【課題】室温でもポリイミドを良好に除去することができ、アルミニウム及びアルミニウム合金配線の腐食防止効果にも優れるだけでなく、長期間使っても析出の問題がないポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（Ａ）０．１〜１０重量％の下記化学式１で示される第４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）５０〜９０重量％のグリコールエーテル系化合物、（Ｃ）７〜３０重量％のグリセリン、及び（Ｄ）残量の水を含むポリイミド除去用洗浄剤組成物を提供する。
［化学式１］
［Ｎ−（Ｒ）_４］^＋・ＯＨ⁻
前記式で、Ｒは炭素数が１〜５のアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】セリア、シリカ微粒子を容易に洗浄除去できる洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】一般式(I)及び(II)
【化１】


（式中、R^１は炭素数６〜１６のアルキル基であり、R^２、R^３は同一又は異なって炭素数１〜４のアルキル基もしくは、炭素数1〜４のヒドロキシアルキル基である。R^４は炭素数１〜６のアルキル基、R^５はエチレン基またはプロピレン基、nは１〜３の整数である。）で表される化合物群から選択される少なくとも１種の化合物、有機酸および水を含む洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】 金属部品類の加工用油の基油組成を加工後における洗浄剤の組成と近づけることにより、良好な加工性及び洗浄性を維持しながら洗浄後の洗浄剤の蒸留回収率を高める。
【解決手段】 本発明に係る金属部品類の加工用油は、炭素数１０〜１３の飽和炭化水素成分を少なくとも９０容量％以上含有してなる金属部品類の洗浄用油を基油として、該基油に、添加剤として極圧剤、油性剤、粘度指数向上剤、酸化防止剤、流動点降下剤、さび止め剤のうち、少なくとも１種を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）糖、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、並びに、（成分ｅ）有機酸、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする半導体基板洗浄用の洗浄組成物。前記洗浄組成物を用いた洗浄方法、及び、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】湿潤および浸透効果に優れるため、配向膜基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れた洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄液組成物は、アルカリ化合物を含まない洗浄液組成物であって、組成物の総重量に対して、Ｃ１〜Ｃ５の低級アルコール０．１重量％〜１５重量％、水溶性グリコールエーテル化合物０．１重量％〜１５重量％、有機リン酸０．０１重量％〜１０重量％、アゾール系化合物０．００１重量％〜１０重量％、および残量の水を含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の乾燥時に結露が発生しにくく、またブレーキダストが付着したホイール内側等を洗浄する場合においても洗浄性に優れ、さらにホイール表面等の塗膜に対する侵食性が低い洗浄剤組成物及びそれを用いたエアゾール組成物を提供することである。
【解決手段】特定のアミド化合物と、アルコールとを含有してなる洗浄剤組成物である。 （もっと読む）

【課題】接合されるべき表面を効率的に調製し、そして目に見える残留物を増加させることなく、ＰＣＢ表面と、部品のリード線／端子と、溶融ろうとの間の表面張力を減少させることにより、ろう球およびろうブリッジの数を減少させる、ろう接用フラックス組成物の提供。
【解決手段】ろう接用フラックスは、溶媒、この溶媒中の活性剤、およびカチオン性界面活性剤および非イオン性界面活性剤を含む。このろう接用フラックスは、基板（例えば、プリント回路基盤上に、ろうが塗布される前に適用され得る。減少したミクロろう球、少ない残留物、少ない固形物、および未洗浄性能（ｎｏ−ｃｌｅａｎ ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）を提供するフラックスが本明細書中に記載される。１つの実施形態において、溶媒はアルコール（例えば、イソプロピルアルコール）である。カチオン性界面活性剤は、４級アンモニウムフルオロアルキル界面活性剤であり得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）アミン化合物、（成分ｃ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、（成分ｅ）有機酸、並びに、（成分ｆ）水溶性有機溶剤、を含み、ｐＨが６〜９であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 オキシカルボン酸（Ａ）とｐＨ６．０における三価の鉄イオンに対するキレート安定度定数の対数値が７．０以上であって該オキシカルボン酸以外のキレート剤（Ｂ）およびアルカノールアミン（Ｃ）を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】液晶汚れに対する洗浄力が高く、かつ、均一な液状組成物である液晶除去用洗浄剤組成物、及び液晶パネルの洗浄方法の提供。
【解決手段】式（１）で表される芳香族化合物と、水と、式（２）［Ｒ^３はアルキル基、アルケニル基、フェニル基又はベンジル基。ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｑはＡＯの平均繰返し数を示す１〜５０の数。］で表される化合物、炭素数７〜２２のアルキル基又はアルケニル基を有するノニオン界面活性剤及び炭素数１〜３の1価アルコールから選択される少なくとも一種と、アミン化合物、アミンオキサイド及び第四級アンモニウム化合物から選択される少なくとも一種とを含有する洗浄剤組成物。
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【課題】同じ洗浄液を長時間使い続けても液晶パネルに不具合を生じることなく、かつ、液晶汚れに対する洗浄力に優れた液晶除去用洗浄剤組成物及び液晶パネルの洗浄方法を提供する。
【解決手段】式（１）［Ｒ^１はＯＣＨ_３又はＣＨ_２ＯＣＨ_３、Ｒ^２はＣＨ_３、ＯＣＨ_３又はＣＨ_２ＯＣＨ_３を示す。］で表される芳香族化合物と、水と、式（２）で表される化合物及び炭素数７〜２２のアルキル基又はアルケニル基を有するＨＬＢが１１以上のアルキレンオキサイド付加型ノニオン界面活性剤からなる群から選択される少なくとも一種と、特定の化学構造を有する窒素誘導体化合物１質量％以上とを含有する液晶除去用洗浄剤組成物。
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【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】５７〜９５重量％の（成分ａ）水、１〜４０重量％の（成分ｂ）第２級水酸基及び／又は第３級水酸基を有するヒドロキシ化合物、（成分ｃ）有機酸、並びに、（成分ｄ）第４級アンモニウム化合物、を含有し、ｐＨが５〜１０であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性化合物、（成分ｄ）有機酸、並びに、０．１重量％以上、０．５重量％未満の（成分ｅ）無機酸及び／又はその塩、を含み、ｐＨが６〜８であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ＨＣＦＣの代替化合物を用いた処理液のアルコール濃度を一定に維持でき、水が付着した物品の水切り乾燥を安定して実施できる水切り乾燥方法、および水切り乾燥システムの提供を目的とする。
【解決手段】水が付着した物品と、特定の含フッ素エーテルを主成分とし、アルコール類を含む処理液４１とを接触させて物品から水を分離し、該物品を乾燥させる水切り乾燥工程と、処理液４１をエーテル層（ａ１）と水層（ｂ１）に二層分離する工程と、エーテル層（ａ１）に、前記アルコール類を含むアルコール濃度４０〜６０質量％のアルコール水溶液（ｃ）を接触させて、アルコール濃度を調整したエーテル層（ａ２）を得る工程と、前記エーテル層（ａ２）を処理液４１として供給する工程と、を有する水切り乾燥方法。また、該水切り乾燥方法を実施できる水切り乾燥システム。 （もっと読む）

【課題】室温で実質的に固体である非イオン界面活性剤および脂肪酸を溶媒和して、室温で安定な均質液体を提供する。
【解決手段】a)非イオン界面活性剤、Ｃ₈〜Ｃ₁₄脂肪酸およびそれらの組合せからなる群より選択される室温で固体である溶質；b)少なくとも１種のアルコキシル化脂肪族アルカノールアミド；およびc)任意的に水を含む、液体かつ易流動性の組成物であって、前記アルコキシル化脂肪族アルカノールアミドが溶媒として作用して固体溶質を溶媒和し、室温で液体かつ易流動性である均質組成物を形成する組成物。 （もっと読む）

【課題】ポストアッシュ及び／又はポストエッチフォトレジストに限定されないが、これらのような残渣を基材から除去するための水系組成物、及びそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】ある態様における、残渣を除去するための組成物は、（ａ）水、（ｂ）ヒドロキシルアミン、ヒドロキシルアミン塩化合物及びこれらの混合物から選択される少なくとも１種のもの、並びに（ｃ）水溶性有機酸を含まないという条件付の腐食防止剤を含み、添加された有機溶剤を実質的に含まない。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 カルボキシル基を分子内に有するキレート剤（Ａ１）、ホスホン基もしくはリン酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ２）および脂肪族アルカノールアミン（Ｂ）を必須成分とすることを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い洗浄性と高い保存安定性とが両立された硬質表面用アルカリ洗浄剤組成物、及びそれを用いて行うガラス表面の洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルカリ剤（成分Ａ）と、非イオン性界面活性剤（成分Ｂ）と、キレート剤（成分Ｃ）と、水（成分Ｄ）と、一般式（１）および一般式（２）から選ばれる少なくとも１種のカルボン酸化合物(成分Ｅ)と、一般式（３）で示される化合物およびその塩から選ばれる少なくとも１種のアニオン性界面活性剤(成分Ｆ)とを含有してなり、含有量比〔成分Ｅ（重量％）／成分Ｂ（重量％）〕が１／１．５〜１５／１であり、含有量比〔成分Ｆ（重量％）／成分Ｂ（重量％）〕が１０／１〜１／５であり、２５℃でのｐＨが１２以上である、硬質表面用アルカリ洗浄剤組成物。 （もっと読む）