【課題】配位子や求核触媒等として有用なイソキノリン誘導体を、光学分割の工程を経ることなく簡易な方法で製造できるイソキノリン誘導体の製造方法の提供。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物と、をロジウム金属及び光学活性ビスホスフィンを含む触媒の存在下で反応させて一般式（３）で表される軸不斉イソキノリン誘導体を得る工程。〔Ｑ：＝Ｎ−など、Ｚ：Ｏなど]。
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【課題】ＣＯ_２等の酸性ガスを選択的に分離・精製するための吸収剤の提供。
【解決手段】イミダゾリウム、ピリジニウム、ピロリジニウム、ピペリジニウム、アンモニウム及びホスホニウムから成る群より選ばれるカチオン、並びに下記一般式（７）：


｛式中、Ｒ’_１、Ｒ’_２、Ｒ’_３及びＲ’_４は、明細書に記載の通りである。｝
で表されるボレートを含むイオン液体。 （もっと読む）

【課題】優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】イソフタル酸とその誘導体と、マグネシウムイオン、カルシウムイオン、亜鉛イオン等のの金属イオンと、下記一般式（ＩＩ）；


（式中、Ｘはメチン基または窒素原子であり、Ｒ^５〜Ｒ^１２は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子である。）で表される該金属に二座配位可能な有機配位子（ＩＩ）とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】 有機塩基として有用な塩基性イミノホスファゼニウム塩を長期間安定に保存することが可能な保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 塩基性イミノホスファゼニウム塩を、溶解度パラメータ１０（ｃａｌ／ｃｍ^３）^１／２以上であるプロトン性有機溶媒を少なくとも１種類以上含有する溶媒に溶解してなる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液であって、溶解後１０日経過した該塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液中の塩基性イミノホスファゼニウム塩を^１Ｈ−ＮＭＲにより測定した際の（２．８４〜２．８８ｐｐｍのピークの積分値／２．８０〜３．００ｐｐｍの範囲のピークの積分値）×１００で示される塩基性イミノホスファゼニウム塩の残存率が９０％以上である保存安定性に優れる塩基性イミノホスファゼニウム塩溶液。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性を損なわずに樹脂成形体の難燃性を高める環状ホスファゼン化合物を実現する。
【解決手段】式（１）で表されるオリゴ乳酸セグメントを有する環状ホスファゼン化合物。


式（１）中、ｎは１〜６の整数を示し、Ａは少なくとも一つがオリゴ乳酸セグメントを有するフェニレンオキシ基であり、他が炭素数６〜２０のアリールオキシ基である。


式（２）中、Ｅ^１〜Ｅ^５は、少なくとも一つが式（３）で示されるオリゴ乳酸セグメントを有する基であり、他が水素原子又はヒドロキシメチル基、炭素数１〜６のアルキル基およびアルケニル基から選ばれる基である。


式（３）中、ｐは１〜６，０００の整数を示し、Ｌは、乳酸残基である。 （もっと読む）

【課題】光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体の工業的に有利な製造方法を提供すること。
【解決手段】ホスフィン−ボラン化合物（１）を脱ボラン化した後、リチオ化し、次いで、その反応生成物を、Ｒ^aＰＸ’₂で表されるアルキルジハロゲノホスフィンと反応させた後、Ｒ^bＭｇＸ”で表されるグリニャール試薬と反応させて、光学活性な１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体（Ａ）を得る。Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ¹とＲ²とでは炭素数が異なる。Ｒ^aはＲ¹及びＲ²の一方であり、Ｒ^bはもう一方である。Ｘ、Ｘ’及びＸ”はハロゲン原子を示す。
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【課題】特定の構造で示される金属錯体を短時間で、高収率で得ることができ、且つ、通常の反応容器を使用して引火性の高くない有機溶剤で生産できる製造方法を提供する。
【解決手段】金属塩（Ａ）、グリオキシム及び置換グリオキシム化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）並びにハロゲン化ホウ素（Ｃ）を、２０℃における誘電率が１．８〜４．０の有機溶剤を含有する有機溶媒の存在下で反応させて得る、特定の構造で表される金属錯体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 有機電界発光素子材料として好適な芳香族複素環２座配位子を有するシクロメタル化イリジウム錯体を、ハロゲン原子を含まないイリジウム原料から1段階で簡便に収率良く得るための新たな製造方法を提供すること。
【解決手段】 酢酸イリジウムと芳香族複素環２座配位子とを反応させることにより、所望のシクロメタル化イリジウム錯体を１段階で簡便に収率良くかつ純度良く得られる。
本発明の方法で得られたイリジウム錯体は、塩化イリジウムを用いた従来の製造方法とは異なり、発光素子の特性に悪影響を与える塩素は残留せず、高耐久性の発光素子を作製できる。また、トリス（２，４−ペンタンジオナト）イリジウム(III)を用いた従来の製造方法と比べて、より低温の穏和な条件で反応を行うことができるので、所望のイリジウム錯体を収率よくかつ簡便に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】実質的に不純物を含まないリン酸ジエステル塩を高収率かつ高純度で得られる製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）：（Ｒ^１−Ｏ）（Ｒ^２−Ｏ）（Ｒ^３−Ｏ）Ｐ＝Ｏで表されるリン酸トリエステル（Ａ）［式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は同一でも異なっていても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち２つ以上の基が互いに結合して環構造を形成していても良い。］と式（２）：（Ｒ⁴）（Ｒ⁵）ＮＨで表される２級アミン（Ｂ）［式（２）中、Ｒ^４〜Ｒ^５は同一でも異なっていても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４とＲ^５は互いに結合して環構造を形成していてもよい。］とを水の不存在下で反応させることを特徴とするリン酸ジエステル塩の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子、ＬＥＤ等に有用な新規遷移金属錯体を容易に製造できる方法の提供。
【解決手段】一般式（Ｉ）[Ｒ^１ＣＨ＝ＣＲ^２−Ｚ^１−ＮＲ^３−ＣＨ−Ｙ^１−Ｒ^４］^ｔ＋Ｘ^ｔ−で表される化合物を、Ｑ_qＭ^１Ａ^１_ｍＬ_ｎで表される化合物(例えばＩｒＣｌ₃）と反応させて、下記一般式（II）で表される遷移金属錯体を製造する方法において、該反応系にＭ^２_ｊＡ^２_ｋで表される化合物（例えば炭酸銀）を存在させる。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、各々独立に、任意の置換基を表し、それぞれ隣接するＲ¹〜Ｒ⁴同士で、環を形成していてもよい。Ｚ^１は直接結合或いは２価の連結基を表す。Ｙ^１は２価の連結基を表す。Ｘは対アニオンを表す。ｔは１以上の整数を表す。Ｍ１は周期表第６周期の遷移金属を表し、Ｌはモノアニオン配位子を表し、ｎは０以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】アミノメチレンホスホン酸中の未反応のホルムアルデヒドを収率良く、簡便な設備、簡単な操作で危険物の発生なく除去するための高純度アミノメチレンホスホン酸の製造方法を提供する。
【解決手段】高純度アミノメチレンホスホン酸の製造方法において、回分式蒸留装置を用いて水分濃度が３５〜６０重量％の粗アミノメチレンホスホン酸水溶液を蒸留するに際し、蒸留中に蒸留釜に水を添加する工程を有し、且つ添加する水の総量を粗アミノメチレンホスホン酸水溶液の仕込み重量に対して少なくとも０．５倍量とすることを特徴とする高純度アミノメチレンホスホン酸の製造方法。 （もっと読む）

【課題】強い活性を有し、従来の制癌剤に比べて軽減された副作用を示し、広い範囲の腫瘍の治療が可能となるような、新規な医薬および／または薬物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


で表される新規なピペラジル−置換ピリジルアルカン類を含有する薬物。化合物としては例えば、N-[3-(4-ジフェニルメチルピペラジン-1-イル)-プロポキシ]-3-ピリジン-3-イル-アクリルアミドが例示される。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲンイオンを実質含まないホスホニウム・ＢＦ₄塩の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】 特定の構造を有するホスホニウム塩の製造方法であって、トリアルキルホスフィンに、ホルムアルデヒドジアルキルアセタールと三フッ化ホウ素又はその錯体とを反応させることを特徴とするホスホニウム塩の製造方法。トリアルキルホスフィンとしては、炭素数１〜８のアルキル基が置換したトリアルキルホスフィンが挙げられ、ホルムアルデヒドジアルキルアセタールとしては、アルキルの炭素数が１〜４のホルムアルデヒドジメチルアセタールが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】光開始剤であるアシルホスフィンオキシド又はアシルホスフィンスルフィドの製造のための出発材料として適する、金属化アルキルアシルホスフィンの製造方法を見出す。
【解決手段】下記の化合物は


非対称のビスアシルホスフィンオキシド及びモノアシルホスフィンオキシドの製造のための貴重な中間体である。これらの光開始剤は、酸化的乾燥系の硬化用の開始剤としても適切である。本発明の化合物は、乳化重合、粒状重合、懸濁重合の開始剤として、又は液晶のモノ−及びオリゴマーの配向状態を固定する重合の開始剤として、又は有機材料に染料を固着するための開始剤としても、また、放射線硬化性粉末被覆のラジカル光開始剤又は光開始剤系として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】カルボニル化合物の不斉還元反応における反応性、エナンチオ選択性などの点で優れた触媒活性を有する新規ルテニウム錯体、それを用いた触媒、及びそれを用いた光学活性アルコール化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で示されるルテナサイクル構造を有するルテニウム錯体。


（式中、Ｐ⌒Ｐはジホスフィンを表し、Ｘはアニオン性基を表し、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは水素原子、アルキル基、アリール基等を表し、Ｒ^Ｎ１、Ｒ^Ｎ２、Ｒ^Ｎ３及びＲ^Ｎ４は水素原子等を表し、ｎは０〜３の整数を表し、Ａｒはアリーレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】紫外線（ＵＶ）により容易に硬化し、パターニングが可能であり、塗膜とした時に塗膜の均一性に優れ、アルゴンガスなどのエッチングガスを用いたエッチングに高い耐性を有する硬化物となる有機金属錯体化合物、該有機金属錯体化合物の製造方法および該有機金属錯体化合物を含む光硬化性組成物を提供すること。
【解決手段】光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を有するβ-ジケトン化合物と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタルおよびタングステンからなる群より選択されるいずれか１つの遷移金属の原子を有する遷移金属アルコキシド化合物とを、上記遷移金属の原子に対する上記β−ジケトン化合物のβ-ジケトン構造の当量比が２以上となる割合で反応させて得られる有機金属錯体化合物。 （もっと読む）

【課題】カルバペネム(carbapenem)中間体を用いてカルバペネム抗生物質を改善するプロセス、及びそのプロセスにおいてカルバペネムを回収する方法の提供。
【解決手段】本発明は、カルバペネム中間体を作り出して、エルタペネム(Ertapenem)、メロペネム(Meropenem)、及びドリペネム(Doripenem)を効果的に生成し、効率的な方法によって結晶母液中から産物を回収する方法である。
【化１】
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【課題】三重項発光錯体構造を分子内に有し、塗布法により発光層を形成しうる新規な発光体を製造するための錯体を提供する。
【解決手段】一般式（８）で示される錯体。



（式中、Ｌは水素原子、アルキル基、アリール基、複素環配位子、カルボキシル基、ハロゲン原子、アミド基、イミド基、アルコキシ基、アルキルメルカプト基、カルボニル配位子、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子等である。Ｍは、原子番号５０以上の原子で、スピン−軌道相互作用により本錯体において１重項状態と３重項状態間の項間交差が起きうる金属を示す。Ａｒは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子または燐原子の1つ以上でＭと結合する配位子である。ｍは、１〜５の整数を示す。oは、０〜５の整数を示す。Ｘは、ハロゲン原子、アリールスルホニルオキシ基、またはアルキルスルホニルオキシ基である。） （もっと読む）

【課題】高価な化合物や安全性に問題のある化合物を用いる必要がなく、高圧や高温を経る必要もない、ホスフィンオキシド誘導体からホスフィン誘導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】下記（１）式で表されるホスフィンオキシド誘導体を、トリアルキルシリルハライドを使用して、支持電解質の存在下、極性有機溶媒中で電解還元反応させることを特徴とする、下記（２）式で表されるホスフィン誘導体の製造方法。
（下記（１）及び（２）式において、Ａｒはフェニル基、置換基を有するフェニル基、複素芳香環基、及び置換基を有する複素芳香環基からなる群から選ばれるアリール基を示し、Ｒは脂肪族炭化水素基又は置換基を有する脂肪族炭化水素基を示し、ｎは０〜３の整数を示す。）


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【課題】 本発明の課題は、簡便な方法により、高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム及びその製法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、マンガン原子の含有量が0.3質量ppm以下で、ケイ素原子の含有量が0.1質量ppm以下、且つアルミニウム原子の含有量が0.1質量ppm以下であることを特徴とする、高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムによって解決される。
本発明の課題は、又、一般式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なっていても良く、炭素数１〜６のアルキル基を示す。）
で示されるジアルキルマグネシウムと、ジアルキルマグネシウム1モルに対して、2.05〜2.18モルのシクロペンタジエンを反応させた後、得られたビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムを減圧下で昇華精製させることを特徴とする、高純度ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウムの製法によっても解決される。 （もっと読む）