【課題】炭素またはハロゲンの汚染を起こさず、熱的安全性と揮発性が改善されるだけでなく、より低い温度でも容易にスズ及びスズ酸化物、またスズを含む物質を製造するための新規なスズ先駆物質を提供する。
【解決手段】新規なスズアミノアルコキシド錯体及びその製造方法に関するものであって、下記で表示されるスズアミノアルコキシド錯体でスズ及びスズ酸化物薄膜のための先駆物質及びナノの大きさのスズ及びスズ酸化物粒子製造のための先駆物質製造のための先駆物質として有用なスズアミノアルコキシド錯体及びその製造方法に関する。Ｓｎ［Ｏ‐Ａ‐ＮＲ^１Ｒ^２］_２前記化学式において、Ａはハロゲン置換または非置換の線形または分枝形の（Ｃ２‐Ｃ１０）アルキレン基であり；Ｒ^１及びＲ^２は互いに独立した、ハロゲン置換または非置換の線形または分枝形の（Ｃ１‐Ｃ７）アルキル基である。 （もっと読む）

置換２，２’−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１’は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２’は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ₁−Ｃ₂₅アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂シクロアルキル、Ｃ₄−Ｃ₂₅アリール、Ｃ₅−Ｃ₂₅アルキルアリールまたはＣ₅−Ｃ₂₅アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ₂もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ’−Ｒ１７もしくはＹ’−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。
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【課題】基体表面に極性官能基を、効率良く、且つ経済的に導入可能な、ｏ−ニトロベンジル基含有シラザン化合物、その製造方法、該シラザン化合物を利用した表面修飾剤、該表面修飾剤を用いた、特定の極性官能基を所望箇所に発現させた表面修飾材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】例えば下記反応式により製造されるｏ−ニトロベンジル基含有シラザン化合物は上記特性を有する。


（ＨＭＤＳはヘキサメチルジシラザンを意味する） （もっと読む）

【課題】有機半導体配合物を提供する。
【解決手段】本発明は、有機半導体（ＯＳＣ）および１種類以上の有機溶媒を含む配合物の調製方法と、この方法によって得られる新規な配合物と、有機電子（ＯＥ）デバイス、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）および有機光起電力（ＯＰＶ）セルを製造するためのコーティングまたは印刷インキとしての該配合物の使用と、該新規な配合物を使用するＯＥデバイスの製造方法と、そのような方法または新規な配合物から製造されるＯＥデバイスとに関する。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で高い収率の生成物を得ることができるケイ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素化合物の製造方法は、下記一般式（４）で表されるケイ素化合物を製造する方法であって、下記一般式（１）で表される有機マグネシウム化合物と、下記一般式（２）で表される有機シラン化合物とを、下記一般式（３）で表される炭化水素を含む溶媒中で反応させる工程を含む。
ＲＭｇＸ・・・（１）
（式中、Ｒは１価の有機基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）
Ｒ^４_ｍＳｉ（ＯＲ^５）_４−ｍ・・・（２）
（式中、Ｒ^４は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０から２の整数を示す。）
Ｃ_ｘＨ_ｙ・・・（３）
（式中、ｘは４から２０の整数を示し、ｙは６から４２の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】低誘電率材料に適した、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した新規な有機シロキサン化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリビニルシクロトリシロキサン、または１，３，５−トリイソプロピル−１，３，５−トリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタイソプロピル−１，３，５，７，９−ペンタビニルシクロペンタシロキサン等の新規な有機シロキサン化合物。 （もっと読む）

【課題】残留炭素の少ない良好な金属含有薄膜を与え、成膜速度や薄膜組成制御について安定したプロセスを与える金属化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される金属化合物。


（式中、Ｍはチタニウム、ジルコニウム又はハフニウムを表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍは１又は２を表す。） （もっと読む）

【課題】非環状アセタール置換フェニル基を有するジアルキルシラン化合物およびその製造方法の提供。
【解決手段】非環状アセタール置換フェニルグリニヤール試薬とアリールオキシ基又はハロゲン原子を有するジアルキル有機ケイ素化合物とを反応させることで下記式（１）


（式中、Ｒ^２およびＲ^３は同一又は異なってもよいアルキル基を示し、Ｒ^１は非環状アセタール基を示す。）で表わされるジアルキルシラン化合物を高収率で製造する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法又はＣＶＤ法において、金属銅の成長速度を大きくすることができる銅前駆体並びにその製造及び使用方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるケイ素化合物の銅錯体を前駆体として使用し、基材上に銅膜及び銅合金を堆積させることができる。


（式中、Ｘは酸素及びＮＲ5を、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5は水素又はアルキル基等を、Ｒ4はＯＣＨＭｅＣＨ2基等を、Ｌはビニルジメチルシリル基等を表す） （もっと読む）

【課題】新規な有機電気発光化合物、これを含有する有機電気発光素子及び有機太陽電池の提供。
【解決手段】有機電気発光化合物は、式１によって表される。


例えば、下式のホスト化合物Ｈ−６と化合物１０３１を組み合わせて発光層を形成できる。
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本発明は、式Ｉ：


（Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｌ、Ｘ、ａ、ｂ、およびｃは本明細書で定義した通りである）で表されるアントラセン誘導体化合物、または薬剤として許容されるその塩に関する。アントラセンに導入された置換ケイ素原子を有する本発明の化合物は、有利には、悪影響を一切及ぼすことなくアントラセンの溶解性を改善し、それによって、溶媒プロセスを可能にする。この種の化合物を含む発光材料、この種の発光材料の使用、およびこの種の発光材料を含む有機発光素子も開示する。
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半導体デバイス、半導体デバイスの製造方法、及び半導体層を半導体デバイス内に提供するために使用可能なコーティング組成物について記載されている。コーティング組成物は、低分子半導体、絶縁ポリマー、並びに低分子半導体材料及び絶縁ポリマーの両方を溶解することができる有機溶媒を含む。低分子半導体は、２つのチオフェン基並びに２つのシリルエチニル基で置換されたアントラセン系化合物（即ち、アントラセン誘導体）である。
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【課題】基材との密着性を向上させた新規なフッ化ビニリデン系化合物およびそれからなる層が基材の表面に形成されてなる積層体を提供する。
【解決手段】式：ＣＦ₃（ＶｄＦ）_n1（ＣＨ₂）_m1−Ｙ−（ＣＨ₂）_m2（ＶｄＦ）_n2ＣＦ₃［ＶｄＦはフッ化ビニリデン単位；ｎ１およびｎ２は同じかまたは異なり、いずれも３〜２９；ｍ１およびｍ２は同じかまたは異なり、いずれも２〜８；Ｙは特定のオルガノシロキサン］で表されるフッ化ビニリデン系化合物。 （もっと読む）

【課題】素子の効率が高く、素子動作電圧が低く、さらに、薄膜構造の安定性が良く、長期にわたり安定で高い発光特性を得ることができる有機電界発光素子とそれに好適なシロール化合物の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ¹〜Ｒ^３は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基等を示し、ａ〜ｄは、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を示す。Ａｒはｎ価の芳香族炭化水素環残基または芳香族複素環残基を示す。）で表わされるシロール化合物を含有する層を設けた。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）
［（ＲＯ）ｘ（Ｍｅ）ｙ（Ｐｈ）ｚＳｉ−］₂ （１）
（式中、Ｒは置換又は非置換の炭素数３以上のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基である。ｘ＝１〜３、ｙ＝０〜２、ｚ＝０〜２の整数で、ｘ＋ｙ＋ｚ＝３を満たす値を表す。）
で示される構造を有するアルコキシジシラン。
【効果】本発明によれば、フォトレジスト材料、プレセラミックス材料、あるいは導電性材料用の素材などとして有用なアルコキシジシラン類を工業的有利に効率よく提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】Ｓｉ−Ｈ基を持つケイ素化合物を鉄錯体触媒の存在下、有機溶媒中で光照射又は加熱することを特徴とするＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物の製造方法。
【効果】本発明によれば、フォトレジスト材料、プレセラミックス材料、あるいは導電性材料用の素材などとして有用なＳｉ−Ｓｉ結合を有する化合物を工業的有利に効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電子情報材料として有用な新規２，４−二置換メタロールおよび２，３，５−三置換メタロールを提供する。
【解決手段】下記構造を有することを特徴とする２，４−二置換または２，３，５−三置換メタロールである。


（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、置換基を表し、Ｒ³は水素または置換基を表し、Ｍは、Ｓｉ，ＧｅまたはＳｎを表す。） （もっと読む）

電子素子または光電子素子におけるブロッキング層、電荷注入層、電極材料、記憶材料、または半導体層自体としての、ｎ−ドーパントの前駆物質の、有機半導体材料をドーピングするための使用。ここで、上記前駆物質は以下の化学式１〜３ｃ：
【化１】


から選択される。
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【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、特にプラズマＣＶＤ装置に適した環状シロキサン化合物を含んでなる低誘電率絶縁膜用材料を提供すること、並びにそれを用いたＳｉ含有膜及びこれらの膜を含んでなる半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒは炭素数１〜４の鎖状又は分岐状アルキル基を表す。ｎは３〜５の整数を表す。）
で示されるビニル基含有環状シロキサン化合物を含有するＳｉ含有膜形成材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】他の樹脂との相溶性に優れ、硬化性にも優れた硬化性シリコーン化合物を提供する。
【解決手段】一般式（1）：[RSiO_3/2]_n[R¹(CH₃)₂SiO_1/2]_m で表される硬化性シリコーン化合物〔R及びR¹は水素原子、炭素数6〜10のアリール含有基、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、炭素数4〜10のシクロアルキル基、炭素数2〜3のアルケニル基又は下記式（2）〜（4）


（lは1〜3の整数、R²は水素原子又メチル基）から選ばれ、少なくとも一般式（１）で表される１分子中には炭素数2〜3のアルケニル基、及び式（2）〜（4）からなる群から選ばれたいずれかの硬化性官能基を2以上有し、Rの少なくとも1つが硬化性官能基である。nは6〜20の整数、mは1〜6の整数、n/mは1〜10の範囲である。Mw=500〜5000であり、Mw/Mn＝1.0〜1.5の範囲。〕である。 （もっと読む）