【課題】新規なＳｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適したアルキルシラン化合物を含んでなるＳｉ含有膜形成材料を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのシクロプロピル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機シラン化合物（具体的例示：２，４，６−トリシクロプロピル−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン）を含有するＳｉ含有膜形成材料を用いてＰＥＣＶＤ法によりＳｉ含有膜を製造し、それを半導体デバイスの絶縁膜として使用する。 （もっと読む）

【課題】第４族金属含有膜を堆積させるための液体前駆体を提供する。
【解決手段】式（ｐｙｒ^*）Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（ＯＲ³）によって表される液体の第４族前駆体であって、式中、ｐｙｒ^*がアルキル置換のピロリルであり、ＭがＴｉ、Ｚｒ及びＨｆを含む第４族金属であり、Ｒ^1-3が同じであることができるか又は異なることができそして直鎖又は分枝のＣ_1-6アルキル、好ましくはＣ_1-3アルキルからなる群より選択され、Ｒ⁴がＣ_1-6アルキル、好ましくはピロリルがη¹において金属中心に対して配位するのを防ぐために２、５位において置換された分枝のＣ_3-5アルキルからなる群より選択され、ｎ＝２、３、４である液体の第４族前駆体が提供される。さらに、これらの化合物を用いた堆積方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が１乃至３のアルキル基を表す。但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。）で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 （もっと読む）

【課題】光を照射して機能性薄膜の微細パターニングを行う場合に、光を照射する層の下地層の特性低下及び機能性薄膜の特性低下を抑制すること。
【解決手段】感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物（Ａ）と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物（Ｂ）とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物。 （もっと読む）

【課題】 機能性材料の新たな展開が期待できる新規なテルピリジル基含有化合物を提供すること。
【解決手段】 炭素原子又はケイ素原子を中心原子とし、該中心原子に結合した同一の有機基を４つ有し、上記有機基がそれぞれテルピリジル基を１つ含む基である、テルピリジル基含有化合物。 （もっと読む）

【課題】副生成物の生成を抑制して目的物であるシルセスキオキサン化合物の含有量が高い（高純度な）生成物が得られ、さらに生成物の純度のばらつきを低減できる、Ｓｉ−Ｈ基含有ケイ素化合物とカルボン酸アリルエステルとを原料としたヒドロシリル化合物の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のヒドロシリル化合物の製造方法は、Ｓｉ−Ｈ基含有ケイ素化合物とカルボン酸アリルエステル化合物とをヒドロシリル化反応させるヒドロシリル化合物の製造方法であって、前記Ｓｉ−Ｈ基含有ケイ素化合物と、前記Ｓｉ−Ｈ基含有ケイ素化合物のＳｉ−Ｈ基１モルに対して、アリル基換算で２〜１００モル相当の前記カルボン酸アリルエステル化合物とを接触させる接触工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
耐熱性があり、化学安定性に優れ、低含水条件下でも良好なプロトン伝導性を有し、且つ、メタノールのクロスオーバー現象を抑制するための低いメタノール透過性の両方を兼ね備えた燃料電池用固体電解質膜、および当該電解質膜の工業的に簡便かつ多量生産に適した製造方法を提供する。
【解決手段】
強酸性の特定のビス（パーフルオロアルカンスルホニル）メチド部位を有するメチド系シロキサン化合物と、特定のポリシロキサン化合物および特定のシラン化合物を架橋反応させることにより得られるシリコン樹脂を用いたことを特徴とする燃料電池用固体電解質膜およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐候性および耐熱性が良く、高温条件下においても長期にわたり光学的透明性を維持することが可能な硬化物を与える有機・無機ハイブリッド組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（工程１）（Ａ）化学改質されていない周期律表第５族の金属アルコキシドと（Ｂ）前記（Ａ）成分と反応可能なケイ素原子に直接結合する水酸基を有する有機ケイ素化合物との混合物〔成分（Ａ）中のアルコキシ基に対する成分（Ｂ）中の水酸基が０．０３〜０．５０（モル比）〕を無水条件下、かつ、加熱条件下で反応させる工程、
（工程２）前記工程１で得られた反応生成物と（Ｃ）オルガノアルコキシシラン〔成分（Ｃ）中のアルコキシ基/前記成分（Ａ）中のアルコキシ基が０．５〜５．０（モル比）〕
を水〔成分（Ａ）、（Ｃ）中の全アルコキシ基に対して０．１５（モル比）以上〕で加水分解して縮合反応させる工程、
（工程３）前記工程２で得られた反応生成物を加熱して低沸物を留去または還流させながら、加水分解と縮合反応を促進させる工程を含むことを特徴とする有機・無機ハイブリッド組成物の製造方法、その製造方法により得られた組成物、および、その組成物により半導体素子を被覆してなる半導体装置である。 （もっと読む）

Ｘはハロゲン化物であり、ＬはＣ_４Ｈ_８Ｏ_２以外の付加物であり、０．５≦ｎ≦２であるＧｅＸ_２−Ｌ_ｎ分子が開示される。これらの分子は、ＧｅＣｌ_２−ジオキサンと比較して、低い融点および／または高い揮発性を有する。また、そのような分子の、カルコゲニド、ＳｉＧｅおよびＧｅＯ_２フィルムといった薄膜の堆積のための使用が開示される。 （もっと読む）

有機電子素子および光電池用のp型材料において使用することができるポリマーを開示する。式(I)および/または式(VIII)を含む化合物、単量体、二量体、三量体、およびポリマーであり、式中、A1およびA2はそれぞれ独立して、ピロール環に直接共有結合した少なくとも2つの縮合環を含む縮合環系を含む。良好な光起電力効率および寿命を実現することができる。R基は溶解性、環境安定性、ならびに分光特性および/または電子特性の微調節を与えることができる。複数のバンドギャップおよび広範で強力な吸収を促進する異なるポリマー微細構造を調製することができる。カルボニルは、隣接するチオフェン環と相互作用することで、骨格に剛性を与え、平面性を誘導し、分子内の鎖ねじれという欠陥を減少および/または除去することができる。

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【課題】本発明の目的は、有機感光体や太陽電池や有機ＥＬ素子の開発に有効な電荷輸送性化合物を提供することであり、又、該電荷輸送性化合物で表面処理された無機粒子を提供することであり、該無機微粒子を用いて、有機感光体の摩耗性を、アモルファスシリコン感光体と同等の水準まで、改善すると共に、高温高湿下等で発生しやすい、画像流れや画像ボケを改善し、高耐久で且つ高画質の電子写真画像が得られる有機感光体を提供することであり、該有機感光体を用いた画像形成装置、及びプロセスカートリッジを提供することである。
【解決手段】連鎖重合性官能基を有し、表面処理基を有することを特徴とする電荷輸送性化合物。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を用いることを含む、炭窒化ケイ素膜を形成するための方法とする：
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一般式Ｒ_nＣｌ_4-nＳｉのクロロシランを、金属酸化物をベースとする担体上の、亜鉛および／または亜鉛を含有する合金の触媒量の触媒（Ｋ）の存在下に水素ガスと反応させることにより、一般式Ｒ_nＣｌ_3-nＳｉＨのハイドロジェンシランを製造する方法［上記式中でＲは両方の式において、同時に、かつ相互に無関係に水素を表すか、１〜１８個の炭素原子を有する置換されているか、もしくは非置換であってよい炭化水素基を表し、かつｎは１〜３の値をとることができる］。 （もっと読む）

ハフニウム含有前駆体およびジルコニウム含有前駆体ならびにその提供方法を開示している。開示した前駆体は、配位子と、通常の置換基よりも高い自由度を有するように選択される置換基としての少なくとも１つの脂肪族基とを含む。開示した前駆体は、気相堆積方法たとえば化学気相堆積または原子層堆積を使用して、ハフニウムまたはジルコニウム含有層を堆積させるのに使用できる。 （もっと読む）

【課題】ダイズ畑又はトウモロコシ畑の有害生物防除において優れた効果を発揮する方法を提供すること。
【解決手段】ダイズ畑又はトウモロコシ畑における有害生物の防除方法であって、
ダイズ種子又はトウモロコシ種子に、クロチアニジン等のネオニコチノイド化合物を処理する工程、及び
前記ネオニコチノイド化合物を処理したダイズ種子又はトウモロコシ種子を播種する前又は播種した後の畑にフルミオキサジン等のＰＰＯ阻害化合物を処理する工程、
を有するダイズ畑又はトウモロコシ畑における有害生物の防除方法
によって、ダイズ畑又はトウモロコシ畑の有害生物防除において優れた効果が発揮される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ含有膜形成材料、殊にＰＥＣＶＤ装置に適した低誘電率絶縁膜用材料として有用な、新規な環状シロキサン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（２０）
【化１】


（式中、Ｒ^１８は炭化水素基を表し、Ｒ^１９は水素原子又は炭化水素基を表す。ｇは２乃至１０の整数を表し、ｈは１乃至３の整数を表す。）で示される環状シロキサン化合物［具体的例示:２，４，６−トリス（メトキシメチル）−２，４，６−トリメチルシクロトリシロキサン］。 （もっと読む）

原子層堆積、化学気相堆積および有機金属化学気相堆積のような成膜プロセスにおいて出発原料として用いるための溶液型の先駆物質。この溶液型の先駆物質は、蒸発する間に分解と凝固を起こす傾向があるために気相堆積法のためには不適切であった固体先駆物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】一般的な高分子材料と比較して分子サイズが十分に小さく、レジスト材料としての利用が期待できる材料特性を有する芳香族化合物を提供すること。
【解決手段】レゾルシノール系化合物と特定のアルデヒドを反応させることでダブルレゾルシンアレーン環構造を有する新規な芳香族化合物が得られることを見出した。 （もっと読む）

【課題】十分なキャリア移動度を発揮し得るとともに溶媒に対する優れた溶解性を有するポリアセン化合物の原料化合物として有用な芳香族化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される芳香族化合物。


［式中、Ａ環及びＢ環は、ベンゼン環、芳香族縮合環、複素芳香族環又は複素芳香族縮合環を示し、Ｒ^１ａは−ＣＨＲ^２ａ−ＣＨＲ^２ｂＲ^２ｃで表される基を示し、Ｒ^１ｂ、Ｒ^１ｃ及びＲ^１ｄは水素原子、アリール基又は−ＣＨＲ^２ｄ−ＣＨＲ^２ｅＲ^２ｆで表される基を示す。Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^２ｃ、Ｒ^２ｄ、Ｒ^２ｅ及びＲ^２ｆは水素原子、アルキル基、アリール基又は置換シリル基を示し、Ｒ^２ａとＲ^２ｂ、Ｒ^２ｄとＲ^２ｅは環を形成していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】産業上の実現性が高い軽元素磁性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る軽元素磁性材料は、端に化学修飾が施され、この端を含む対面する２つの端の間で磁気的な非対称性が与えられた磁性グラフェンからなるものである。端は、ジグザグ端であることが好ましい。化学修飾は、一方側の端の末端基がＡ群のＣＨ基、ＳｉＨ基、Ｎ基、Ｐ基、ＰＨ２基のなかのいずれかあるいはそれらの組み合わせであり、他方側の端の末端基がＢ群のＣＨ_２基、ＢＨ基、ＡｌＨ基、Ｓｉ基、ＳｉＨ２基、ＮＨ基、ＰＨ基、ＰＨ３基、Ｏ基、Ｓ基のなかのいずれかあるいはそれらの組み合わせからなる。 （もっと読む）