路基板２の上に電気的に接合され、回路基板２からの電力により発光する発光ダイオード３と、発光ダイオード３を囲むように回路基板２の上に設けられ、上端部が、発光ダイオード３の上端部よりも上側に配置されるハウジング４とを備える発光装置１において、ハウジング４の上に、蛍光を発光する第１蛍光層１１と、第１蛍光層１１よりも長波長の蛍光を発光する第２蛍光層１２とを備える蛍光積層体５を、第２蛍光層１２がハウジング４の上に配置され、第１蛍光層１１が第２蛍光層１２の上に積層されるように設ける。 （もっと読む）

【課題】α線源弁別に有用な、発光量が多くエネルギー分解能が高いシンチレータが求められていた。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＣｕＯ、または、ＣｄＯと溶媒との混合・溶融物に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、Ｃｕドープ、または、Ｃｄドープ単結晶を製造して、発光量が多く、エネルギー分解能が高い不純物ドープＺｎＯ単結晶シンチレータを得、これを具備した放射線検出器、放射能測定装置およびα線カメラを提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化物蛍光体、その製造方法及び前記蛍光体を含む発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｍｅ_２−ｘＲ_ｘＳｉ_５Ｎ_８−ｙＦ_３ｙ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜０．５）の組成を有する希土類金属がドープされたアルカリ土類金属シリコン窒化物蛍光体粉末を常温で数秒以内に製造することができる窒化物蛍光体、その製造方法及び前記蛍光体を含む発光素子に関するものである。本発明によって製造されたシリコン窒化物蛍光体は、小さい粒径と高い表面積及び改善した化学的特性を有すると共に、ＵＶ及び青色光を強く吸収し、これを効率的に橙−赤色光に変換させることができ、効果的な蛍光体として使用することができ、ＬＥＤパッケージにおいて沈降がなく、均一な層を形成するために使用されることができ、また、ディスプレイ用及び光源用として特に有効に使用されることができる。特に、粒子の微細化によるＬＥＤパッケージを適用する際、重量比によりコストを下げることができる。 （もっと読む）

【課題】中性子に対する検出効率、及びｎ／γ弁別能に優れた中性子用シンチレーター並びに当該中性子シンチレーターを使用した中性子検出器を提供する。
【解決手段】層状のフッ化リチウム結晶と層状のフッ化カルシウム結晶とが交互に積層した共晶体であって、この共晶体中の層状のフッ化リチウム結晶層の厚さが０．１〜５μｍである共晶体からなる中性子用シンチレーター、或いは、層状のフッ化リチウム結晶と層状のフッ化カルシウム結晶とが交互に積層した共晶体であって、この共晶体中の層状のフッ化カルシウム結晶層が少なくとも一方向に直線的に連続している共晶体からなる中性子用シンチレーター、更に、これら中性子シンチレーターと光検出器から基本構成される中性子検出器である。 （もっと読む）

【課題】真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる金属フッ化物結晶及び真空紫外発光素子を提供する。
【解決手段】化学式ＢａＣａＭ_２Ｆ_１０で表され、ＭがＹ、Ｌｕ又はＬａである金属フッ化物結晶であって、Ｎｄ，Ｅｒ，Ｔｍ及びＹｂからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含有する金属フッ化物結晶、及び当該金属フッ化物結晶からなる真空紫外発光素子。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外領域で高輝度発光する真空紫外発光素子を提供することを目的とする。当該真空紫外発光素子は、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる。また、当該真空紫外発光素子からなり、ＰＥＴによる癌診断やＸ線ＣＴ等で好適に使用できる放射線検出器用のシンチレーターを提供する。
【解決手段】 ネオジムを含有し、蛍石型結晶構造を有するフッ化ナトリウムルテチウム結晶からなることを特徴とする真空紫外発光素子、及び当該真空紫外発光素子からなるシンチレーターである。 （もっと読む）

【課題】 真空紫外領域で高輝度発光するフッ化物を提供する。また、該フッ化物からなり、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる新規な真空紫外発光素子、及び低バックグラウンドノイズのダイヤモンド受光素子やＡｌＧａＮ受光素子を、従来の光電子増倍管の代替として組み込んだ小型の放射線検出器に好適に使用できる真空紫外発光シンチレーターを提供する。
【解決手段】 Ｎｄを添加したＫＣａＦ_３からなるフッ化物結晶及び、該結晶を用いることを特徴とする真空紫外発光素子、及び真空紫外発光シンチレーターである。 （もっと読む）

【課題】Ｒａが８０以上であるＬＥＤ照明装置に好ましく適用することのできる、発光効率の改善された白色光源を提供することを解題とする。
【解決手段】各々が蛍光体変換型の半導体白色発光素子である第１素子および第２素子を有し、該第１素子が放出する第１白色光および該第２素子が放出する第２白色光を含む混合光である白色光を放出する白色発光装置において、該第１素子は、青色光を発するＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップと、青色光を吸収して黄色光を発する蛍光体とを組み合せて構成され、該第１素子の平均演色評価数をＲａ₁、該第２素子の平均演色評価数をＲａ₂、該白色発光装置の平均演色評価数をＲａ₃としたとき、
６０≦Ｒａ₁≦７０、かつ
８５≦Ｒａ₂＜１００、かつ
８０≦Ｒａ₃＜Ｒａ₂である、ことを特徴とする白色発光装置。 （もっと読む）

【課題】熱蛍光グローピーク温度をより高い温度領域にシフトさせるとともに、結晶欠陥に起因する励起電子の基底状態への遷移を抑制して、放射線の照射直後の励起状態が長時間に亘って維持する。
【解決手段】母材であるＣａＦ_２に、０．１ｍｏｌ％のＴｂＦ_３、０．５ｍｏｌ％のＧｄＦ_３及び０．１ｍｏｌ％のＳｍＦ_３を混合してこれらを溶融し、このＣａＦ_２の単結晶を成長させた。この単結晶にＸ線を照射し、グローピーク強度を評価したところ、８０℃付近（低温領域）に小さいピークと、４００℃付近（高温領域）に大きいピークが確認できた。このように、低温領域のピークを高温領域のピークよりも相対的に小さくすると、添加したＴｂ電子のＦセンタが安定したものとなり、時間経過に伴うＦセンタからの基底状態へのエネルギー遷移が生じにくくなる。このため、Ｘ線等の放射線の照射直後の励起状態が長時間に亘って維持することができる。 （もっと読む）

隠れた偽造防止対策として、プラスチック基板の中または表面に組み込むことができる蛍光体組成物を提供する。プラスチック基板は透明にすることができ、蛍光体組成物は、透明性を維持するために、プラスチック基板の屈折率に効果的に整合する屈折率を有する。蛍光体組成物は、赤外線領域に吸収を有し、よって、赤外発光源による本組成物の励起および検出を可能にする。 （もっと読む）

本発明の各実施例は、最終放射線負荷下で改善された安定性を有し、大気湿度に対して改善された耐性を有するシリケート化合物に基づく無機蛍光体に関するものであり、本発明にかかる蛍光体は、より高いエネルギ励起放射、すなわち、紫外線（ＵＶ）又は青色光を可視スペクトル範囲内のより長い波長放射に高い効率で変換させることができる。一般式Ｓｒ_{３―ｘ―ｙ―ｚ}Ｃａ_ｘＭ^ＩＩ_ｙＳｉＯ_５：Ｅｕ_ｚを有するシリケート蛍光体に０〜０．０５の値を有するカルシウムのモル分率ｘが添加される。 （もっと読む）

本発明は、基板（２、１２）に配置される発光ダイオード（１、１１）と波長変換構成要素（３、１３、１４）を含む発光ダイオードデバイスを提供する。波長変換構成要素（３、１３）は、ルミネッセント材料として、ガーネット型結晶構造を持つＭｎ⁴⁺活性フッ化物化合物を含む。Ｍｎ⁴⁺活性フッ化物化合物は、好ましくは、一般式｛Ａ₃｝［Ｂ_2-x-yＭｎ_xＭｇ_y］（Ｌｉ₃）Ｆ_12-dＯ_dで表され、式中のＡは、Ｎａ⁺およびＫ⁺からなる組から選択される少なくとも１種であり、および、式中のＢは、Ａｌ³⁺、Ｂ³⁺、Ｓｃ³⁺、Ｆｅ³⁺、Ｃｒ³⁺、Ｔｉ⁴⁺およびＩｎ³⁺からなる組から選択される少なくとも１種であり、並びに、式ｘの範囲は０．０２から０．２であり、ｙの範囲は０．０（０．０を含む）から０．４であり、およびｄの範囲は０（０を含む）から１である。該化合物は、最も好ましくは、｛Ｎａ₃｝［Ａｌ_2-x-yＭｎ_xＭｇ_y］（Ｌｉ₃）Ｆ_12-dＯ_dである。また、本発明は該材料の調製のための方法ばかりではなく、該材料も提供する。記載されたタイプおよび構造のルミネッセント材料は、非常に安定しており、湿潤環境に対して感受性が低いので、ＬＥＤデバイスの波長変換構成要素として使用するには、好都合であり得る。 （もっと読む）

発光材料およびそのような材料を形成する方法が、本明細書において説明される。一実施形態において、発光材料は、式：［Ａ_ａＳｎ_ｂＸ_ｘＸ’_ｘ’Ｘ’’_ｘ’’］［ドーパント］を有し、Ａは、一価の陽イオンとして発光材料内に含まれ、Ｘ、Ｘ’、およびＸ’’は、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素から選択され、ａは、１から５までの範囲内にあり、ｂは、１から３までの範囲内にあり、ｘとｘ’とｘ’’との合計は、ａ＋２ｂであり、少なくともＸ’は、ｘ’／（ａ＋２ｂ）≧１／５であるようなヨウ素である。
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本発明は、ａ）ナノスケールの金属ハロゲン化物コアを調製するステップと、ｂ）ナノスケールの金属ハロゲン化物コアを、希土類金属によって活性化される少なくとも１つのシェルでコーティングするステップと、ｃ）コア−シェルナノリン光体を形成するステップとを含む、放射線貯蔵で使用するためのコア−シェルナノリン光体を生成する方法に関する。また、本発明は、基材コアと、電離放射線、中性子、電子またはＵＶ照射に対して感受性のある少なくとも１つのシェルとを含むコア−シェルナノリン光体にも関する。また、本発明は、放射線画像貯蔵パネル、放射線監視器具および本発明によるコア−シェルナノリン光体の使用にも関する。
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本発明は、固溶体を介したＳｒ_３ＡｌＯ_４Ｆ酸化フッ化物に基づく緑色発光および黄色発光蛍光体、ならびに蛍光体を含む白色発光ダイオード（ＬＥＤ）を説明する。本発明においては、Ｓｒ_３ＡｌＯ_４ＦとＳｒ_３ＳｉＯ_５との間の固溶体系と、Ｓｒ_３ＡｌＯ_４ＦとＧｄＳｒ_２ＡｌＯ_５との間の固溶体系とを含む、蛍光体組成物を開示する。蛍光体組成物を使用する白色発光ＬＥＤも開示される。また、本発明においては、上記の蛍光体組成物を製造する方法も開示される。
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本発明は、改善された長期安定性を有するアルカリ土類金属ケイ酸塩発光物質及びアルカリ土類金属ケイ酸塩発光物質の長期安定性を改善するための対応する方法に関する。本発明による発光物質は、一般化学式ＥＡ_xＳｉ_yＯ_z（式中、ｘ，ｙ，ｚ＞０）で示される基本格子を有する発光物質である。成分ＥＡは、１つ以上のアルカリ土類金属で形成されている。賦活剤、例えばＥｕ²⁺又はＭｎ²⁺、が基本格子中にドープされている。前記発光物質は、第１の波長域の放射線を吸収して第１の波長域とは異なる第２の波長域の放射線を放射する、という基本的な特性を有する。前記発光物質は、粒状に形成されている。本発明によれば、前記発光物質の粒子は、その表面の少なくとも一部が一般式Ｅａ_uＺ₂の化合物によって形成されていることによって、その表面が化学的に変性されている。成分Ｚは、前記発光物質のＥＡカチオンと化学結合することが可能なアニオンによって、形成されている。変数ｕは、アニオンＺのイオン電荷に等しい。従って、前記化学的な変性は、被覆ではない。
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【課題】（ハロ）ケイ酸塩系蛍光体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による（ハロ）ケイ酸塩系蛍光体及びその製造方法は、アルカリ土金属を含有した（ハロ）ケイ酸塩系母体にユーロピウムを活性剤として使用して製造されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れているものの、化学的安定性に問題のある蛍光体を実用化可能とする半導体発光装置と、この半導体発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子Ａと、該半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収し異なる波長を有する光を発する蛍光体とを備える半導体発光装置において、該半導体発光素子と、Ｍｎ^４＋で付活されたフッ素錯体蛍光体を含有する層Ｃとの間に、該蛍光体を含まず、かつ、厚さ０．４ｍｍのときの４０℃における水蒸気透過率が１０ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下の層Ｄを設ける。 （もっと読む）