【課題】粒子を小さくしても粒子同士の凝集を抑制して粒子の独立性を高くすることができ、磁性塗料に使用した場合に分散性を向上させることができるとともに、嵩密度を高くすることができる、金属磁性粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】オキシ水酸化鉄（α−ＦｅＯＯＨ）のスラリーにカルボキシル基を有する化合物からなる分散剤を添加してオキシ水酸化鉄のスラリーを湿式粉砕し、得られたオキシ水酸化鉄の粒子の表面に（イットリウムを含む）希土類元素から選ばれる１種以上を含む焼結防止成分を被着させた後にオキシ水酸化鉄を還元することにより、金属磁性粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】原子比率による組成式が、Ｒ_ｘＴ_{１００−ｘ−ｙ}Ｍ_ｙ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であってＮｄ及び／又はＰｒを必ず含み、Ｔは遷移元素のうち少なくとも一種であってＦｅを必ず含み、ＭはＢ又はＢとＣであって５０原子％≦Ｂ／Ｍを満足する）で表され、ｘ、ｙが、１７≦ｘ≦２０、７≦ｙ≦１０を満足する組成からなり、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】保磁力が向上し製造工程が短縮された磁性材料用粉末の製造方法及び保磁力が向上した永久磁石を提供する。
【解決手段】磁性材料用粉末の製造方法は、磁性材料用粉末の原料及び前記原料に拡散させる拡散材料を反応炉内へ投入する原料投入工程と、前記反応炉内へ水素を供給すると共に前記反応炉内を加熱しつつ、前記原料及び前記拡散材料を撹拌する撹拌工程と、前記撹拌工程で撹拌された前記原料を前記反応炉内で水素化分解させて分解生成物を得る水素化分解工程と、前記反応炉内で前記分解生成物から水素を放出させ、前記分解生成物の水素濃度を低減し磁性材料粉末を得る脱水素再結合工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来の金属ナノ粒子合成手法における、水中の還元雰囲気下での合成では金属ナノ粉子が短時間で酸化され易く、表面を種々の方法で被覆しても、不安定で、水中では、特にその被覆物が離脱して、次第に表面から酸化されてしまうなどの問題を解決する。
【解決手段】高温高圧状態の、亜臨界ないし超臨界水中での水熱還元プロセスを適切な還元剤存在下に行い、生成ナノ粒子の表面が金属状である金属又は合金ナノ粒子を得る。これにより、触媒、記憶材料、発光材料、オプトエレクトロニクスなどの広範な分野での利用が期待されている、例えば、性状の優れたコバルトナノ粒子を、簡単な手法で、低コストに且つ安定的に製造できる。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、粒径分布が均一で、かつ、凝集の少ない金属ナノ粒子を、高価な装置や複雑な操作を必要とすることなく製造し得る方法を提供すること。
【解決手段】本発明の金属ナノ粒子の製造方法は流通方式によるものである。この製造方法は、金属源化合物と親水性有機溶媒と該金属源化合物に対して配位可能な有機化合物とを含む第１原料液と、親水性有機溶媒を含む第２原料液とを混合し、最終原料液を調製すること；および、最終原料液を加熱および加圧して親水性有機溶媒を超臨界状態として、ソルボサーマル法に供すること；を含む。 （もっと読む）

【課題】還元拡散法を利用し希土類−鉄合金粉末を均一に窒化することで、磁気特性を向上させる希土類−鉄−窒素系磁石粉末の製造方法、及び得られる希土類−鉄−窒素系磁石粉末を提供。
【解決手段】希土類酸化物粉末、鉄粉末、及び該希土類酸化物を還元するための還元剤を混合し、この混合物を還元拡散法により非酸化性雰囲気中で加熱焼成して希土類−鉄母合金を含む還元拡散反応生成物を得る工程、得られた希土類−鉄母合金を窒化処理する工程とを含む下記の一般式（１）で表される希土類−鉄−窒素系磁石粉末を得る製造方法において、前記希土類酸化物を鉄粉末、及び還元剤と混合する前に、前記希土類酸化物のイグロス成分を０．１質量％以下に低減する条件で加熱乾燥処理することを特徴とする希土類−鉄−窒素系磁石粉末を得る製造方法などにより提供。
Ｒ_ａ Ｆｅ_{（１００−ａ−ｂ）} Ｎ_ｂ ・・・（１）
（式（１）中、Ｒは１種類または２種以上の希土類元素であり、またａ、ｂは原子％で、４≦ａ≦１８、１０≦ｂ≦１７を満たす。） （もっと読む）

【課題】水素粉砕粉の酸素含有量を調整することができ、また、酸素含有量が調整された低酸素水素粉砕粉と通常酸素水素粉砕粉の水素粉砕後の水素粉砕粉の回収、水素粉砕粉への潤滑剤の添加、水素粉砕粉と潤滑剤の混合を共通の容器で行うことができる希土類系磁石用原料合金の水素粉砕粉の製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】 回収室内を減圧した後に、処理容器内の水素粉砕粉を回収室内に排出し、水素粉砕粉を回収室内に排出した後に、回収室内に不活性ガス及び／又は酸素含有ガスを導入し、回収室内を所定圧力及び所定酸素濃度とした後に、水素粉砕粉を回収容器に回収する。回収容器内で水素粉砕粉に潤滑剤を添加した後、回収容器を冷却しながら水素粉砕粉と潤滑剤を混合する。 （もっと読む）

【課題】得られる希土類系磁石の酸素量を低減することにより、磁気特性の向上を図ることができ、また、水素粉砕粉の酸素含有量を調整することができることができる希土類系磁石用原料合金の水素粉砕粉の回収方法及び回収装置を提供すること。
【解決手段】 回収室内を減圧した後に、処理容器内の希土類系磁石用原料合金を回収室内に排出し、希土類系磁石用原料合金を回収室内に排出した後に、回収室内に酸素含有ガスあるいは酸素含有ガスと不活性ガスを同時に導入し、回収室内を所定圧力及び所定酸素濃度とした後に、希土類系磁石用原料合金を回収容器に回収することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真球に近く且つ粒度が揃った微小球状金属粒子の製造方法に関するもので、特にナノコンポジット構造を有する微小球状金属粒子を製造するに適した方法を提供する。
【解決手段】遠心力により中心部から放射状に遠心場に飛散する溶融金属小滴を、アルゴンを主体とするガスの環状上昇流と遠心場中で強制的に接触させることを特徴とする。具体的には、高速水平回転するディスク４の上に溶融金属を供給し、溶融金属に遠心力を作用させて小滴として放射状に遠心場に飛散させ、ディスクの上面より下方で且つディスクに対して同心円をなす位置に設置されたドーナツ状のガス供給管８に上向き又は斜め上向きに設けたスリット状開口９から放出されるアルゴンを主体とするガスの環状上昇流と遠心場中で強制的に接触させる。 （もっと読む）

【課題】合金粉末全体に窒素を均一に供給することにより、均一に窒化され磁気特性が向上した希土類−遷移金属−窒素磁石粉末の製造方法、工業的量産性に適した製造装置及び得られる希土類−遷移金属−窒素磁石粉末、それを用いたボンド磁石用組成物、並びにボンド磁石を提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表されるピニングタイプの希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末を得る製造方法において、該粉末を窒化する際、窒化炉１に設けられた２箇所以上の供給口１０から窒化用ガスを流通することを特徴とする磁石粉末の製造方法などにより上記課題を解決する。Ｒ_αＦｅ_{（１００−α−β−γ）}Ｍ_βＮ_γ・・・式（１）（式（１）中、Ｒは希土類元素の一種または二種以上、ＭはＣｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＮｉおよびＺｒからなる群から選択される一種または二種以上、α、β、γは原子％であり、４≦α≦１８、０．３≦β≦２３、１５≦γ≦２５を満たす。） （もっと読む）

【課題】出発原料の製造条件の違いにかかわらず一定して高い保磁力を有する希土類磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】分散したＮｄを含有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系希土類磁石材料のＨＤ処理前のＮｄ間隔を測定する工程、そのＮｄ間隔に応じてＨＤ処理を行う温度を設定する工程、およびこの設定した温度で前記磁石材料のＨＤ処理を行う工程、を含むＮｄを分散させた希土類磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた２種の元素である元素Ａ‐１と元素Ａ‐２と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（Ｃｅ、およびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である元素Ｄとを含み、前記元素Ａ‐１の単体または固溶体である第１の相と、前記元素Ａ‐２の単体または固溶体である第２の相と、前記元素Ａ‐１と前記元素Ｄとの化合物である第３の相とを有することを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁性粉末を製造する装置のスケールアップに伴って反応炉内における水素化分解反応の発熱量が増大しても、優れた磁気特性を有する磁性粉末を十分に効率的且つ安定的に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系磁性粉末の製造方法は、被処理物を収容した反応炉の炉内を昇温し、被処理物を水素化分解させて分解生成物を得る水素化分解工程と、分解生成物から水素を放出させてＲ−Ｔ−Ｂ系磁性粉末を得る脱水素再結合工程とを備え、水素化分解工程において、被処理物の水素化分解反応開始時における反応炉の昇温速度を５℃／分以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外枠型からの内枠型および金属圧粉体の取り出し時における、金属圧粉体の破損を簡易に防止することができる金属圧粉体の製造方法を提供すること。
【解決手段】外枠型２と、その外枠型２に嵌合される分割可能な内枠型３とを備える金型１を用意し、次いで、内枠型３の内枠内側面８に、窒化物の膜１０を形成し、次いで、内枠型３内において、膜１０に接するように、金属の粉末を充填し、金型１において、粉末を圧力成形して、金属圧粉体１１を得て、その後、金型１から内枠型３および金属圧粉体１１を取り出した後、内枠型３から、金属圧粉体１１を取り出す。 （もっと読む）

【課題】磁気特性が向上した希土類−遷移金属−窒素磁石粉末の製造方法、製造装置及び得られる希土類−遷移金属−窒素磁石粉末、それを用いたボンド磁石用組成物、並びにボンド磁石を提供。
【解決手段】還元拡散法により、遷移金属合金粉末、希土類酸化物粉末、及び該希土類酸化物を還元するための還元剤を混合し、該混合物を非酸化性雰囲気中で加熱焼成して希土類−遷移金属系母合金からなる還元拡散反応生成物とする工程と、この還元拡散反応生成物を窒化炉に装入し、窒化用ガスを流通しながら加熱し、窒化処理して希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末を得る製造方法において、前記希土類−遷移金属合金粉末を窒化する際、窒化用ガスが、窒化炉１に設けられた２箇所以上の供給口１０から流通され窒化を均一に行う。 （もっと読む）

【課題】高残留磁束密度、高保磁力の焼結磁石であるＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石となるためのＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石用合金を作製する。
【解決手段】焼結磁石全体に亘って結晶粒の主相外殻にＤｙの多いＲ_２Ｔ_１４Ｂが存在するＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石を作製できるように、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ母合金１と重希土類元素ＲＨの金属又は合金のＲＨ拡散源２とを処理室３内にて連続的または断続的に移動させながら、雰囲気圧力１０Ｐａ以下６００℃以上１０００℃以下の熱処理を１０分以上４８時間以下行い、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石用合金の主相であるＲ₂Ｔ₁₄Ｂ化合物の結晶とそれ以外の相との界面部分に重希土類元素ＲＨの濃度が高い領域を連続して生成する。 （もっと読む）

【課題】希土類磁石が組み込まれた機器類に対し、予め分解し磁石を取り出すことなく、脱磁処理および粉砕処理を一度に行い、希土類合金粉末を回収するための希土類磁石の回収方法を提案する。
【解決手段】希土類磁石３が組み込まれた機器類１から希土類合金粉末４を回収する希土類合金粉末回収方法であって、希土類磁石３が組み込まれた機器類１ごと水素雰囲気炉２に投入し、水素雰囲気炉２内を水素吸収現象を生じさせる温度まで昇温して一定時間保持することにより、希土類合金に多数のクラックを発生させるとともに、上記希土類合金のクラック発生の際の発熱反応を利用し、上記希土類合金を脱磁して回収する。 （もっと読む）

【課題】磁気熱交換のための作動コンポーネントと磁気冷却のための作動コンポーネントを生産する方法を提供する。
【解決手段】磁気熱交換のための作動コンポーネントは，Ｌａ_１−ａＲ_ａ（Ｆｅ_{１−ｘ−ｙ}Ｔ_ｙＭ_ｘ）_１３Ｈ_ｚ，水素飽和値ｚ_ｓａｔの９０％以上の水素含有量ｚ，及び，キュリー温度Ｔ_ｃを提供するために選択されるａ，ｘとｙの値から成る磁気熱量活性相を含む。ＭはＡｌとＳｉからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，ＴはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，ＴｉとＶからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，そして，ＲはＣｅ，Ｎｄ，ＹとＰｒからなる群からの一種又は二種以上の元素である。Ｔ_ｃｍａｘは，水素含有量ｚ＝ｚ_ｓａｔと前記選択されたａ，ｘとｙの値を含むＬａ_１−ａＲ_ａ（Ｆｅ_{１−ｘ−ｙ}Ｔ_ｙＭ_ｘ）_１３Ｈ_ｚ相のキュリー温度である。作動コンポーネントは，（Ｔ_ｃｍａｘ―Ｔ_ｃ）≦２０ＫであるＴ_ｃを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金中のＤｙ濃度を高くすることなく、高い保磁力（Ｈｃｊ）が得られ、しかもＤｙを添加したことによる磁化（Ｂｒ）の低下を抑制でき、優れた磁気特性が得られるＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石を提供する。
【解決手段】Ｒ_２Ｆｅ_１４Ｂを主として含む主相と、主相よりＲを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、ＲはＮｄを必須元素として含む希土類元素であり、前記焼結体はＧａを必須元素として含み、前記粒界相が、希土類元素の合計原子濃度の異なる第１粒界相と第２粒界相と第３粒界相とを含み、前記第３粒界相は、前記第１粒界相および前記第２粒界相より前記希土類元素の合計原子濃度が低く、かつ前記第１粒界相および前記第２粒界相よりＦｅの原子濃度が高いＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石とする。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）