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Fターム[4H003DA15]の内容

洗浄性組成物 (67,184) | 洗浄剤の使用対象・使用方法 (7,895) | 電気関係(ハンダフラックス、レコード、テープ) (560)

Fターム[4H003DA15]に分類される特許

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【課題】 砥粒や研磨屑に対するリンス性が非常に高い電子材料用リンス液を提供することを目的とする。
【解決手段】 還元剤および水を必須成分として含有するリンス液を用いる。 (もっと読む)


【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】1種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。1種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 (もっと読む)


【課題】 砥粒や研磨屑に対する洗浄性が非常に高い磁気ディスク基板用洗浄剤、および磁気ディスク基板の洗浄方法を提供することを目的とすることを目的とする。
【解決手段】 分子内に1個以上のアミノ基および1個以上のスルホン酸基を有する化合物(A)またはその塩、ならびに水を必須成分として含有することを特徴とする磁気ディスク基板用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板を酸性研磨液で研磨した後にアルカリ洗浄する工程を有するガラスハードディスク基板の製造方法であって、研磨工程において研磨速度を維持したまま、アルカリ洗浄工程におけるガラス基板の表面粗さの悪化を抑制し、さらに清浄性を向上できるガラスハードディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】以下の工程(1)及び(2)を含むガラスハードディスク基板の製造方法。
(1)分子内に窒素原子を2〜10個有する多価アミン化合物を含有するpH1.0〜4.2の研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。
(2)工程(1)で得られた基板を、pH8.0〜13.0の洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程。 (もっと読む)


【課題】アルカリ液中において腐食感受性である金属の洗浄に対して、特に、アルミニウムもしくはその合金のような軟質金属、または亜鉛めっき鋼のようなガルバナイズドスチールの洗浄に対して好適で、また追加の機械的処理を必要とせずに到達することが困難な内側の表面の洗浄を可能にするアルカリ洗浄組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ液中において腐食感受性である表面を洗浄するための組成物であって少なくとも1種のアルカリ源、元素周期表の第2または第3の主族の元素から選択される少なくとも1種のカチオンを含む少なくとも1種の無機塩を含み、これにより組成物がいずれのトリアゾールおよび/またはいずれのアルカリ金属ホウ酸塩も含まない組成物、該組成物を含む水性濃厚物、該組成物または該水性濃厚物を含む使用溶液、ならびに、上記の水性濃厚物または任意の上記の使用溶液を用いて、アルカリ液中において腐食感受性である表面を洗浄する方法である。 (もっと読む)


【課題】バインダー樹脂等の樹脂添加物の溶解性が高く、吸湿性が低い、電子部品パターン形成用溶剤組成物として好適なジプロピレングリコールジアルキルエーテルを提供する。
【解決手段】本発明のジプロピレングリコールジアルキルエーテルは、その2つの末端アルキル基の一方がメチル基であり、もう一方が炭素数5〜10の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であることを特徴とする。前記ジプロピレングリコールジアルキルエーテルは電子部品パターン形成用溶剤組成物、特に、カラーフィルタパターン印刷用溶剤組成物として使用することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分(A)〜(D)を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
(A)有機酸
(B)スルホン酸型アニオン性界面活性剤
(C)ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも1種の高分子凝集剤
(D)水 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも発泡剤と発泡助剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記発泡剤が炭酸アルキレンと炭酸塩とを含有し、前記発泡助剤が酸性化合物を含有し、さらに酸化剤を組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第1剤と第2剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第1剤がアミン化合物を含有し、前記第2剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の表面を清浄するために使用される、洗浄剤組成物に関し、より具体的には、フラットパネル・ディスプレイの分野に適用される、高濃度の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)0.1〜20重量部の量のアルカリ金属ヒドロキシル化合物;(B)0.1〜30重量部の量の、以下の式(I)で表される非イオン性界面活性剤:


式中、R1は水素またはメチルであり;R2は水素またはメチルであり;nは0〜10の整数であり;および、mは4〜20の整数である;(C)0.1〜10重量部の量のアニオン性界面活性剤;(D)0.1〜20重量部の量のキレート剤;(E)0.1〜20重量部の量の添加剤;および(F)洗浄剤組成物100重量部に対する、残部の量の水を含む、洗浄剤組成物が開示される。 (もっと読む)


【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 (もっと読む)


【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分(A)、下記一般式(1)で表わされるポリオキシアルキレン化合物(B)および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
HO−(EO)m−(PO)n−(EO)m−H (1)
[式(1)中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基;mはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜250の数、nはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜100の数である。式(1)中の(EO)mと(PO)nと(EO)mは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。] (もっと読む)


【課題】SPM洗浄剤に匹敵する洗浄力を発揮し、かつ、SPM洗浄剤による半導体基板の損傷を大幅に改善し、半導体基板表面に付着した不純物、特にイオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離除去しうる半導体基板用洗浄剤、これを利用した洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸と、過酸化水素と、炭酸アルキレンとを組み合わせて用いることを特徴とする半導体基板用洗浄剤、並びに、硫酸と過酸化水素と炭酸アルキレンとを組み合わせて、半導体基板に適用して洗浄する半導体基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 (もっと読む)


【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が25℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が25℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、20℃での蒸気圧が17mmHg以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 (もっと読む)


【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素芳香族環状化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された、半導体用基板用の洗浄組成物。 (もっと読む)


【課題】 パターン形成性に優れたインプリントを行うためのメンテナンス液を開示する。
【解決手段】エステルおよび/またはエーテル官能基を有する化合物を含有するインプリントを行うためのインクジェット装置のメンテナンス液。 (もっと読む)


【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 (もっと読む)


【課題】基板表面に砥粒の残留がなく凹み欠陥も存在しないハードディスク基板を製造するためのリンス剤、及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法を得ること。
【解決手段】本発明のリンス剤は、砥粒としてコロイダルシリカを含有するリンス液であり、コロイダルシリカ砥粒の濃度をC、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をRとしたときに(C、Rはそれぞれ重量%、nmで表される)、コロイダルシリカ砥粒の濃度Cと平均粒径Rの関係が下記の式(1)を満足する構成を有している。
R≧2.2C+18.2・・・・・(1) (もっと読む)


【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン(A)、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


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