【課題】非常に高い安定性を有し、且つ、高度に配列制御されたシロキサン系分子膜、該シロキサン系分子膜の製造方法及び該分子膜を用いた有機デバイスを提供すること。
【解決手段】一般式；Ｓｉ（Ａ^１）（Ａ^２）（Ａ^３）−Ｂ−Ｓｉ（Ａ^４）（Ａ^５）（Ａ^６）（Ａ^１〜Ａ^６は水素原子、ハロゲン原子、アルコキシ基またはアルキル基であり、脱離反応性についてＡ^１〜Ａ^３＞Ａ^４〜Ａ^６の関係を満たす；Ｂは２価の有機基である）の有機化合物を用いて形成されてなり、膜表面にシロキサンネットワークを有することを特徴とするシロキサン系分子膜および該分子膜を有する有機デバイス。上記有機化合物のＡ^１〜Ａ^３を有するシリル基と基板表面とを反応させ、単一単分子膜を形成する工程、未反応の有機化合物を非水系溶媒を用いて洗浄除去する工程、および単分子膜の膜表面側に存在する未反応のシリル基でシロキサンネットワークを形成させる工程により単分子膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】特殊な装置を必要とせず、工業的に実施可能であり、しかも光学活性を有するα−トリフルオロメチルケトン化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】前駆体となるチタンアートエノラート化合物を、ラジカル開始剤の存在下にヨウ化トリフルオロメタンと反応させ、一般式（４）


（式中、R1〜R3は、互いに非同一であり、水素原子、置換基ないし未置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換ないし未置換の炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基または炭素数１〜２０のトリアルキルシロキシ基を表す。R4とR5は、互いに非同一であり、置換ないし未置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換ないし未置換の炭素数６〜２０のアリール基を表す。＊を記した炭素は不斉炭素を表す。）で表される光学活性なα−トリフルオロメチルケトン化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を精製する方法の提供。
【解決手段】有機金属化合物をトリアルキルアルミニウム化合物および触媒の存在下で加熱することにより有機金属化合物を精製する方法。 （もっと読む）

【課題】 感光性樹脂組成物の感光剤成分として有用である新規なシルセスキオキサン骨格を有するキノンジアジドスルホン酸エステル誘導体を提供し、またその前駆体のフェノール誘導体を該組成物における添加物として提供する。
【解決手段】 ４〜１２個のケイ素と、それぞれのケイ素に結合している酸素及び一価のＲとによって構成される基本構造を含み、端部に前記酸素を有していてもよく、端部の前記酸素にはＲが結合していてもよいし、また端部の二つの前記酸素に、二つのＲが結合している一つのケイ素が結合していてもよいシルセスキオキサン誘導体のＲの少なくとも一つに、特定のキノンジアジドスルホン酸系の基か又は水酸基を含有する特定の基を導入して、ポジ型感光性組成物における感光性化合物又は添加用化合物とする。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

本発明は、シリコン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムに関する。より詳しくは、正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムの液晶材料、これを含む液晶組成物及びこれにより製作された補償フィルムに関する。
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【課題】有機電界発光素子の材料などとして有用なシリル置換基を有する新規カルバゾール誘導体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物。


Ｒ¹〜Ｒ⁶は、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、アリール基、-SiR^aR^bR^cから独立して選ばれる基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁶のうち少なくとも１個は-SiR^aR^bR^cで表される基である。R^a、R^b、R^cは水素、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、アリール基から独立して選ばれる基である。Ｒ⁷は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基から選ばれる基である。 （もっと読む）

【課題】酸素ガス雰囲気下で粗生成物を処理することにより、粗生成物中に含まれる副生成物を低減でき、ＭＯＣＶＤ法で原料として使用したときに、高い成長速度が得られ、優れた気化安定性及び長期成膜安定性を有し、成膜室への汚染を抑えることができ、形成する膜の段差被覆性に優れた、純度の高い有機金属化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機金属化合物の製造方法は、金属含有物と配位子前駆体とを有機溶媒の存在下で反応させて有機金属化合物、副生成物及び残渣分を含む粗生成物を得る工程と、得られた粗生成物から残渣分及び有機溶媒を除去して濃縮する工程と、濃縮物を酸素ガス雰囲気下、１３０〜１５０℃で処理する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規なフルオロアルキル基含有シリル化合物と、防汚性、耐擦傷性、透明性、及び耐久性に優れた硬化被膜となる硬化性組成物に好適な変性無機微粒子、その硬化被膜を有する積層物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるフルオロアルキル基含有シリル化合物Ａ；そのシリル化合物Ａと他のシリル化合物Ｂを用いて無機微粒子Ｃを変性した変性無機微粒子Ｄ；その変性無機微粒子Ｄを含む硬化性組成物；その硬化性組成物の硬化被膜を有する積層物。
化１
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【課題】 化合物に必要な一般的物性、熱、光などの対する安定性、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、ネマチック相の広い温度範囲、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物であり、特にネマチック相の広い温度範囲を有する液晶性化合物を提供する。
【解決手段】 式（１）で表される化合物。


ＲａおよびＲｂは例えば炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜９のアルコキシであり；環Ａ^１は例えば１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１は例えば単結合または−（ＣＨ_２）_２−であり；Ｙ^１が例えばフッ素または−ＣＦ_３であり、ｍは例えば１または２である。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、特性が良好であり、酸素に対して安定で経時劣化が抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を含有する有機半導体材料。


（Ｙ₁、Ｙ₂はシクロアルキル環、シクロアルケニル環、複素環。Ｚは芳香族環。） （もっと読む）

【解決手段】 式（１）又は（２）で示される環状カーボネート変性有機ケイ素化合物。
【化１】


［Ｒ¹は水酸基、及びハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜３０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、アミノ置換アルキル基、カルボキシル置換アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基から選択される同一もしくは異種の一価の基であり、Ａは下記式（３）
【化２】


（Ｑはエーテル結合又はエステル結合を含有してもよい炭素数３〜２０の二価有機基である。）
で示される環状カーボネート基である。ｘは１〜４の整数、ａ、ｂは１．０≦ａ≦２．５、０．００１≦ｂ≦１．５の正数、ａ＋ｂは１．００１≦ａ＋ｂ≦３である。］
【効果】 本発明の式（１）又は（２）の環状カーボネート基を有する有機基で変性したシラン又はシロキサンを含む非水電解液を使用した電池は、優れた温度特性及び高出力特性を有する。 （もっと読む）

【解決手段】下記式（１）で示される環状カーボネート変性シロキサン。Ｒ¹_aＡ_bＳｉＯ_(4-a-b)/2（１）（式中、Ｒ¹は水酸基、及びハロゲン原子に置換されていてもよい炭素数１〜３０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、アミノ置換アルキル基、カルボキシル置換アルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基から選択される同一もしくは異種の一価の基であって、Ａは下記一般式（２）で示される環状カーボネート基。ａ、ｂは、それぞれ１．０≦ａ≦２．５、０．００１≦ｂ≦１．５の正数、ａ＋ｂは、１．００１≦ａ＋ｂ≦３。）


【効果】環状カーボネート変性シロキサンを含有する非水電解液を使用した電池は優れた温度特性及びサイクル特性を有する。 （もっと読む）

【課題】高純度ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及びニオブアルコキサイド（アルコレート）Ｍ（ＯＲ）_Ｘの新規な製造方法、新規なタンタル及びニオブ化合物、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）不純物として少なくとも０．０５重量％の単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを含む、ハロゲン含有量＞２００ｐｐｍの粗アルコキサイド生成物Ｍ（ＯＲ）_Ｘを、（ｂ）粗アルコキサイドの合計を基準に、多くとも３０重量％のＲＯＨ［ＲはＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基］と混合し、（ｃ）その後又は同時に、単核又は多核ハロゲン含有金属アルコキサイドを基準として過剰のアンモニアを配量する方法である。 （もっと読む）

一方では半導体素子の誘電体層を不動態化するため、そして、他方では、その後の処理工程において該誘電体層上での液相金属堆積を可能にするか、少なくとも促進するための不動態化カップリング物質である。特定の例においては、該誘電体層は望ましく低減された誘電率ｋを有する多孔質物質でもよく、不動態化カップリング物質は、多孔質誘電体層中への周囲湿気の吸着及び吸収を実質的に阻止する立体遮蔽基を提供する。また、不動態化カップリング物質は、該不動態化カップリング物質の不在での金属堆積と比べて、液相中における誘電体層上への金属の堆積を促進するために、金属核生成部位を提供する。液相金属堆積法の使用は、その後の半導体素子の製造を容易にする。一の例においては、不動態化カップリング物質は、その化学組成に複数のＳｉ原子を有し、該物質の熱的安定性を増大させることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式、即ち、


及びそれらの混合物によって表され、アミノシランからなる群より選択された前駆体を用いることを含む方法。 （もっと読む）

【課題】新規な銅錯体及びより低い基盤温度で銅含有薄膜を製造する方法の提供。
【解決手段】式（１）


（Ｒ^１〜Ｒ^２は、(1)Ｒ^１＝エチル基、Ｒ^２＝メチル基、(2)Ｒ^１＝エチル基、Ｒ^２＝水素原子、(3)Ｒ^１＝t-ブチル基、Ｒ^２＝水素原子。）で示される銅錯体。当該銅錯体を銅供給源として用いた、化学気相蒸着法による銅含有薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】インク組成物やトナー組成物において色材や固形物の分散性を良好にする高分子化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で表される繰り返し単位構造を有する高分子化合物。


（式中、Ｘ‘はポリアルケニル繰り返し単位を表す。Ａは炭素原子数１から１５までの直鎖状または分岐状のアルキレン基を表す。ｍは０から３０までの整数を表す。Ｂはアルキレン基を表す。Ｄは芳香族環構造を表す。ｎは０から１０までの整数を表す。Ｒはアルキルシリル基を表す。） （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】β―ニトロシンナミル基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、β―ニトロシンナミル基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】安価な汎用紫外線光源から得られる低エネルギー量の紫外線照射によって選択的に基体表面を疎水性から親水性に変換することができる有機薄膜を形成するシラン誘導体、並びに基体表面に該シラン誘導体を含有する有機薄膜形成体を得ること。
【解決手段】フェナシル基、及びハロゲン原子及び又はアルコキシ基を含有することを特徴とするシラン誘導体であり、得られる有機薄膜は疎水性であるが、安価な水銀灯光源から放射される波長２５０ｎｍ以上の紫外線を照射することにより、フェナシル基が光分解して親水性に変化することができ、しかも高感度である。このため、親水性と疎水性の差を利用して、基体表面に種々の物質のパターニング形成が可能となる。 （もっと読む）