本発明は下記化学式１のゲルマニウム化合物に関する。
［化学式１］



前記化学式１中、Ｙ^１及びＹ^２は、互いに独立して、Ｒ^３、ＮＲ^４Ｒ^５またはＯＲ^６から選ばれ、前記Ｒ^１〜Ｒ^６は、互いに独立して、（Ｃ_１−Ｃ_７）アルキル基である。
また、本発明によるアミジン誘導体を含むゲルマニウム化合物は、熱安定性を有するとともに揮発性が高く、ハロゲン成分を含有しないため、有機金属化学気相蒸着法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）または原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）によって低温蒸着が可能なゲルマニウム及びゲルマニウムを含む良質の薄膜製造に有用である。 （もっと読む）

【解決手段】Ｃ_p−Ｏ−Ｃ_q（但し、ｐ、ｑは炭素数を表わし、２≦ｐ≦６、２≦ｑ≦６であり、各炭素鎖には酸素原子と共役する不飽和結合を含まない）結合を含有する炭素数４〜８の直鎖状又は分岐状の酸素含有炭化水素鎖で結合された２個以上のケイ素原子を含有し、かつ該２個以上のケイ素原子はいずれも１個以上の水素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を有するプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物。
【効果】従来、疎水性を向上させようとした場合には成膜速度に犠牲を払ってきたが、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜形成用有機シラン化合物によれば、膜の疎水性と誘電率特性を確保した上で、成膜速度の低下を抑制することができる。
また、本発明のプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法を多層配線絶縁膜の成長方法として利用することにより、配線信号遅延の少ない半導体集積回路を安定して製造することができる。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）または（Ｉ＊）のカルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびジシリルベンゾホスホールから選択されたシリル置換およびヘテロ原子置換された化合物、式（Ｉ）または（Ｉ＊）の該化合物の有機エレクトロニクス好ましくは有機発光ダイオードへの使用、式（Ｉ）または（Ｉ＊）の少なくとも１つの化合物を含む有機発光ダイオード、式（Ｉ）または（Ｉ＊）の少なくとも１つの化合物を含む発光層、式（Ｉ）または（Ｉ＊）の少なくとも１つの化合物を含む正孔／励起子用障壁層ならびに、本発明による少なくとも１つの有機発光ダイオードを含む、定置型ディスプレイ、移動型ディスプレイ、照明ユニット、キーボード、衣類、家具および壁紙からなる群から選択された装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 ポリシロキサンはＳｉ−Ｏ結合に起因する高透明性及び高耐熱性を活かし、更に高屈折率を示す臭素化又は塩素化ベンゼンを有機基として持った加水分解性シランを提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）：
【化１】


〔式（１）中、Ｒ^１は式（２）：
【化２】


（式（２）中、Ｒ^４〜Ｒ^８は臭素原子、塩素原子、水素原子、又は１価の有機基である。）で表され、Ｒ^２は１価の有機基であり、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれＳｉ−Ｃ結合でケイ素原子と結合している。Ｒ^３はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示す。ａは１〜２の整数を、ｂは０〜１の整数を、ａ＋ｂは１〜２の整数を示す。〕で示される加水分解性シランであり、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を用いることができる。 （もっと読む）

ビスアミノシラシクロブタンと、窒素供給ガス、酸素供給ガスおよびこれらの混合物から選択した原料ガスとの反応ガス混合物の熱重合によるシリコン含有薄膜の生成方法。堆積膜は窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、二酸化ケイ素または炭素ドープ二酸化ケイ素であってもよい。これら膜は、半導体デバイスにおける誘電体、不動態化膜、バリア膜、スペーサ、ライナおよび／またはストレッサとして有用である。
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【課題】有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な化合物、及び該化合物を用いる有機半導体薄膜等を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、芳香族環又は複素環を表し；
環構造Ｃは、ベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち、少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ^５）である。）
で表される化合物、当該化合物を含む有機トランジスタ、有機半導体薄膜等の提供。 （もっと読む）

【課題】π電子系の発達した平面性の高い分子骨格をもつ有機化合物の両端に、電子吸引基を導入した高性能のｎ型有機半導体材料を基板上の半導体層に用いた低電圧駆動の有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を提供する。
【解決手段】下記式で示される化合物。ここで、Ｘは、水素、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、又はアルキルシリルエチニル基などを表わす。
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【課題】シリコン含有膜を堆積させるためのアミノシラン前駆体、およびこれらのアミノシラン前駆体からシリコン含有膜を堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】シリコン含有膜を堆積させるための次式（I）：
（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎＳｉＲ^３_４−ｎ （I）
（式中、置換基Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にＣ１〜２０のアルキル基およびＣ６〜３０のアリール基から選択され、置換基Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも１つはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＰＯ（ＯＲ）_２、ＯＲ、ＲＣＯＯ、ＳＯ、ＳＯ_２、ＳＯ_２Ｒから選択される電子吸引性置換基を含み、そしてＲ^３はＨ、Ｃ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１２のアリール基から選択され、そしてｎは１〜４の範囲の数である。）から成るアミノシラン前駆体。 （もっと読む）

【課題】光学的及び電気的特性に優れた耐熱性絶縁膜を形成することのできる感光性組成物及びこの感光性組成物に用いられるアルカリ可溶性シルセスキオキサン並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）間移動触媒を含有する有機溶媒層と水性溶媒層との二層状態を作り、前記有機溶媒層に一般式（１）：ＲＳｉＸ₃（式中、Ｒは、Ｃ₁〜Ｃ₅の脂肪族炭化水素基、シクロヘキシル基、Ｃ₂〜Ｃ₅のアルケニル基、又はアリール基を表し、Ｘは塩素、臭素又は沃素を表す。）で表されるトリハロシランを滴下し、有機溶媒層及び界面にて制御された反応を行うことによりポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００以下のシルセスキオキサンを製造し、（Ｂ）得られたシルセスキオキサンをアシル化剤を用い、例えばフリーデル−クラフツ反応によりアシル化することによりアシル化されたシルセスキオキサンを製造する。得られたシルセスキオキサンとキノンジアジド感光剤、あるいは光酸又は塩基発生剤とにより感光性組成物を製造し、これを基体上に塗布し、露光後現像し、硬化することにより、耐熱性絶縁パターン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧及び高い熱安定性を持ち、チタン含有薄膜を製造するための優れた原料となる新規なチタン錯体、該錯体を用いた薄膜の製法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｒ^１及びＲ^４は各々独立に炭素数１から１６のアルキル基を示す。Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に水素原子又は炭素数１から３のアルキル基を示す。Ｒ^５はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１６のアルキル基を示す。）で表されるチタン錯体を製造し、それを用いてチタン含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】基体表面に極性官能基を、効率良く、且つ経済的に導入可能な、ｏ−ニトロベンジル基含有シラザン化合物、その製造方法、該シラザン化合物を利用した表面修飾剤、該表面修飾剤を用いた、特定の極性官能基を所望箇所に発現させた表面修飾材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のｏ−ニトロベンジル基含有シラザン化合物は、式(１)で表される。
【化１】


(Ｒ₁、Ｒ₂：Ｈ、ＯＲ₄(Ｒ₄：Ｃ１〜１０のアルキル鎖、フッ化アルキル鎖)、Ｒ₃：Ｈ、−ＣＨ₃。Ｘ：−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＳＯ₃−、−ＳＣＯＯ−。ｍ：３〜２０の整数。Ｙ：シラザン基) （もっと読む）

【課題】ベンゾジフラン化合物及び有機半導体材料を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ、Ｂは、同一又は相異なり、ベンゼン環、チオフェン環、フラン環、セレノフェン環、ピロール環、チアゾール環、オキサゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環又はピリダジン環を表し、ここで、これらの環は、他の環が縮環していてもよい；Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，及びＲ^６は、同一又は相異なり、水素原子、ハロゲン原子、炭素数４〜３０の置換されていてもよいアルキル基又は炭素数１〜３０の置換されていてもよいアルキル基を有する置換基を表し、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６のうち少なくとも一つは炭素数４〜３０の置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよい炭素数４〜３０のアルキル基を有する置換基を表す。）
で表されるベンゾジフラン化合物。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁膜を安定して得ることのできる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる多孔質絶縁膜の製造方法は、シリコン及び酸素を骨格とし、シリコンに結合する側鎖の一方が不飽和炭化水素基であり、他方が炭素原子を２つ以上含む飽和炭化水素基である環状有機シリカ化合物の蒸気を希ガスで希釈した蒸気に、酸化剤ガスを前記環状有機シリカ化合物の蒸気の流量の０．３倍以上１．２倍以下添加してプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質低誘電率絶縁膜を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グリニャール反応のみを用いた合成過程と比較して、反応時間を短縮することができ、かつ、簡便な工程にて高い収率で生成物を得ることができる有機ケイ素化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】代表的製造方法は、例えば、クロロメチルジイソプロポキシシラン（化合物５）を、テトラヒドロフラン中マグネシウムと反応させて、メチル（ジイソプロポキシ）シリルメチルマグネシウムクロライド（化合物３）を含む反応液を得、これにメチルトリメトキシシラン（化合物４）を滴下して最終化合物４，４−ジメトキシ−２，２−ジイソプロポキシ−２，４−ジシラペンタン（化合物１）を得る方法や、ジメチル（ｔ−ブトキシ）シリルメチルマグネシウムクロライド（化合物３）とビニルトリメトキシシランを反応させて５−（ｔ−ブトキシ）−（化合物１）を得、更にエタノールと反応濃縮を繰り返して２，４，４−トリエトキシ−（化合物１）を得る方法がある。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表される２，２’−ビピリジン誘導体。


（Ｒ¹、Ｒ²は１価炭化水素基、オルガノキシ基、アシロキシ基、水酸基、ハロゲン原子、水素原子、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、シアナート基、イソシアナート基、チオシアナート基、イソチオシアナート基から選択される置換基、Ｒ³は１価脂肪族不飽和炭化水素基、オルガノキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基、水酸基、ハロゲン原子、水素原子、メルカプト基、アミノ基、シアノ基、シアナート基、イソシアナート基、チオシアナート基、イソチオシアナート基から選択される置換基、Ｒ⁴はＲ¹Ｒ²Ｒ³Ｓｉで表される反応性シリル基、１価炭化水素基、又は水素原子、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸は１価炭化水素基又は水素原子。）
【効果】本発明の２，２’−ビピリジン誘導体は、担持型の遷移金属錯体配位子として有用である。 （もっと読む）

【課題】フェナザシリンの重合体の特性を保ちつつ、分子量分布の小さいビスフェナザシリン化合物、ビスフェナザシリン化合物の製造方法、ビスフェナザシリン化合物を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記に示すビスフェナザシリン化合物は有機溶媒への溶解性が高いので、スピンコート法、ディップコート法等の通常の塗布法を用いて簡易に成膜化して薄膜を形成できる。よって、有機薄膜トランジスタの構成材料に用いることが可能である。
【化１】
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シリルエチニルペンタセン及びシリルエチニルペンタセンを含む組成物を開示する。例示的なペンタセン化合物は、６，１３−シリルエチニル置換され、シリルエチニル基の各ケイ素原子に１個以上の基（例えばＲ、Ｒ’及びＲ”）が共有結合している。シリルエチニルペンタセン及びシリルエチニルペンタセンを含む組成物の製造並びに使用方法についても開示する。シリルエチニルペンタセン及び組成物を含む基板及びデバイスについても開示する。
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溶媒混合物に溶解した有機半導体を含む組成物が記述される。より具体的には、この溶媒混合物は、９〜１６個の炭素原子を有するアルカンを１〜２０重量パーセント量、及び芳香族化合物を８０〜９９重量パーセント量、含む。この半導体材料は、組成物の合計重量に対し、少なくとも０．１重量パーセント、この溶媒混合物に溶解している。この組成物を使用して半導体層を形成する、半導体デバイスの製造方法も記述される。
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【課題】本発明は、ハロゲン成分を含まないかご型シロキサン化合物を経済的に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のかご型シロキサン化合物の製造方法は、反応触媒として硝酸Ｃモルの存在下、かご型ケイ酸塩化合物Ａモルとジシロキサン化合物Ｂモルとを反応させる反応工程を含み、前記モル数Ａ〜Ｃが、１＜Ｃ／（８×Ａ）≦３、および１≦（２×Ｂ）／（８×Ａ）≦５を同時に満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シラン化合物の優れた保存安定性、封止用エポキシ樹脂組成物における流動性及び接着力に優れるシラン化合物を提供するものである。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）に示される、窒素原子と珪素原子を有し、窒素原子に２つの珪素原子が結合したシラン化合物に関する。
【化１】


（ここで、Ｒ^１〜Ｒ^６は水素原子、置換又は非置換の炭素数１〜１２の炭化水素基であり、Ｒ^７及びＲ^８は置換又は非置換の、炭素数１〜１２の直鎖アルキル基、分岐アルキル基、シクロアルキル基、アリール基であり、同一でも異なっても良く、Ｒ^９は炭素数１〜１０の２価の炭化水素基であり、炭化水素基は置換されていてもよく、ｐは１〜３の整数を示す。） （もっと読む）