説明

Fターム[4H003DA15]の内容

洗浄性組成物 (67,184) | 洗浄剤の使用対象・使用方法 (7,895) | 電気関係(ハンダフラックス、レコード、テープ) (560)

Fターム[4H003DA15]に分類される特許

101 - 120 / 560


【課題】ナノインプリント用モールドに付着残存した樹脂汚れに対する洗浄力が高く、かつ、モールドを傷めずに洗浄できる洗浄剤組成物、及びナノインプリント用モールドの簡便な洗浄方法の提供。
【解決手段】ナノインプリント用モールドの洗浄に用いる洗浄剤組成物において、遷移金属を含む水溶性塩(A)とキレート剤(B)と過酸化物(C)とを含有し、(B)/(A)で表されるモル比が0.5以上であり、かつ、pHが8未満であることを特徴とする洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】シリコンウエハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.3〜3重量部および(b)水((a)との合計量100重量部中残部)からなるものとする;
R−O−(AO)n−H ・・・(1)
但し、式(1)中、Rは炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、AOは炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示し、nはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、1〜100である。 (もっと読む)


【課題】ペルオキシ一硫酸水溶液を長期間安定に保存することができる安定剤、及び安定化したペルオキシ一硫酸水溶液を提供すること。
【解決手段】下記の一般式(1)で表わされる基を含有し、炭素数1〜20を有する化合物からなるペルオキシ一硫酸水溶液の安定剤。
【化1】


(式中、Mは水素原子、アンモニウムまたはアルカリ金属原子を表わす。) (もっと読む)


【課題】あらゆるタイプの汚れに対して、HCFC225に匹敵するような洗浄力を示すと共に低毒性で、引火性が低く、オゾン層破壊の恐れが全くない洗浄性に優れる高沸点溶剤を含有する洗浄剤を用いて、被洗浄物表面における汚れの再付着による洗浄性の低下を防止し、かつ、揮発性に優れるHFCやHFEによるリンス工程がなく省スペースを可能とする洗浄方法及び洗浄装置を提供することを課題とする。
【解決手段】蒸発速度の異なる20℃における蒸気圧が1.33×10Pa以上の非塩素系フッ素化合物(a)と20℃における蒸気圧が1.33×10Pa未満の成分(b)とを一定の組成比で併用し、かつ、洗浄時の洗浄条件として、「洗浄槽温度」と「洗浄槽温度と蒸気ゾーン温度との温度差」とを規定することで、洗浄剤を加熱して得られる凝縮液によるリンス工程のない洗浄方法で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】イソプロパノール等に代替する水置換剤であって、後工程での蒸気洗浄性に優れ、安全性に優れ、かつ蒸留再生使用が容易な水置換剤、及びそれを用いた水置換工程を含む蒸気洗浄方法を提供する。
【解決手段】被洗浄物の蒸気洗浄前に用いる水置換剤、及びそれを用いた水置換工程を含む蒸気洗浄方法であって、水置換剤として、下記一般式(1)で表わされるとともに、下記特性(A)および(B)を有する親水性溶剤含むことを特徴とする。
(A)20℃において、水に対する溶解度が50g/100g以上の値である。
(B)沸点が120〜220℃の範囲内の値である。


(一般式(1)中、Rは炭素数1〜4のアルキル基であり、炭素数mは2〜5の自然数であり、繰り返し数nは1〜2の自然数である。) (もっと読む)


【課題】平板表示装置に用いられる基板上に存在する有機物または無機物などのパーティクルを除去するとともに平板表示装置に用いられる銅を含む配線、アルミニウムを含む配線を腐食させない洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、(a)アミン化合物0.05〜5重量%;(b)アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる1種または2種以上を含む添加剤0.01〜10重量%;及び(c)残量の水を含む。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の実施形態は、ウエハ表面、特にパターン化ウエハ(又は基板)の表面を洗浄する改良された洗浄剤、装置及び方法を提供する。本明細書で説明する洗浄剤、装置及び方法は、微細なフィーチャを備えるパターン化基板を、フィーチャに実質的に損傷を与えることなく洗浄できるという効果がある。洗浄剤は、1つ以上の高分子化合物からなるポリマーを備える。洗浄剤は、広い粘度範囲と広いpH範囲で、さまざまな種類の表面洗浄に用いることができる。洗浄剤は液相であり、デバイス・フィーチャの周囲で変形し、基板上の汚染物質を捕獲する。ポリマーは、基板表面に汚染物質が戻らないように、汚染物質を取り込む。洗浄装置は、広い範囲の粘度を有する洗浄剤を供給して、すすぐように設計される。 (もっと読む)


【課題】シリコーン油などの油脂系汚染物質で汚れた機器や油脂系汚染物質または油溶性汚染物質により汚染された土壌などの被汚染物を、油脂系汚染物質または油溶性汚染物質の種類に拘わらず同じ汚染除去剤を用いて短時間で効果的に除去することが可能な被汚染物の新規な汚染除去方法と汚染除去剤を提供する。
【解決手段】水媒体中で自己組織化して微分散した両親媒性物質の分散液、又は、水媒体中で自己組織化して微分散した両親媒性物質の分散液を用いて油剤を乳化させ得られたエマルションで、被汚染物中の油脂系汚染又は油溶性汚染を除去する。両親媒性物質としては、ポリオキシエチレン硬化ひまし油の誘導体を用いる。 (もっと読む)


【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 (もっと読む)


【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能と銅の腐食抑制効果に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 鎖状アミン(A)、水酸基を2〜5個含むポリフェノール系還元剤(B)、アスコルビン酸および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】 シリコンインゴットのスライス後の洗浄において、シリコンウエハ表面の平坦性を損ねることなく、シリコンウエハ表面の汚れに対し優れた洗浄性を実現するシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量600〜200,000のアニオン性界面活性剤(A)、高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物(B1)およびシリコーン系界面活性剤(B2)からなる群より選ばれる1種以上の浸透剤(B)、並びにアルカリ(C)を必須成分とすることを特徴とするシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を使用する。 (もっと読む)


【課題】 オゾン層を破壊する恐れが無く、塩素を含まないハイドロフルオロエ−テルをベ−スとして、加工や錆止めとして金属部品に使用されているグリ−スや加工油等の脱脂及び半導体製造時のフラックス除去のために好適に使用される洗浄剤のほか、発泡剤、作動媒体、分散剤、電気絶縁剤等の用途を代替することが可能な共沸乃至それに近い挙動(共沸様)を示す新規な組成物を提供すること。
【解決手段】 80〜99.5重量%の1,1,2,2−テトラフルオロエチル−2,2,2−トリフルオロエチルエ−テル、及び20〜0.5重量%の2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロパノールからなる共沸様組成物。 (もっと読む)


【課題】 ダストコントロール製品等の繊維製品に対して、優れた洗浄性と再汚染防止性を発揮する繊維用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 一般式(1)で表されるアミノ基含有量が0.40〜3.30mmol/gである非イオン界面活性剤(A)と、カルボキシル基含有量が10〜14mmol/gのカルボキシル基含有オリゴマーの金属塩(B)を必須成分とする繊維用洗浄剤であり、さらに(A)のアミノ基/(B)のカルボキシル基との当量比を40/60〜60/40とする。
【化1】
[式中、Rは炭素数8〜24のアルキル基もしくはアルケニル基;AOとA2Oはそれぞれ独立にオキシエチレン基および/またはオキシプロピレン基を表す。mとnは、m+nが4〜50となる正の数である。] (もっと読む)


【課題】 モリブデン又はモリブデン合金の防食剤を提供する。
【解決手段】 N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンは、モリブデン、モリブデン合金の腐食を抑制する。特に、銅とモリブデンが接触している場合の腐食を抑制できる。エチレンアミン類と併用することで、さらに防食効果は高まる。エチレンアミン類の量がN,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンに対し、重量比で20倍以下であるであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】、界面活性剤によるパターン倒れの防止効果を阻害することなく、CDシフトの発生を抑制する、リソグラフィー用洗浄液及びこの洗浄液を用いたパターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性界面活性剤(A)、アミン化合物(B)、及び水(C)を含有するリソグラフィー用洗浄液。本発明のリソグラフィー用洗浄液においては、アニオン系界面活性剤とアミン化合物とがリソグラフィー用洗浄液中で塩を形成し、アニオン系界面活性剤がレジスト膜に浸透することを抑制できる。このため、本発明のリソグラフィー用洗浄液を用いてレジストパターンの形成方法を行ったとしても、レジスト膜を溶解することがなく、CDシフトの発生を効果的に抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、被研磨基板を、シリカ微粒子を含有する研磨液組成物で研磨した後、水で濯いで得られる被洗浄基板に対して好適に用いられ、洗浄性および耐泡立ち性が優れ、短時間の洗浄でも高度に清浄化されたHD用基板を得ることを可能とするHD用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いた清浄度の高いHD用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のHD用基板用の洗浄剤組成物は、特定のアクリル酸系共重合化合物および/又はその塩(成分(A))と、ポリアミン(成分(B))と、水(成分(C))と、を含有し、実質的に非イオン性界面活性剤を含有せず、前記成分(C)以外の成分の重量の総和における前記成分(B)の含有量は30〜95重量%であり、前記成分(A)と前記成分(B)の重量比{成分(A)/成分(B)}が0.04〜0.8である、Ni−P含有層を有するハードディスク用基板用洗浄剤組成物。 (もっと読む)


N−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まず、回転式粘度計で測定して、50℃で、動的せん断粘度が1〜10mPasである液体組成物であって、該液体組成物の全質量に対して、
(A)溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(B)の存在下に、遠UV吸収発色団を含む、厚さが30nmのポリマー性バリア反射防止層について、50℃で一定の除去速度を示す、40〜99.95質量%の、少なくとも1種の極性有機溶媒、
(B)0.05〜<0.5質量%の、水酸化第4級アンモニウム、及び
(C)<5質量%の水、
を含む液体組成物;その製造方法、電気装置を製造する方法、及びパターン化Through Silicon Viasによる、及び/又はメッキ及びバンピングによる3D Stacked Integrated Circuits及び3D Wafer Level Packingsの製造で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、この液体組成物を使用する方法。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
(A)カルボキシル基を2個以上有する有機酸あるいはその塩と、(B)水溶性(共)重合体(塩)と、(C)有機重合体粒子とを含有し、前記(A)成分の含有量(M)[質量]および前記(C)成分の含有量(M)[質量]は、M/M=5〜20の関係を有し、pHの範囲が5〜7である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 (もっと読む)


【課題】不燃性かつ低毒性等の性質を有し、取り扱いが容易であり、地球温暖化係数が小さく、かつ、温室効果の小さい新規の組成物を提供し、金属やプラスチック部材の洗浄に有効であり、特に、洗浄対象となるプラスチック部材に対する損傷が極めて少ない、洗浄組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】1,1,1,3,3−ペンタフルオロブタンと(Z)−1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペンからなる共沸様組成物を用いた。 (もっと読む)


【課題】安全かつ効果的に、シール剤吐出部品を洗浄する方法を提供すること。
【解決手段】下記(a)、(b)、(c)、(d)及び(e)を含む洗浄剤を用いてシール剤吐出部品を洗浄する工程を含む、シール剤吐出部品の洗浄方法。
(a)アジピン酸ジアルキル 1〜60質量%
(b)グルタル酸ジアルキル 10〜80質量%
(c)コハク酸ジアルキル 5〜40質量%
(d)グリコールエーテル 5〜60質量%
(e)水 1〜20質量% (もっと読む)


101 - 120 / 560