【課題】酸を含まない水を用いて防着板やマスクの洗浄を行える技術を提供する。
【解決手段】Ｌｉイオン二次電池を製造する工程で用いられる、マスクと防着装置等の、電解質膜が厚く形成される真空部品は、真空槽から着脱自在であるように構成されている。これらの部品を洗浄する場合は、電解質膜が付着した真空部品を取り外し、付着した電解質膜に、中性の水(ｐＨ６〜８)を注水、又は散布して、真空部品から電解質膜を剥離させる。モル比Ｑの値が大きくなるに従って残渣率が小さくなる傾向があり、モル比Ｑの値が０．２６以上の値では、試験基板表面に成膜されたＬｉＰＯＮ薄膜の８０％以上が剥離しており、中性の水によってＬｉＰＯＮ薄膜を剥離できた。方法は、モル比Ｑの値が０．２６以上のＬｉＰＯＮ薄膜を剥離するのに効果的である。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】洗浄性、すすぎ性に優れた、物品の洗浄すすぎ方法を提供する。
【解決手段】汚染物質が付着した物品を、芳香族炭化水素を含有する炭化水素系溶剤に接触させる洗浄工程と、含フッ素エーテルに接触させるすすぎ工程を有する物品の洗浄すすぎ方法であって、含フッ素エーテルが式１で表される化合物であることを特徴とする物品の洗浄すすぎ方法。
Ｒ^１−Ｏ−Ｒ^２ ・・・式１
ただし、Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立に含フッ素アルキル基を示す。Ｒ^１およびＲ^２に含まれるフッ素原子の数はそれぞれ１以上であり、かつＲ^１およびＲ^２に含まれる炭素原子の数の合計は４〜８である。 （もっと読む）

【課題】低泡性が求められる自動洗浄等のジェット洗浄において、高せん断においても、高い洗浄性を示す洗浄剤を提供する。
【解決手段】糖中の水酸基と、１分子内に２つ以上のカルボキシル基を有する多塩基酸がエステル結合した化合物であって、前記化合物が１分子内に１つ以上のカルボキシル基を有する化合物からなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】 研磨工程由来の有機残渣除去性能及び金属残渣除去性能が高く、かつ銅配線の腐食抑制性能に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 特定の環状アミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、４級アンモニウム化合物（Ｃ）、アスコルビン酸および水を必須成分とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

基板から汚染金属を除去し、電気性能を向上させる方法が提供される。ポリカチオン金属は、絶縁体または半導体基板の電気的性質に著しく有害であることが知られている。本方法は、基板の電気性能を向上させるために、式(I):


[式中、nは各出現時に独立して0から6の間の整数値であり、Xは各出現時に独立してH、NR₄、Li、NaまたはKであり、またXの少なくとも1つはNR₄であり、Rは各出現時に独立してHまたはC₁〜C₆アルキルである。] の少なくとも1種の化合物の水溶液への基板の曝露を含む。この種の溶液を調製するためのキットは、式(I)の少なくとも1種の化合物の合計1〜20重量パーセントの水性濃縮物を含む。キットはまた、濃縮物を希釈して溶液を形成するための説明書を提供する。
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【解決手段】（Ａ）式（１）


（Ｒ¹，Ｒ²はアルキル基）


（ｍ，ｎは０．５〜２５の正数、ｍ＋ｎは１〜４０）ＨＯ（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）_w（Ｃ₃Ｈ₆Ｏ）_x（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）_yＨ（３）（ｗ、ｘ、ｙは正数）で表される重量平均分子量が１，０００〜７，０００、エチレンオキサイド含有量が１０〜５５重量％、プロピレンオキサイド含有量が４５〜９０重量％のポリオキシ（エチレン・プロピレン）ブロックポリマーを含有のレジスト用洗浄剤。
【効果】レジスト用洗浄剤は、優れた消泡性、濡れ性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの汚染物質をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】物質から汚染物質をクリーニングするために、酸クリーナー、続いて、アルカリクリーナーを用いて半導体ウェハをクリーニングする方法が提供される。酸クリーナーは実質的に全ての金属汚染物質を除去し、一方で、アルカリクリーナーは実質的に全ての非金属汚染物質、例えば、有機物質および粒子状物質を除去する。 （もっと読む）

基材，例えば電子デバイス基材，例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 （もっと読む）

【課題】グリコール類及びアミン類を含む洗浄用組成物を用いた液晶性ポリエステル製造装置の洗浄方法において、洗浄後の洗浄用組成物からの析出物発生を抑制して、該洗浄用組成物の再利用を可能とする洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の液晶性ポリエステル製造装置の洗浄方法は、
洗浄用組成物を準備し、これを液晶性ポリエステル製造装置内で、温度２０５〜２５０℃で蒸発・還流させるように加温する加温・洗浄工程；
蒸発が停止するまで冷却した後、洗浄後の洗浄用組成物を回収し、この洗浄用組成物のグリコール類及びアミン類の含有割合を求める回収・分析工程；
求められた含有割合により、洗浄後の洗浄用組成物にグリコール類及び／又はアミン類を添加し、洗浄用組成物を再生する再生工程；
を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度の光重合系平版印刷版を自動現像機により長期間にわたり現像処理しても、発生した現像かすにより生じた付着物を、簡易にかつ自動現像機内のパーツを損傷することなく除去することのできる自動現像機の現像槽の洗浄液を提供する。
【解決手段】光重合系平版印刷版用自動現像機の現像槽の洗浄液であって、該洗浄液が下記一般式（１）で表される化合物及び一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする洗浄液。


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【課題】良好な洗浄性を有するとともにさび止め性をも兼ね備えた洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】１２０℃における蒸発速度が１０００〜９０００ｇ／ｍ^２ｈである炭化水素系液体成分Ａと、１２０℃における蒸発速度が３００ｇ／ｍ^２ｈ以下である炭化水素系液体成分Ｂとを含み、成分Ａの含有量が９９〜８５重量％及び成分Ｂの含有量が１〜１５重量％であり、好ましくは、成分Ａの１２０℃における蒸発速度に対する成分Ｂの１２０℃における蒸発速度の比が０．３０以下である洗浄剤組成物、および該洗浄剤組成物を用いて金属部品を洗浄する洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】環境安全問題に配慮しつつ、洗浄性に優れた洗浄剤組成物を提供するための洗浄剤組成物用原液、それを用いてなる洗浄剤組成物および洗浄方法をそれぞれ提供する。
【解決手段】所定量の水を後添加した状態で、白濁状態にて、被洗浄物を洗浄するための洗浄剤組成物用原液等であって、第１の有機溶剤として、ＳＰ値が６．５〜１２の炭化水素化合物または芳香族化合物と、第２の有機溶剤として、ＳＰ値が８〜１５の含窒素化合物または含イオウ化合物と、と、第３の有機溶剤として、ＳＰ値が８〜１２のエステル化合物とをそれぞれ所定量含む。 （もっと読む）

本発明は、ストリッピング組成物と、注入フォトレジストを洗浄する方法でのそのようなストリッピング／洗浄組成物の使用とに関し、この組成物は、シリコン、チタン、窒化チタン、タンタル、およびタングステンに適合可能なものである。半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための組成物であって、６５℃を超える引火点を有する少なくとも１種の溶媒、ニトロニウムイオンを提供する少なくとも１種の成分、および少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物を有する組成物と、半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための、そのような組成物の使用が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１質量％以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】複数成分からなる洗浄液を効率よく再生することができ、しかも簡易かつ小型の洗浄液再生装置およびこれを用いてなる循環洗浄装置を提供する。
【解決手段】使用済洗浄液３０を減圧状態で加熱蒸発させることによって、洗浄液蒸気を生成するとともに、当該洗浄液蒸気を凝縮して、再生洗浄液１５とするための生成部１３と、再生洗浄液１５を連続的に回収するための回収部１３と、を備えた洗浄液再生装置１０等であって、生成部１３は、加熱するための蒸発部３１と、洗浄液蒸気を凝縮して、再生洗浄液１５とするための冷却部４１と、蒸発部および冷却部をつなぐ連結部と、を備えており、連結部の開口面積をＡ（ｍｍ²）とし、蒸発部を加熱するためのヒータ容量をＢ（ｋＷ）としたときに、下式で定義される洗浄液蒸気の移動係数Ｃを１００〜３０,０００ｍｍ²／ｋＷの範囲内の値とする。洗浄液蒸気の移動係数（Ｃ）＝開口面積（Ａ）／ヒータ容量（Ｂ） （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、含窒素化合物溶媒を含む有機溶媒とが混合されて含まれるものであり、該撥水性化合物は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されて含まれ、さらに、該含窒素化合物溶媒は、窒素に結合する元素が炭素であるものとすること。 （もっと読む）

開示されているのは、式ＣＦ₃（ＣＦ₂）_xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ₂）_yＣＦ₃（式中、Ｒは、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅またはこれらの混合物であり、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝１、２または３である）を有する化合物を含む組成物である。同じく開示されているのは、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_xＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ₂）_yＣＦ₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_xＣ（ＯＲ）＝ＣＦＣＦ₂（ＣＦ₂）_yＣＦ₃、ＣＦ₃ＣＦ＝ＣＦＣＦ（ＯＲ）（ＣＦ₂）_x（ＣＦ₂）_yＣＦ₃、ＣＦ₃（ＣＦ₂）_xＣＦ＝Ｃ（ＯＲ）ＣＦ₂（ＣＦ₂）_yＣＦ₃およびこれらの混合物（式中、Ｒは、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅またはこれらの混合物のいずれかとすることができ、ｘおよびｙは、独立に、０、１、２または３であり、ｘ＋ｙ＝０、１、２または３である）からなる群から選択される不飽和フルオロエーテルである。同じく本明細書に開示されているのは、新規な溶剤、キャリア流体、脱水剤、脱脂溶剤またはフラックス除去溶剤として少なくとも１つの上述した化合物を含む組成物を用いる新規な方法である。 （もっと読む）

クロロトリフルオロプロペン、特に１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン（ＨＣＦＯ−１２３３ｚｄ）と、イソ−ペンタン、ｎ−ペンタン、シクロ−ペンタンおよびこれらの混合物とを含む共沸組成物または共沸様組成物と、その使用。 （もっと読む）