【課題】配線の耐折性が向上し且つ比較的低コストで製造できるフレキシブル銅張積層板及びＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを４０〜８０ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎを含む化合物からなる基板に密着性良く無電解めっきを形成する製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎを含む化合物からなる基板１１を硫酸銅溶液に浸漬してこの基板１１上にＣｕ薄膜１２を形成する。その後、該Ｃｕ薄膜１２が形成された基板１１にＣｕよりもイオン化傾向の大きな金属を接触させたまま無電解めっきを開始して、無電解めっき膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が０．８vol％以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック１８上に載置した基板１０を、ヒータブロック１８によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板１０の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽２２に貯留した蟻酸銅溶液を、基板１０の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板１０の所定面に窒化銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材２１と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材２１に浸透させる浸透工程と、高圧容器３に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器３内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器３内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材２１に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び／又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに／あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに／あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】鋼板の表面に銅を付着させることによって、自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度１１８０ＭＰａ以上を有する高張力鋼板を製造する方法及び該鋼板を提供する。
【解決手段】１１８０ＭＰａ以上の引張り強度を有する冷延鋼板に対して、無電解メッキ法、電解メッキ法、蒸着法などの公知の方法により、片面当たり１ｍｇ／ｍ^２以上２０００ｍｇ／ｍ^２以下のＣｕまたはＣｕ基合金皮膜を付着させる製造方法および鋼板。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 （もっと読む）

本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

【課題】所定の被処理面に対して高品質な表面処理を実施することが可能な表面処理装置および表面処理システム、表面処理方法、これによって処理された帯状薄体を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、帯状薄体Ｓにおける被処理面に沿って表面処理液Ｘを流下させて表面処理を行う装置であって、帯状薄体Ｓに対して所定の微小な隙間ｄを介して近接配置された壁部１２ｂと、この隙間ｄ内において流下する表面処理液Ｘを供給する供給部１３と、を備えている。 （もっと読む）

本発明は、プラスチック材料の金属での被覆方法に関し、この方法は、プラスチック材料を、１ｂａｒで１００℃未満の融点を有する少なくとも１種の塩を含有する組成物を用いて前処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ３を準備する。かかる有機ナノチューブ３は、親水部３１と疎水部３２を備えたペプチド脂質３０からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ３におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ３の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層５と有機ナノチューブ３とのコンポジットナノチューブ１Ａを得る。かかるコンポジットナノチューブ１Ａから有機ナノチューブ３を除去すれば金属ナノチューブ１Ｂを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき触媒等の金属に対して充分な吸着性を有し、吸水性が低く、重合性に優れ、且つアルカリ水溶液による加水分解を抑制しうる新規共重合ポリマーの提供。
【解決手段】下記式（１）で表されるユニット、及び、下記式（２）で表されるユニットを含むポリマー。式（１）及び式（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Ｒ^６は、無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、Ｖ及びＺは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２は、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
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【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】溶液塗布法による電子回路等の銅配線を形成するプロセスにおいて、大気中であっても、３００℃程度の低温であっても、得られる銅薄膜の導電性を充分に維持することが可能な薄膜形成用組成物がない。
【解決手段】必須成分として、ギ酸銅又はその水和物、アルカノールアミン化合物及びこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有し、アルカノールアミン化合物がギ酸銅又はその水和物１モルに対して０．５〜５モル含有される銅薄膜形成用組成物を提供する。アルカノールアミンは、好ましくはジエタノールアミンであり、有機溶剤は、好ましくは１−ブタノールである。 （もっと読む）

【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＡＢＳ樹脂成形品の機械特性を損なうことなく、成形加工時の溶融流動性が改良された熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ジエン系単量体単位、芳香族ビニル単量体単位及びシアン化ビニル単量体単位を含有する重合体（Ａ）、芳香族ビニル単量体単位及びシアン化ビニル単量体単位を含有する重合体（Ｂ）、並びに、アルキル（メタ）アクリレートを含有する単量体成分（ｒ）を重合して得られるガラス転移温度が２５℃以下の重合体（Ｒ）の存在下で、芳香族ビニル単量体及びシアン化ビニル単量体を含有する単量体成分（ｇ）を重合して得られ、クロロホルムに対する可溶成分が９０質量％以上であり、クロロホルムに対する可溶成分の質量平均分子量が１０，０００〜１００，０００であるグラフト重合体（Ｃ）を含有する。 （もっと読む）