【課題】ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ等の（極）遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線に有効に感応し、感度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（１）で表されるスルホンイミド化合物と、酸解離性基含有化合物と、溶剤と、を含有する感放射線性組成物である。


（一般式（１）中、Ｍ^＋は一価のオニウムカチオンを示し、Ｙは、カルボニル基等を示し、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、相互に独立に、炭素数１〜１２の直鎖状又は分岐状のアルキル基等を示す。） （もっと読む）

【課題】ダブルパターンニングに用いられ、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】所定の工程としてダブルパターニングを行うことを含むレジストパターン形成方法で用いられ、（ａ）ラクトン構造もしくは環状カーボネート構造を有する繰り返し単位を含み、さらに酸不安定基を有する繰り返し単位を含む重合体と、（ｂ）感放射線性酸発生剤と、（ｃ）溶剤と、を含有する感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】難燃性を示し、充分な発泡性を有するゴム組成物の提供と、該ゴム組成物を架橋発泡することで得られる、低比重かつ表面平滑性に優れるゴム成形体を提供する。
【解決手段】エチレン・α−オレフィン・非共役ジエンランダム共重合体[Ｉ]と該共重合体１００重量部に対して、１５０〜３００重量部の塩化ビニルおよび／または難燃剤[II]、５〜５０重量部の軟化剤[III]、および１０〜５０重量部の発泡剤を含むことを特徴とするゴム組成物であって、該ゴム組成物を架橋発泡成形して得られる架橋発泡体が難燃性（ＵＬ９４規格に基づくＨＢＦ試験で、ＨＦ-１のグレードに合格するレベル）を示し、比重が０．０３〜０．３、発泡体の表面粗度が３０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラクトン骨格含有（メタ）アクリル系化合物を単量体として用いる重合体の重合方法において、欠陥の原因となりやすい分子量の非常に高い成分の生成を限りなく抑制した半導体レジスト用重合体の重合方法及びその方法により得られる半導体レジスト用重合体を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レジスト用重合体の重合方法は、原料単量体として、ラクトン骨格を含有する（メタ）アクリル系単量体（Ａ）、及びラクトン骨格を含有しない単量体（Ｂ）が用いられ、前記単量体（Ａ）及び前記単量体（Ｂ）を含む単量体溶液（ｉ）を、反応系に３０分間以上かけて加えながら重合し、該重合の開始から３０分間以上経過した後に、前記単量体（Ａ）を含む単量体溶液（ｉｉ）を、反応系に更に加えて重合を行う。 （もっと読む）

【課題】真空成型、圧空成型、プレス成型などの延伸を伴う成型によっても、優れた低表面エネルギー性と帯電防止性を発揮する樹脂成型品及び照明カバーを提供する。
【解決手段】アクリル樹脂成型品は、アクリル樹脂からなる基材に表面機能層が積層されたアクリル樹脂シートを、延伸して成型して成ることを特徴とする。表面機能層は、撥水基を有するアクリル樹脂（Ａ）と針状の導電性金属酸化物（Ｂ）とを含み、針状の導電性金属酸化物（Ｂ）の含有量がアクリル樹脂（Ａ）の固形分１００質量部に対して１０質量部〜１５０質量部である。このアクリル樹脂成型品を照明カバーに用いる。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネスの低減、温度変化に対しての線幅変動低減、また高解像性の化学増幅ポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】芳香環を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、窒素原子を側鎖に有する特定の繰り返し単位を含む高分子化合物（ＰＢ）、及び、スルホン酸のスルホニウム塩を側鎖に有する特定の繰り返し単位と、酸分解性保護基で保護された酸性側鎖を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物（ＰＡ）を含有する化学増幅ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】良好な解像性能を有し、特に、レジストパターンの均一形成性及びマスク再現性にすぐれた感放射線性樹脂組成物及びその感放射線性樹脂組成物に好適に用いられる重合体を提供する。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（１）と、環状カーボネート構造を含む構造単位とを有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である（下記式（１）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基である。）。
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【課題】ダイレクトメタノール型燃料電池に使用する、高いプロトン伝導度と、メタノールのクロスオーバー現象を抑制するための低メタノール透過性の固体電解質膜を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビス（パーフルオロアルカンスルホニル）メチド部位を含む繰り返し単位を有する樹脂からなることを特徴とする固体電解質膜。


（式中、Ｒは水素原子またはメチル基、Ｙは酸素原子またはＮＨを表す。Ｒ_fは炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。Ｗは連結基であり、炭素数２〜４の直鎖状もしくは炭素数３〜４の分岐鎖状のアルキレン基、または炭素数５〜８の環状の炭化水素基であり、分岐鎖または橋架け構造を有してもよい。） （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）高分子化合物又は高分子化合物の混合物による膜がアルカリ性現像液に不溶性であり、酸の作用により可溶性に変化する高分子化合物又は高分子化合物の混合物、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）酸の作用を抑制するための塩基性化合物、
（Ｄ）溶剤
を含有し、
上記（Ｃ）成分は、塩基性活性点として２級又は３級アミン構造を持つ側鎖を有する繰り返し単位を持つ高分子化合物であると共に、上記（Ａ）成分である高分子化合物の一部又は全部である電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上記化学増幅ポジ型レジスト組成物を用いることで、塩基の存在を均一にでき、ラインエッジラフネスの改善、更には温度依存性の抑制ができ、高解像度が期待できる化学増幅ポジ型レジスト組成物を提供できる。 （もっと読む）

【課題】通常のドライプロセスに加え、線幅４５ｎｍ以下の液浸プロセスにも適合した、ＤＯＦ、パターン倒れ、及び疎密依存性が改良された感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のラクトン構造を有する繰り返し単位と、特定のスルホンアミド構造を有する繰り返し単位とを含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】モールドの作成において、感度及び解像力に優れるとともに、ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能にも優れたパターンを形成可能な、モールドの作成に用いられる化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】特定の酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂を含有する化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜。 （もっと読む）

【課題】パターン形状とラフネス特性との双方に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、下記一般式（１）により表される繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、前記膜を露光することと、前記露光された膜を、濃度が２．３８質量％未満であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像することとを含んでいる。
【化１】
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【課題】 半導体製造の特にコンタクトホールパターン形成において、現像欠陥を充分に低減できるとともに、焦点深度（ＤＯＦ）に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）特定構造を有する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）２つ以上の極性変換基を有する繰り返し単位を含有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂感光性組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス、現像欠陥並びにパターン倒れが改善され、更に、液浸露光時に於ける液浸液に対する追随性が良好であるパターンを形成することが可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる構造部位（Ｓ１）と、アルカリ現像液の作用によりアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位（Ｓ２）とを備えた繰り返し単位を含んだ樹脂、
（Ｂ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、
（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィプロセスにおいて使用されうる感放射線性ポリマーおよび組成物が提供される。このポリマーおよび組成物は活性化放射線に対して向上した感受性を提供する。
【解決手段】第１の形態に従って、ポリマーが提供される。ポリマーはポリマー骨格およびポリマー骨格に共有結合したモノマー系光酸発生剤を含む。光酸発生剤は、重合性スルホナートアニオンを有するスルホニウム塩またはヨードニウム塩の１種以上に由来する。 （もっと読む）

【課題】単量体の重合転化率が高く、分子量が大きいフッ素含有重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）（但し、Ｒ^１は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ^２は、単結合、又は２価の炭化水素基を示し、Ｒ^３は、水素原子、又は１価の有機基を示し、Ｒｆ^１は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子置換されたアルキレン基を示す。）で表される単量体（１）を含有する単量体成分を、下記一般式（Ｓ）（但し、Ｒ^４は、水素原子又は１価の有機基を示し、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はアセチル基を示し、ｉは０以上の整数を示す。）で表される溶媒（Ｓ）を含有する溶媒成分中で重合することを含む重合体の製造方法を提供する。
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【課題】ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカムの諸性能が改善され、かつ液浸液の後退接触角ならびに水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する含フッ素化合物、および（Ｆ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。 （もっと読む）

【課題】 特性が向上したスルホンアミド含有フォトレジスト組成物およびフォトレジストをパターニングする方法を提供する。
【解決手段】 高解像度、低ぼけ撮像のための向上した特性を有するリソグラフィ・プロセスで用いるためのスルホンアミド含有フォトレジスト組成物を提供する。また、レジスト・オン・レジスト用途のためのアルコール可溶性フォトレジストも提供する。本発明のスルホンアミド含有フォトレジスト組成物は、式（Ｉ）に示すような分岐連結基を有するスルホンアミド置換反復単位を有するポジティブ・トーン・フォトレジスト組成物を含む。
【化１】
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【課題】 本発明は、単層レジストプロセス、多層レジストプロセス、サイドウォールスペーサー法用等のレジスト膜の下層のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、現像後のレジストパターンの裾引きが抑制され、また、アンダーカット形状や逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れがないレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、光及び／又は熱によってスルホン酸を発生する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化１】
（もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、パターンプロファイル、パターン倒れ、スカムの諸性能が改善され、かつ液浸液の後退接触角ならびに水追随性も優れたポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つ含有する含フッ素化合物、および（Ｆ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。 （もっと読む）