有機シラン化合物とジハロ有機化合物の間の閉環反応を促進する溶媒を使用した、環式有機シランを調製する方法が開示されている。該閉環反応は、４、５又は６員の環式有機シランを生成し得る。該方法は、ジハロ有機化合物、少なくとも２つの官能基を有する有機シラン、溶媒及びマグネシウム（Ｍｇ）を含有する混合物を必要とする。有機シラン中の２つの官能基は、ハロゲン、アルコキシ又はこれらの組合せを含み得る。Ｍｇの存在下、該混合物中では、ジハロ有機化合物からグリニャール中間体が生成される。該溶媒は、グリニャール中間体の分子内又は自己カップリング反応に有利に作用する。分子内又は自己カップリング反応は、グリニャール中間体の閉環反応を促進し、環式有機シランを生成する。 （もっと読む）

有機ケイ素官能性相間移動触媒（PTC）及び、有機ケイ素官能性（PTC）を使用するケイ素官能性相への非混和性分子の移動方法が提供される。
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【課題】不変の転化率を可能とする改善された連続的なシランの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の対象は、一般式（Ｉ）Ｒ⁶Ｒ⁵ＣＨ−Ｒ⁴ＣＨ−ＳｉＲ¹Ｒ²Ｒ³のシランの連続的な製造にあたり、一般式（ＩＩ）ＨＳｉＲ¹Ｒ²Ｒ³のシランと、一般式（ＩＩＩ）Ｒ⁶Ｒ⁵ＣＨ＝ＣＨＲ⁴のアルケン［上記式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒは、明細書中の意味を有する］とを、少なくとも１種の均一系の貴金属触媒の存在下で反応させる連続的な製造方法において、該反応を、反応蒸留塔中で実施する。 （もっと読む）

【課題】シラン化合物、それを採用した有機電解液及びリチウム電池の提供。
【解決手段】下記式で表示されるシラン化合物である。


電池の充放電時に発生する陰極活物質の亀裂を抑制して優秀な充放電特性を表し、電池の安定性、信頼性及び充放電効率を向上が認められる。 （もっと読む）

本発明は、α，β−不飽和のフッ素置換されたオレフィンＡをＨＳｉ−化合物Ｂと触媒Ｃ及び場合により更なる補助物質の存在下に反応させる反応の連続的な工業的な実施のための設備、反応器及び方法であって、該設備が、成分Ａ（１）及びＢ（２）用の出発物質合流部（３）と、交換可能な予備反応器の形の少なくとも２つの反応器ユニット（５．１）及び該予備反応器システムに後接続された少なくとも１つの更なる反応器ユニット（５．３）を含む少なくとも１つのマルチエレメント反応器（５）と、生成物後処理部（８）とを基礎とする形式のものに関する。
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本発明は、O−デスメチルベンラファキシン、及びO−デスメチルベンラファキシンの調製において中間体として使用され得る中間体シクロヘキシルベンジルシアン化物及びトリデスメチルベンラファキシンの調製方法を記載する。 （もっと読む）

ヒドロシリル化によりシランを製造する方法において、ヒドロシリル化反応の触媒として、反応の間、イオン性液体中に溶解して存在している遷移金属錯化合物を使用することを特徴とする、ヒドロシリル化によりシランを製造する方法。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）もしくは式（２）（Ｘはハロゲン原子）で示されるハロゲン化シロキサン化合物を、式（３）で示されるシアン酸塩と反応させ、ハロゲン部分をイソシアン基と置換させるイソシアネート基含有シロキサン化合物の製造方法。






【効果】安価な出発原料であるハロゲン化シロキサン化合物とシアン酸塩を用いて、安価にイソシアネート基含有シロキサン化合物を製造でき、工業的利益が発揮される。 （もっと読む）

【課題】薄膜にハフニウムを供給するプレカーサにおいて、ＣＶＤ原料として合致する性質を付与された薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるハフニウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料及び下記一般式（I）において、Ｒ¹がメチル基であり、Ｒ²がメチル基、エチル基及びイソプロピル基から選ばれる基であり、ｎが１である新規ハフニウム化合物。


（式中、Ｒ¹は、同一でも異なってもよい炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ²は、同一でも異なってもよい炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｎは、１〜５の数を表す。） （もっと読む）

【目的】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能なスピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体、スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体の製造方法、並びに、スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体を用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスピロビ（ヘテロフルオレン）を提供する。
【化１】


（ここで、Ψはケイ素原子、ゲルマニウム原子、又はスズ原子を示し、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数５〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数２〜２０のアルキニル基、又は炭素数２〜３０のアルケニル基を示す。但し、置換基群（Ｒ^１とＲ^２）及び置換基群（Ｒ^３とＲ^４）のうち少なくとも１つの群における置換基は互いに結合し環を形成する。置換基Ｒ^５〜Ｒ^８は同一又は異なって、水素原子又はフッ素原子を示す。） （もっと読む）

フッ化（フルオロスルホニル）ジフルオロアセチルをシロキサンと接触させることによる（フルオロスルホニル）ジフルオロ酢酸トリアルキルシリルの製造方法。（フルオロスルホニル）ジフルオロ酢酸トリアルキルシリル中の（フルオロスルホニル）ジフルオロ酢酸副生物の量は、前記混合物をトリアルキルシリルハライドと接触させることによって低減される。 （もっと読む）

本発明は分子内ビス（フェニルカルバゾール）基を有するシリコン系化合物及びこれを利用した有機発光素子の有機薄膜層形成方法に関するものであって、特に本発明の化合物は、青色発光特性及びホール伝達特性に優れ、同時に青色発光材料として使用したり赤色、緑色、青色、白色などのような多様な燐光または蛍光ドーパントに対してホストとして使用できるだけでなく、電気化学的蒸着方法を通して有機発光素子への適用が可能であり、高効率発光が可能で、低電圧、高輝度、長寿命の特性を付与することができる分子内ビス（フェニルカルバゾール）基を有するシリコン系化合物及びこれを利用した有機発光素子の有機薄膜層形成方法に関するものである。
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【課題】 容易な操作で高収率で２−メチルグリシジル誘導体を得る方法を提供する。
【解決手段】３−ハロゲノ−２−メチル−1，2−プロパンジオール（１）を有機溶媒中、3級塩基の存在下、1級水酸基に選択的に保護基を導入する保護基導入化合物と反応させ、で表される1級水酸基が保護基で保護された化合物（２）（式中Ａは保護基）を得、続いて同化合物（２）に塩基を作用させ、ハロヒドリンを分子内環化して2−メチルグリシジル誘導体（３）を製造する。
【化１】


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【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルケニル基含有有機シラン化合物から成るＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される有機シラン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を用い、化学気相成長法、特にプラズマ励起化学気相成長法によりＳｉ含有膜を形成させ、絶縁膜として使用する。
【化１】


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法にて、シリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物を得る、工業的に好適なシリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物の製造法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルカリ金属アルコキシドの存在下、カルボン酸エステルとを反応させた後、次いで、トリアルキルシリルハライドを反応させることを特徴とする、シリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物の製造法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】屈折率およびアッベ数の高い光学材料の原料として有用な有機ゲルマニウム化合物、およびそれを効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される有機ゲルマニウム化合物、およびエチレンジチオレートナトリウムとテトラハロゲノゲルマニウムとを反応させることにより、この有機ゲルマニウム化合物を製造する方法である。
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一般式（１）：Ｓｉ₂（ＮＭｅ₂）₅Ｙであって、ＹがＨ、Ｃｌ又はアミノ基からなる群より選択される式を有したペンタキス（ジメチルアミノ）ジシラン、その製造方法及びＳｉＮ又はＳｉＯＮからなるゲート誘電体膜又はエッチストップ誘電体膜を製造するためのその使用。 （もっと読む）

【課題】遷移金属を有機高分子に固定し、高活性且つ回収・再使用が容易な高分子固定化遷移金属触媒を提供する。
【解決手段】高分子担体としてポリシラン化合物又はポリシラン化合物及び無機化合物を用い、マイクロカプセル化法と配位子交換、又は還元操作を組み合わせることにより様々な遷移金属がポリシラン又はポリシラン化合物及び無機化合物に担持された。遷移金属を担持したポリシランは加熱、マイクロウェーブ照射、紫外線照射、又はヒドロシリル化反応などの化学的手法で容易に架橋でき、触媒活性を保持したまま種々の溶剤に対して不溶性となる。さらに、このポリシラン担持遷移金属触媒は無機化合物に担持することで安定性や操作性が向上する。これらのポリシラン担持遷移金属触媒は水素化反応、ヒドロシリル化反応、Heck反応や鈴木−宮浦カップリング反応などに対して高活性を示し、回収再使用が容易で金属の漏出が極めて少ない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率的な発光が行なえるＯ−Ｓｉ−Ｓｉ−Ｏ結合を基本骨格とするジシランネットワーク構造物を合成する為に必要なジシラン化合物を得ることを目的とする。
【解決手段】 一般式


で表される構造を有するジシラン化合物を含有する。 （もっと読む）

【課題】オレフィン重合用触媒成分として用いてオレフィンを重合することにより、高分子量のオレフィン重合体を得ることができる遷移金属錯体、該遷移金属錯体からなるオレフィン重合用触媒成分、該遷移金属錯体をオレフィン重合用触媒成分とするオレフィン重合用触媒、該オレフィン重合用触媒の存在下オレフィンを重合するオレフィン重合体の製造方法等を提供すること。
【解決手段】一般式［１］で表される遷移金属錯体。


（Ｍ：第４族の遷移金属原子／Ａ：第１６族の原子／Ｊ：第１４族の原子／Ｒ¹〜Ｒ⁶，Ｘ¹，Ｘ²：アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基、２置換アミノ基等から選ばれる置換基；ハロゲン原子；水素原子／Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰：アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換シリル基、２置換アミノ基等から選ばれる置換基；ハロゲン原子；水素原子（但し、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰のうち少なくとも２つは、置換基またはハロゲン原子）） （もっと読む）