【課題】有機半導体を提供する。
【解決手段】本発明は、新規な置換されたジベンゾ［ｄ，ｄ’］ベンゾ［１，２−ｂ；４，５−ｂ’］ジチオフェン類（ＤＢＢＤＴ）、それらの合成方法、それらを含む有機半導体材料、配合物および層、およびそれらを含む有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）などの電子装置に関する。 （もっと読む）

【課題】置換されたペンタセン類の調製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、置換されたペンタセン類の調製方法、この方法で調製される新規なペンタセン類、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、光起電およびセンサー装置を含む光学的、電気光学的または電子装置において半導体または電荷輸送材料として新規なペンタセン類を使用すること、および新規なペンタセン類を含むＦＥＴおよび他の半導体成分または材料に関する。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）


（Ｒ¹及びＲ²は１価炭化水素基であるか、又はＲ¹とＲ²が結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂環をなしてもよく、各々同一又は異なっていてもよい。Ｒ³及びＲ⁴は１価炭化水素基であって、各々同一又は異なっていてもよい。Ｒ⁵は水素原子又はメチル基である。Ｒ⁶は１価炭化水素基であって、各々同一又は異なっていてもよい。Ｒ⁷はハロゲン原子又はアルコキシル基である。ｋは０〜１０の整数である。Ｒ⁵が水素原子の時にｍは１、Ｒ⁵がメチル基の時にｍは０である。ｎは０〜２の整数である。）
で表される有機ケイ素化合物。
【効果】本発明の新規な有機ケイ素化合物は、遊離のヒドロキシル基を含有せず、安定性が高く、無機材料と共有結合可能な加水分解性シリル基を含有し、硬化後も黄変、不快臭がない、光重合開始基を有する有機ケイ素化合物として非常に有用である。 （もっと読む）

本発明は、リン光性の発光を利用して、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１２０℃以上、熱分解温度が４００℃以上で熱的安定性を有し、高効率有機光電素子の実現が可能である有機光電素子用材料を提供する。
前記有機光電素子用材料は、分子内に正孔輸送ユニットと電子輸送ユニットを両方有する両極性の有機化合物を含む。また、前記有機光電素子用材料を利用した有機光電素子も提供される。
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【課題】屈折率制御機能、光吸収機能、発光機能又は電荷輸送機能等の機能を有する有機シリカの合成に有用な有機シラン化合物の提供。
【解決手段】フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、ビピリジレン基、ビニレン基又はメチレン基を含む所定の有機基を骨格有機基として導入した有機シラン。これらの有機シランを用いることにより、一般の有機合成反応、例えば鈴木、薗頭、根岸、熊田−玉尾、小杉−右田−スティル、アミノ化等のカップリング反応を利用して、屈折率制御機能、光吸収機能、発光機能又は電荷輸送機能等を有する様々な有機シリカを合成できる。 （もっと読む）

【課題】１次及び２次のリチウムイオン電池、色素増感型太陽電池、電気二重層キャパシタ、エレクトロクロミック表示素子等の電気化学デバイスの電解質として使用可能な、高いイオン伝導性を有し、より広い電位範囲で安定なイオン液体を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるアミノシロキサン系４級塩からなるイオン液体。


（式中、R¹，R²，R³，R⁶，R⁷，R¹⁰，R¹¹及びR¹²はアルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。R⁴，R⁵，R⁸及びR⁹は水素、アルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。R¹とR²、R⁴とR⁵、R⁶とR⁷、R⁸とR⁹、R¹⁰とR¹¹は、それぞれ一体となって環構造を形成しても良い。ｌ，ｍ，ｎは１以上１５以下の整数を示す。Ｙ^-は一価のアニオンを示す。） （もっと読む）

【課題】アルキルアルコキシシリル基により保護された水酸基を含有し、脱保護により脱離したシリル基がシルセスキオキサン骨格に組み込まれるアルコキシシランを提供する。
【解決手段】本発明は、下記一般式（１）で表される有機ケイ素化合物である。
【化１】


（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶は炭素数１から１０のアルキル基、アラルキル基またはアリール基であり、Ｒ³は炭素数２から１０のアルキレン基又は炭素数７から１０のフェニルアルキレン基を示し、ａおよびｂは、ａ≧０、ｂ≧１およびａ＋ｂ＝３を満たす整数である。） （もっと読む）

【課題】キャリア移動度が高く、有機半導体素子を用いた場合に良好な半導体特性を得ることができる有機半導体材料及びそれを用いた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】オリゴチオフェン部位と、連接部位Ｇとを備える以下に示す構造を有する有機半導体材料。


（式中、Ｒ_１及びＲ_２は、置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアルケニル基であって、互いに同一または異なっていてもよく、ｎは自然数である。） （もっと読む）

【課題】レジストとしての物性に優れたポジ型レジスト組成物を与えることのできる環状シロキサン化合物及びそれを用いたポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物及び／又は下記一般式（１）で表される化合物を下記一般式（２）で表されるジビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる化合物を、下記一般式（３）で表されるモノビニル化合物とヒドロシリル化反応させて得られる環状シロキサン化合物である。


ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ^２−ＣＨ＝ＣＨ_２ （２）
ＣＨ_２＝ＣＲ^３−（Ｒ^４）_ｈ−Ｔ （３） （もっと読む）

【課題】化学的な安定性が高く、メソ構造の有機シリカの合成に有用な化合物の提供。
【解決手段】一般式（１）の有機シラン化合物。


（Ａｒは２価の芳香族有機基を、Ｒ^１は水素原子等を示し、Ｘは反応性置換基を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体製造における成膜原料として好適なハフニウムアミド錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム成分を含有する式：Ｈｆ［Ｎ（Ｒ_１）（Ｒ_２）］_４で示されるハフニウムアミド錯体を製造するに際し、式：Ａ（Ｏ_ｙＸＯ_ｎＲ_ｆ）_ｍで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加し、減圧蒸留を行い（但し、Ｒ_１及びＲ_２はメチル基又はエチル基を表わし、Ａは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。Ｘは炭素原子又は硫黄原子を表わす。ｍ,nは１又は２、ｙは１又は０を表わす。Ｒ_ｆは、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のペルフルオロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数４〜１２のヘテロアリール基を表わす。）、さらに得られた蒸留物に、式：Ｌｉ（ＮＲ_３Ｒ_４）で示されるリチウムアルキルアミドを添加し、減圧蒸留を行う（但し、Ｒ_３及びＲ_４はメチル基又はエチル基を表わす。）。 （もっと読む）

【課題】有機ケイ素組成物を精製するための方法を提供する。
【解決手段】有機ケイ素組成物を酸性ガスと接触させ、塩基性不純物との反応により該酸性ガスの塩を含む沈殿物を形成する工程、及び該酸性ガスの塩を除去して精製された有機ケイ素生成物を形成する工程を含む、アルコキシシラン又はカルボキシシラン及び塩基性不純物を含む有機ケイ素組成物を精製するための方法が提供される。 （もっと読む）

式Ｐ−Ｙ−Ｓｐ−Ｓｉ（Ｒ²）_n（ＯＳｉＲ¹₃）_(3-n) （Ｉ）の高純度の重合性シリコーンの製造方法であって、（ａ）式（Ｒ¹）₃ＳｉＯＳｉ（Ｒ¹）₃ （ＩＩ）のジシロキサン（１）を、酢酸（２）、硫酸（３）、および場合により酸性触媒（４）の存在下に装入し、（ｂ）−２０℃〜０℃の温度で、式Ｐ−Ｙ−Ｓｐ−Ｓｉ（Ｒ²）_n（ＯＲ³）_(3-n) （ＩＩＩ）の置換されたアルコキシシラン（５）を計量供給し、（ｃ）相分離の後で、酸性相（下相）を分離し、（ｄ）アルコキシシラン（５）１モルに対して、０．０２〜１．０モルのヘキサメチルジシラザン（６）を添加し、（ｅ）生じた塩を濾別した後で、易揮発性成分を除去し、かつ生成物を蒸留し、かつ場合により（ｆ）引き続き生成物を濾過する［上記の式中で、Ｓｐは、単結合を表すか、または１〜８個の炭素原子を有する二価の炭化水素基を表し、Ｙは、単結合または−Ｏ−を表し、Ｐは、アクリルオキシ基、メタクリルオキシ基、ビニル基またはアリル基を表し、ｎは、０、１または２であり、Ｒ¹およびＲ²は、それぞれ１〜１８個の炭素原子を有し、置換されていてもよい一価の炭化水素基を表し、かつＲ³は、１〜８個の炭素原子を有し、アルコキシ基により置換されていてもよいアルキル基を表す］高純度の重合性シリコーンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物、特に、二層、あるいは多層レジストに好適な感光性組成物、感光性組成物に好適な樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して脱離する基を有する特定のシロキサン単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、および（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする感光性組成物、該樹脂、および該樹脂の製造に好適な化合物、および該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】低温蒸着可能なゲルマニウム前駆体を用いた相変化層の形成方法及びその方法を用いた相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層が形成される下部膜上に第１前駆体を供給する段階を含むが、第１前駆体はＧｅを含み且つ環を有する２価の前駆体であることを特徴とする相変化層の形成方法とその方法を用いたメモリ素子の製造方法。第１前駆体は環状ゲルミレン系及び巨大環状ゲルミレン系のうちいずれか１つのＧｅ化合物またはＧｅ−Ｎ結合を含む環状ゲルミレン系及び巨大環状ゲルミレン系のうちいずれか１つのＧｅ化合物でありうる。相変化層は、ＭＯＣＶＤ、サイクリック−ＣＶＤ及びＡＬＤのうちいずれか一方式で形成しうる。この際相変化層の組成は、蒸着圧力、蒸着温度または反応ガス供給量で調節でき、圧力範囲は０．００１ｔｏｒｒ〜１０ｔｏｒｒ、蒸着温度の範囲は１５０℃〜３５０℃、反応ガスの供給量は０〜１ｓｌｍでありうる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ホスホアミジネートリガンドを含有する有機金属化合物が提供される。かかる化合物は蒸着前駆体としての使用に特に好適である。かかる化合物を用いた、ＡＬＤおよびＣＶＤなどによる薄膜を堆積させる方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】レーザー光線の照射によって効率よく回路形成を行うことができる電気基板材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）、式（２）および式（３）に例示されるシルセスキオキサン骨格を含む重合体からなる合成樹脂成形体の表面に金属微粒子が付着した材料にレーザー光線を照射して電気回路基板を作製する。


式（１）、式（２）および式（３）において、それぞれのＲは独立してフェニル、シクロペンチル、シクロヘキシル、炭素数が１〜１０のパーフルオロアルキルまたはｔ−ブチルであり、それぞれのＲ¹は独立して炭素数１〜４のアルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

【課題】高移動度で耐久性に優れた有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々Ｏ，Ｓ又はＳｅを表す。ｎ１、ｎ２は、各々１〜３の整数を表す。〕 （もっと読む）

【課題】従来の欠点を有しないか、又は少なくとも実質的に改善された窒化タンタル及び窒化ニオブ薄膜をＣＶＤ法で成膜するための新規な前駆物質を提供する。
【解決手段】下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。
（もっと読む）

【課題】窒素含有オルガノシラン又は酸素含有オルガノシランを、酸により触媒される侵食から安定化させ、そして生ずる分解を妨ぐための方法の提供。
【解決手段】製品の分解の影響を受けやすい、少なくとも一つのＳｉ−Ｈ又はＮ−Ｈ基を有する窒素含有オルガノシランを、（ａ）残余のアニオン又は金属カチオンを除去するための弱塩基性イオン交換媒体と接触させる段階、（ｂ）前記オルガノシランを前記弱塩基性イオン交換樹脂から分離する段階、（ｃ）前記オルガノシランを蒸留する段階よりなる処理を施す。上記Ｓｉ−Ｈ基を侵食するアニオン又は酸が排出され、この分解が妨げられる。これらのアニオンに低濃度で曝露しても、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素膜の使用に関する半導体の加工において、重大な分解を生じ、そして製品安定性及び長期間の有効期間に重大な影響が生じうる。 （もっと読む）