【課題】混合物上の塩化物塩を他の有機ケイ素前駆体材料と沈殿させる可能性が実質的に無い有機ケイ素前駆体組成物を提供する。
【解決手段】ジエトキシメチルシランを含む別の組成物と混合した場合に収率好ましからざる塩化物塩沈殿を与えないジエトキシメチルシランを含む有機ケイ素組成物、溶解残留塩化物の濃度、および溶解残留塩化物捕集剤の濃度を与える。 （もっと読む）

【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】低い駆動電圧で素子の安定性及び発光寿命を向上させた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるシロール誘導体化合物を発光素子用材料として、特に電子輸送層又は電子注入層用材料として用いて、有機電界発光素子を製造する。
（もっと読む）

【課題】長い稼働寿命、優れた電子的特性を有し、かき傷が無いまたは少ない画像形成部材を提供する。
【解決手段】光導電体は、必要に応じた支持基材と、光発生層と、少なくとも１つの電荷輸送成分と少なくとも１つのシラノールとを含む少なくとも１つの電荷輸送層と、を含む。 （もっと読む）

金属（IV）テトラキス（N,N’−ジアルキルアミジネート）は合成され、特性を決定された。例示金属はハフニウム、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、錫及びウランを含む。これらの化合物は揮発性、高熱的安定性、及び、金属およびそれらの酸化物、窒化物ならびに他化合物蒸着適性である。 （もっと読む）

本願は、アルコキシシランに残存するハロゲン化物含有量を低減するための方法を開示する。前記方法は、残存するハロゲン化物含有量を有するアルコキシシランを、活性炭と接触させて、その後にアルコキシシランを分離する工程を含む。結果として得られる物質は、他の化合物の調製のための中間体として有用であり、電子工学的用途における使用のためにも有用である。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成用プレカーサとして使用される有機ジルコニウム化合物において、形成される薄膜の特性に影響を及ぼす金属元素を低減した有機ジルコニウム化合物を提供する。
【解決手段】 四塩化ジルコニウムとアルコールまたはアミンを反応させた後蒸留することにより、チタニウム元素の含有量が１ｐｐｍ以下である薄膜形成用プレカーサとして有用な高純度有機ジルコニウム化合物を得ることができる。また、同時にアルミニウム・ハフニウムの含有量も低減することができる。 （もっと読む）

【課題】有機化合物にＳＦ5基及び又は置換シリル基を導入する新規の化合物を提供すること。さらに上記化合物を製造する安全な工業規模の製法を提供すること。
【解決手段】式：


で示され、置換基の少なくとも１つが立体障害されていることを特徴とする化合物。工程Iにおいて、置換シリルアセチレンをＳＦ5含有ハロゲン化物と反応させることによって、中間体としてビニルペンタフルオロスルフラニルを形成する。工程IIにおいて、中間体中の水素およびハロゲン化物を、塩基の存在において脱離させ、最終生成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子または置換基を表す。Ａ₁は置換または無置換の芳香族炭化水素環、あるいは置換または無置換の芳香族複素環を表す。ｎ１は２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、空気中の酸素に対して安定で経時劣化が抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される有機半導体材料。
（もっと読む）

【目的】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能なスピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体、スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体の製造方法、並びに、スピロビ（ヘテロフルオレン）誘導体を用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスピロビ（ヘテロフルオレン）を提供する。
【化１】


（ここで、Ψはケイ素原子、ゲルマニウム原子、又はスズ原子を示し、置換基Ｒ^１〜Ｒ^４は同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、炭素数５〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素数４〜３０のアリール基、炭素数２〜２０のアルキニル基、又は炭素数２〜３０のアルケニル基を示す。但し、置換基群（Ｒ^１とＲ^２）及び置換基群（Ｒ^３とＲ^４）のうち少なくとも１つの群における置換基は互いに結合し環を形成する。置換基Ｒ^５〜Ｒ^８は同一又は異なって、水素原子又はフッ素原子を示す。） （もっと読む）

【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。
（もっと読む）

【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルケニル基含有有機シラン化合物から成るＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される有機シラン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を用い、化学気相成長法、特にプラズマ励起化学気相成長法によりＳｉ含有膜を形成させ、絶縁膜として使用する。
【化１】


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表し、ｎは０〜３の整数を表す。） （もっと読む）

電子装置において使用することができる、シリルエチニル基が結合したアセン−チオフェンコポリマーを提供する。コポリマーは、一般的な有機溶媒に可溶性である場合が多く、コーティング組成物の一部であることができる。 （もっと読む）

【課題】自己組織化単分子膜を形成でき、かつ長波長の光で感光する新規な化合物、該化合物を含有する膜形成用組成物および当該膜形成用組成物を用いた積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）［式中、Ｒ^１〜Ｒ^３はそれぞれ独立に炭素数１〜５のアルキル基であり、ａは２〜１１の整数であり、Ｘは、隣接する酸素原子と当該酸素原子に結合した窒素原子との間の結合が開裂した際に親水性基を形成する基であり、Ｒは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、２つのＲはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。］で表される化合物。
［化１］
（もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、簡便な方法にて、シリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物を得る、工業的に好適なシリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物の製造法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルカリ金属アルコキシドの存在下、カルボン酸エステルとを反応させた後、次いで、トリアルキルシリルハライドを反応させることを特徴とする、シリルエーテル基を有するβ-ジケトン化合物の製造法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 末端に反応性シリル基が結合した新規なアセン系有機シリル化合物（特に、導電性の高い大きな環構造を有するもの）およびその簡便かつ高収率な製造方法を提供する。
【解決手段】 末端にハロゲン置換基を有するアセン系化合物をヒドロシラン類と反応させることを特徴とする末端に反応性シリル基が結合したアセン系有機シリル化合物の製造方法。好ましくは、前記反応はロジウム触媒の如き周期律表第８Ａ族の遷移金属触媒および塩基の存在下に行われる。 （もっと読む）

【課題】ホルミルフェニル基又はアセタール置換フェニル基を有するジアルキルシラノール化合物およびその製造方法の提供。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｒ^１はホルミル基、環状アセタール基又は非環状アセタール基を示し、Ｒ^２およびＲ^３は同一又は異なってもよいアルキル基を示す。）
で表されるジアルキルシラノール化合物およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率的な発光が行なえるＯ−Ｓｉ−Ｓｉ−Ｏ結合を基本骨格とするジシランネットワーク構造物を合成する為に必要なジシラン化合物を得ることを目的とする。
【解決手段】 一般式


で表される構造を有するジシラン化合物を含有する。 （もっと読む）

一般式（１）：Ｓｉ₂（ＮＭｅ₂）₅Ｙであって、ＹがＨ、Ｃｌ又はアミノ基からなる群より選択される式を有したペンタキス（ジメチルアミノ）ジシラン、その製造方法及びＳｉＮ又はＳｉＯＮからなるゲート誘電体膜又はエッチストップ誘電体膜を製造するためのその使用。 （もっと読む）