【課題】本発明は、金属酸化物膜の成膜性を向上させることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、ジケトン化合物またはケトエステル化合物を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性や結晶構造の結晶状態が、段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を、簡便な方法により得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解し、かつ、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸の濃度が異なる金属酸化物膜形成用溶液を、上記酸の濃度を変化させつつ、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材に接触させることにより、上記基材上に、結晶状態が段階的または連続的に変化した金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属酸化物膜の結晶状態を容易に調製可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、金属酸化物膜の結晶状態を変化させる酸を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】多孔質体内部におけるめっき皮膜の形成を抑制しつつ、多孔質体の表面をめっきする。
【解決手段】板状多孔質体の表面にめっき被膜を形成する多孔質体のめっき方法は、板状多孔質体１０が有する細孔により板状多孔質体１０の表面に形成される開口部を塞ぐように、板状多孔質体１０の一方の面上にマスク１２を配置する第１の工程（Ｂ）と、一方の面にマスク１２を配置した多孔質体１０を、めっき浴に浸漬してめっき処理する第２の工程（Ｃ）と、めっき処理した多孔質体１０から、マスク１２を除去する第３の工程（Ｄ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金ナノ粒子が表面に形成された金ナノ粒子−ハロイサイトナノチューブおよびそれを形成する方法を提供する。
【解決手段】金ナノ粒子をハロイサイトナノチューブの表面上に形成するために攪拌された懸濁液に金塩を加える。金塩によってハロイサイトナノチューブの表面には金イオンが形成される。金イオンが形成されたハロイサイトナノチューブに還元剤を加えると金イオンが金ナノ粒子に還元する。形成された金ナノ粒子は非常に小さい大きさを有し、ハロイサイトナノチューブの表面上に分布する。よって、別途の保護剤や表面改質を施すことなく容易に金ナノ粒子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】非貫通スル−ホ−ルを有するプリント配線板の無電解めっき方法において、従来、振動させたり、揺動させたりしてめっきをしていたが、貫通スルーホールや非貫通スル−ホ−ル中に発生した水素気泡を完全に取り除くことは困難で、そのためにスルーホール内にめっき液の供給が十分行われるとはいえず、その部分のスルーホール内に目的のめっきが形成されなかった。
【解決手段】 本発明は、めっき液に浸漬した前記プリント配線板に振動を与えながら無電解めっきする際に、合わせて流量に強弱をもたせたバブリングを前記プリント配線板の下方から加えることを特徴とするプリント配線板のめっき方法を提供することである。 （もっと読む）

【課題】触媒に含まれる貴金属の省資源化を図ると共に、導電性回路を形成する部分に無電解めっきを十分析出させることができる。
【解決手段】第１の基体１を粗化して、ポリ乳酸等からなる被覆材３を部分的に被覆して第２の基体２を形成し、触媒を付与する。被覆材３は疎水性を維持するため、水洗浄で完全に除去できる。次に被覆材３で被覆されていない部分１ｂに、浴組成が酸性または中性の無電解めっきを行なって導電性回路５を形成し、その後にアルカリ性溶液でこの被覆材を加水分解して除去する。被覆材３は耐酸性であるため、酸性または中性の無電解めっき液で溶解しない。また無電解めっき後に被覆材３を除去するため、被覆材３で被覆されていない部分１ｂに付与された触媒が、アルカリ性溶液によって脱落するという従来の問題は生じない。 （もっと読む）

【課題】めっき液の安定化を実現できるようにした基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板表面に無電解めっきを施すめっき処理槽１０と、めっき処理槽１０にめっき液を供給するめっき液供給槽１２と、めっき液供給槽１２内のめっき液を循環させるめっき液循環ライン２２と、めっき液供給槽１２内に配置されたｐＨ検出器３４の検出値を基にめっき液循環ライン２２から選択的に分岐して該めっき液循環ラインに合流するめっき液分岐循環ライン３０を有し、めっき液分岐循環ライン３０には、基板表面と同様な無電解めっき反応が生じる補助反応物を内部に有する補助反応ユニット３２が設置されている。 （もっと読む）

【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層１の被覆、活性化処理、保護多孔体層１の除去、基材表層への保護多孔体層２の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。
【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアホールの内部に、無電解めっきによって、コンタクト配線を連続的に形成でき、しかもコンタクト配線（めっき膜）が絶縁膜の表面にバンプ状に盛り上がることがないようする。
【解決手段】半導体基材上に積層した絶縁膜の内部に第１ビアホールと該第１ビアホールより深さの深い第２ビアホールを有する基板を用意し、第１ビアホール及び第２ビアホールの内部に、基板表面をめっき液に接触させた第１の無電解めっきによって、第１ビアホールがほぼ埋まるまでコンタクト配線を形成し、しかる後、基板表面と該表面に沿って流れるめっき液との相対速度を速めて第１ビアホール内に形成されたコンタクト配線の表面に成膜されるめっき膜の成長を抑制した第２の無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂基材の表面に形成することができるポリイミド樹脂基材の金属薄膜パターン形成方法及び金属薄膜回路パターン形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂基材の表面に形成されたパターンからなる凹部にアルカリ溶液を供給し、該アルカリ溶液と接触する該凹部の該ポリイミド樹脂のイミド環を開裂させてカルボキシル基を生成させて改質層を形成する工程と、該改質層に金属イオン含有溶液を接触させ、該カルボキシル基の金属塩を生成させる工程と、該金属イオン配位改質層を熱処理して金属イオンを還元し、金属薄膜パターンを形成する工程と、該金属薄膜パターンをシード層として無電解めっき又は電気めっきにより金属薄膜回路パターンを形成する工程とを含むことを特徴とするポリイミド樹脂基材への金属薄膜回路パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属銀部のめっき活性を高めることができ、高速のめっき処理が可能となる導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体１２上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フィルムを露光して現像し、金属銀部１６を形成する。その後、めっき物質を含まない電解液中で金属銀部１６をカソードとして被めっき材料３２を通電する。その後、通電後の被めっき材料３２に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部１６のみに第１めっき層２０を担持させる。その後、電気めっき処理を行って、第１めっき層２０上に第２めっき層２２を、第２めっき層２２上に第３めっき層２３を担持させる。 （もっと読む）

【課題】 表面粗さが良好で且つ密着力の高い金属膜を形成することが可能な高圧流体を
用いたプラスチックの表面改質方法を提供することである。
【解決手段】 高圧流体を用いたプラスチックの表面改質方法であって、高圧流体を用い
て界面活性剤をプラスチックの表面内部を浸透させることと、上記プラスチックに浸透した上記界面活性剤を溶媒で溶解して上記プラスチックの表面から上記界面活性剤を除去することとを含む表面改質方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

平均直径が３ｍｍ以下の複数のスルーチャネルを有するハニカム構造のような基体に、均一な膜コーティングを適用する方法および装置。本方法には、成膜材料を含む液体前駆体を基体に提供する工程と、基体に圧力差を与える工程とが含まれる。圧力差によって、液体前駆体は、スルーチャネルを均一に移動し、成膜材料がスルーチャネルの壁に堆積して、スルーチャネルの壁に成膜がなされる。本装置は、基体を保持し、複数のスルーチャネルに圧力差を維持することのできるチャンバを含む。
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【課題】基板の表面に、ムラのない、均一なめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を減圧雰囲気下で脱気して該めっき液に溶解していたガス成分を除去する脱気工程と、前記脱気工程により得られためっき液に基板を浸漬して該基板の表面にめっき層を形成するめっき工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚ムラの発生を抑制する。
【解決手段】開口部Ｋを有し下地膜Ｓ上に薄膜が形成される処理対象物１を支持してめっき液に浸漬される。開口部Ｋを閉塞する閉塞部７３を有する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきを行なう際の触媒溶液として、パラジウムなどの高価な金属を使用せず、且つ良好な触媒化作用を発揮するものを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、無電解めっき法で金属皮膜を形成する際に前段の処理として行なう触媒化処理に用いる触媒溶液として、銅（Ｉ）イオンとスズ（Ｉ）イオンとを含む触媒溶液を採用する。この触媒溶液では、スズ（Ｉ）イオンが銅（Ｉ）イオンの吸着プロモーターとして機能し、触媒化処理が進行する。そして、スズ（Ｉ）イオンを常に含んでいる触媒溶液中では、銅は安定して銅（Ｉ）イオンの形態で存在することになり、安定した触媒化処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】試料に損傷を与えない程度の強さのレーザ光や強度の小さい入射光の赤外線を照射しても、それぞれ強度が微弱なラマン散乱光や赤外吸収をさらに感度よく測定できるようにすることを目的とする。
【解決手段】振動分光分析を行うための表面増強振動分光分析用治具において、柱状構造体１１が配列された下地膜１２付きの基体を備え、柱状構造体１１の表面には金属膜１４が付着していることを特徴とする。また、柱状構造体１１は金属であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】還元剤として有毒なホルムアルデヒドを含まず、環境にやさしくかつ均一な銅堆積物をもたらす無電解メッキ用銅組成物の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤と、フルクトースおよびフルクトースエステルから選択される一以上の還元剤とを含む無電解銅メッキ組成物、および、該銅無電解メッキ組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含有しない環境にやさしく、かつ、安定で均一な銅堆積物をもたらす無電解銅メッキ組成物および無電解銅メッキ方法の提供。
【解決手段】一以上の銅イオン源と、ヒダントインおよびヒダントイン誘導体から選択される一以上のキレート化剤２０〜１５０ｇ／Ｌと、還元剤として１０〜１００ｇ／Ｌのピルブアルデヒドとを含む無電解銅メッキ組成物、および、該組成物を用いる複数のスルーホールを含むプリント配線板の無電解銅メッキ方法。 （もっと読む）