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Fターム[4K022BA36]の内容

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Fターム[4K022BA36]に分類される特許

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【課題】高温のリフロー炉に複数回通過させてもはんだ付け性が劣化したり、めっき皮膜に微細なクラックが発生することのないようにする。
【解決手段】セラミック素体6の表面に形成された導電部7上に2層構造のNi−P皮膜8が形成され、さらに該Ni−P皮膜8の表面にAu皮膜9が形成されている。そして、Ni−P皮膜8のうち、第1層10は、P含有率が3重量%以上6重量%以下であり、第2層11は、P含有率が6重量%を超えかつ9重量%以下であってその厚みは、0.1μm以上1.0μm以下である。
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【課題】
軸部品に対する摺動性能及び耐摩耗性能を向上させると共に、軸受芯材のマスター軸からの分離を容易にし且つ樹脂成形部に対する転写を良好にすること、マスター軸の要部に軸受芯材となるメッキ皮膜を形成する際に、マスキング処理が寸法精度を高めた状態で容易且つ確実にできること、などを主たる目的とするものである。
【解決手段】
樹脂成形部18の軸心側に軸部品を装着する筒状の軸受芯材が一体成形され、軸受芯材は肉厚状をした外側の電鋳層3Bと肉薄状をした内側の無電解メッキ層3Aによる二重メッキ層3で形成すると共に、無電解メッキ層3Aには自己潤滑性の微粒子分散させ、軸受芯材はマスター軸1の要部に二重メッキ層3を設けたインサート軸4から、樹脂成形部18を射出成形する際に転写してマスター軸4から分離させた樹脂製軸受部品である。 (もっと読む)


【課題】
無電解ニッケルめっき表面に、還元型無電解金めっき処理を行って金を析出させるに際して、従来予め置換型無電解金めっき処理を行って無電解ニッケルめっき面に中間層としての金を析出させていたが、この際に、無電解ニッケル面に孔食などの腐食が発生し、爾後の還元型無電解金めっき処理による金めっき皮膜が密着不良となって、電気配線基板の実装処理を行うに際してワイヤーボンディングでのボンディング不良や、配線基板に部品を半田付けする際の接続不良を生ずるなどの問題があったのを解決する。
【解決手段】
電気配線基板の接続端子部分に施した無電解ニッケルめっき皮膜面に、中間めっき処理としての置換型無電解金めっき処理を施すことなく、パラジウム触媒付与処理を行い、次にこれを還元処理液に浸漬した後、常法による還元型無電解金めっき処理を行ってその表面に良好な析出状態の金めっき皮膜を生成させる。 (もっと読む)


セラミックスなどの材料からなる基体粒子の表面全体にパラジウム層が形成さたパラジウム層付粒子の周囲を、白金により被覆した白金被覆粒子からなる白金被覆粉末は、電極材料として好適である。 (もっと読む)


【課題】 割りスリーブに形成されためっき層の表面硬度を確保して耐磨耗性を向上させると同時に、割りスリーブを長期間にわたって使用した場合にもめっき層の表面が変色しないように耐候性を向上させることである。
【解決手段】 スリーブ本体16と、このスリーブ本体16の少なくとも内周面にめっき層17が形成されてなる略円筒状の割りスリーブにおいて、前記めっき層17を少なくとも2層で形成する。そして、下地めっき層18を非結晶構造のめっきで形成し、表面めっき層19を結晶構造のめっきで形成することによって、めっき表面の耐摩耗性と耐候性とを満足させる。 (もっと読む)


【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体20上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜42と、そのアルミニウム金属膜42の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層52bと、アルミニウム金属膜42の表面に形成されているとともに、分割絶縁層52bの上方において結晶構造が不連続となっている境界82Gを有するニッケルを主成分とするニッケル層72を備える半導体装置。 (もっと読む)


【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板12上に高アスペクト構造体11を形成する構造体の形成方法であって、下地基板12上に、中央導電部13a及び中央導電部13aを囲う外周導電部13bを形成し、これら中央導電部13a及び外周導電部13bに無電解界めっきによってめっき23を析出させ、その後、外周導電部13bに析出しためっき23を除去することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】下地金属層を形成する時に生ずるピンホールに起因する銅被膜部の欠落がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性、耐食性に優れ、絶縁信頼性の高い銅被膜層を形成した2層フレキシブル基板を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに、乾式めっき法により、チタンの割合が3〜22重量%、クロムの割合が5〜22重量%で残部がニッケルのニッケル−チタン−クロム合金を主として含有する膜厚3〜50nmの下地金属層を形成し、次いで該下地金属層上に湿式めっき法により銅被膜層を形成した2層フレキシブル基板とその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 絶縁膜に形成された凹部に埋め込んだ銅配線の表面をパラジウム置換めっきするにあたり、銅配線の表面がエッチングされることを抑え、良好な電気特性を長期に亘り維持可能な半導体装置を製造すること。
【解決手段】 絶縁膜例えばSiOC膜21をエッチングすることにより形成した凹部200に銅を埋め込んで銅配線25を形成した後、カルボキシル基を有する有機酸溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて前記凹部200に埋め込まれた銅配線25の表面をパラジウム置換めっきする。そしてパラジウム膜26が形成された銅配線25の表面に無電解めっき液を用いて密着層27を形成する構成とする。この場合、有機酸を選択したことにより、パラジウム置換めっき時に銅配線25がエッチングさせることを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性を有し、更に、芯材粒子との密着性が高くかつ凝集性が少ない導電性微粒子、メッキ浴の安定性が高い該導電性微粒子の製造方法、及び該導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電解メッキ法によりニッケル、銅、及びリンを含有する合金メッキ被膜が形成されている導電性微粒子、好ましくは合金メッキ被膜中の厚さ方向のリン含有量が、芯材粒子側よりも合金メッキ被膜表面側で少ない導電性微粒子、金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、ニッケル塩、リン系還元剤、及びpH調整剤を含むメッキ液を添加して初期無電解メッキ反応を行い、その後、ニッケル塩、銅塩、リン系還元剤、及びpH調整剤を含むメッキ液を添加して後期無電解メッキ反応を行う該導電性微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】反転通電における信頼性でばらつきが大きく、十分ではないという問題がある。
【解決手段】支持基板の表面に設けられた配線導体の上に、メッキ層を有する熱電素子が半田により接合されてなる熱電モジュールであって、上記支持基板対して垂直な断面におけるメッキ層がなす断面曲線の最大高さRmaxが3〜30μmである素子が少なくとも一つあることとした。 (もっと読む)


【課題】 各種の優れた特性を有する多層膜の製造方法で、スパッタリング法はコストが非常に高いという問題点がある。また電気めっき法による多層膜の作製方法は低コストであるが、従来の技術では低電流あるいは低浴電圧時に成膜速度が極端に低下するという問題点があり、電流あるいは電圧を瞬時に切り替えるための特殊な電源装置が必要であった。
【解決手段】 目的に応じた組成をもつ無電解めっき成膜可能な単一のめっき液中で、還元剤による無電解めっき成膜と外部から投入する電力による電気めっき成膜を連続して行うことで、機能性を有する多層膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】 信頼性の高い配線基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 チオ尿素及びその誘導体の少なくとも一方を含有するめっき液20を利用して、ベース基板10に設けられた配線パターン12に無電解メッキ処理を行う。アミンを含有する溶剤30を利用してベース基板10を洗浄する。その後、ベース基板10にレジスト層40を形成する。 (もっと読む)


【課題】ダイレクトメタライゼーション法を用いた2層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム基材の片面にシード層を形成し、そのシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる2層フレキシブル銅張積層板において、前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面2層フレキシブル銅張積層板等を採用する。 (もっと読む)


【課題】 基板表面に配線用の微細凹部を形成した後の一連の配線形成処理を、ドライ処理とウェット処理の混合した処理を経ることなく連続的に安定して行えるようにする。
【解決手段】 表面に堆積した絶縁膜62の内部に配線用の微細凹部64を形成した基板Wを用意し、この基板Wの表面にウェット処理によりバリア層68を形成し、このバリア層68の表面にウェット処理によりシード層70を形成し、このシード層形成後の基板の表面にウェット処理により配線層72を形成する。 (もっと読む)


本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤と、アンモニア水及びチオ硫酸塩を含有する組成液並びにチオ尿素からなる群のうち少なくとも1つとを含有することを第1の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第1メッキ層を形成し、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、及び界面活性剤を含有する第2の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第1メッキ層上に第2メッキ層を形成することにより、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂コーティングを有する被処理メッキ物を提供する。
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【課題】
本発明の目的は、超臨界条件や亜臨界条件などの高温高圧の水処理或いは非水溶媒処理において或いは極めて強い腐食雰囲気下において高い耐食性と物理強度とを有し、且つ経済性とを兼ね備えた耐食材及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明に係る耐食材は、基材金属の表面に弁金属薄層を有し、該弁金属薄層の表面に白金族金属層を有することを特徴とする。本発明に係る耐食材の製造方法は、基材金属の表面に電気メッキ法により弁金属薄層を形成し、弁金属薄層の表面に白金族金属層を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銅導体部の欠陥がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性に優れ、絶縁信頼性の高い銅皮膜層を形成した2層フレキシブル基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルム上に乾式めっき法により形成されたクロムの割合が12〜22原子%で残部がニッケルのニッケル−クロム合金を主として含有する層厚5〜50nmの下地金属層と、前記下地金属層上に形成された層厚10nm〜12μmの銅皮膜層とからなり、その製造方法は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の層厚の銅導体層を形成する2層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に乾式めっき法によりニッケル−クロム合金を主として含有する下地金属層を形成し、更に、前記下地金属層上に乾式めっき法により銅皮膜層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 導体パターン以外の領域への無電解めっきの析出を十分に抑制するとともに、無電解めっき皮膜によって導体パターンを十分に被覆することができる無電解めっきの前処理方法を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決する本発明の無電解めっきの前処理方法は、基板の表面上に形成された所定形状を有する導体パターンに、ノニオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第1工程と、該第1工程の後の導体パターンに、カチオン系界面活性剤を含有する溶液を接触させる第2工程とを有するものである。
を有する (もっと読む)


多層集積回路機器へ誘電体層における金属充填配線上の多層金属キャップ(18、20)および該キャップを形成する方法。 (もっと読む)


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