【課題】 塩化ナトリウム水溶液環境において耐食性に優れ、疲労強度に優れた耐食性被覆部材を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒素が含有された窒化層３ａが表面側に形成された基材３と、基材３の表面上に被覆された耐食性皮膜４としてのNi-P-B合金層５とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、ホルムアルデヒド重亜硫酸塩付加物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】ニッケル表面の粒界侵食が進行することによる外観不良を引き起こさず、良好な皮膜外観の金めっき皮膜を形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】水溶性金化合物、錯化剤、アルデヒド化合物、及びＲ₁−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−Ｒ₂又はＲ₃−（ＣＨ₂−ＮＨ−Ｃ₂Ｈ₄−ＮＨ−ＣＨ₂）_n−Ｒ₄（Ｒ₁〜Ｒ₄は−ＯＨ、−ＣＨ₃、−ＣＨ₂ＯＨ、−Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₃）₂、−ＣＨ₂ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−ＣＨ₂ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（ＣＨ₂ＯＨ）、−Ｃ₂Ｈ₄ＮＨ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）、−ＣＨ₂Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂、−ＣＨ₂Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（ＣＨ₂ＯＨ）₂又は−Ｃ₂Ｈ₄Ｎ（Ｃ₂Ｈ₄ＯＨ）₂、ｎは１〜４の整数）で表されるアミン化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】めっき処理を施す下地金属が侵食されず、安定した析出速度で無電解金めっき処理することができ、析出速度が速く、置換・還元タイプであるので、１液でめっき皮膜の厚膜化が可能であり、皮膜の色が劣化することなく金特有のレモンイエロー色が保たれ、外観も良好である。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき層に形成された貫通ピンホールを封鎖することにより耐食性に優れためっき層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材１上に、無電解Ni-Pめっきを行う第１めっき工程と、第１めっき工程によって形成された第１めっき層３の表面をエッチングするエッチング工程と、エッチング工程によって処理された第１めっき層３上に、無電解Ni-Pめっきを行い第２めっき層５を形成する第２めっき工程を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、多孔質皮膜の細孔中に、溶媒を予め滲入させておくことにより、粘度の大きなゾルであってもナノメートルサイズの細孔中の底部にまでゾルを自在に滲入させることができるナノ構造体の製造方法の提供を目的とするものである。また、細孔壁表面積より遙かに大きな表面積を持つゲルを有したナノ構造体の提供を目的とするものである。
【解決手段】
本発明1のナノ構造体の製造方法は、ナノメートルサイズの細孔よりなる多孔質皮膜にゾル状物質を付着させてなるナノ構造体の製造方法であって、ゾル状物質を溶解又は分散可能な溶媒を細孔に滲入させた多孔質皮膜にゾル状物質を接触させて、ゾルーゲル法により、前記物質を前記細孔内に滲入させてゲル化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっきの異常析出を十分に抑制することにより、絶縁信頼性に優れ、ワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性に十分優れた半導体チップ搭載用基板および前処理液を提供する。
【解決手段】半導体チップ搭載用基板１０は、基板２０と、基板２０の第１の主面上に設けられたワイヤボンディング用接続端子１と、基板の第１の主面とは反対側の第２の主面上に設けられたはんだ接続用端子１２と、第１の主面上に設けられワイヤボンディング用接続端子１から延びている接続配線１４とを備え、端子１、１２は、金属の表面を被覆する無電解ニッケルめっき皮膜を有し、接続配線１４は必要に応じて配線の表面を被覆する無電解ニッケルめっき皮膜を有する。端子１、１２及び必要に応じて接続配線１４は、金属端子及び／又は金属配線の表面を被覆するように０．８μｍ以上の厚みを有する無電解ニッケルめっき皮膜が選択的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき層を有する多孔質樹脂材料の量産化に対応しうる形成方法を提供する。
【解決手段】多孔質ＰＴＦＥ膜からなるフレーム板２をマスク膜１１，１２により挟んで積層体１４を構成した後、貫通孔５を形成する。コンディショニングにより、親水層４０を多孔質ＰＴＦＥの各繊維表面に形成する。その後、積層体１４を容器に収納した状態でチャンバー内を減圧し、容器内に触媒液を供給し、減圧解除後、触媒液を排出し、減圧後触媒液を容器内に供給する処理を繰り返す。これにより、触媒液を均一に微細孔内に浸透させて、コロイド粒子層１５の形成を行う。さらに、活性化処理により形成される触媒粒子を核として、無電解めっきにより、Ｃｕ層，Ｎｉ−Ｐ合金層，Ａｕ層などの無電解めっき層からなる筒状電極膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 シランカップリング剤の残存及び除去不足を排除して、シランカップリング剤を用いた各種基板へのめっき不具合を解消する。
【解決手段】 水と有機溶剤の混合溶液に浸漬して、シランカップリング剤を分解、除去した後めっきする。シランカップリング剤は、加水分解し易い性質を持ち、且つ加水分解すると溶解しやすくなるので、水で分解させ、有機溶剤に溶解させることとした。これによって、どのようなシランカップリング剤でも除去可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材上に、無電解めっきにより形成されたバリア層を介して無電解銅めっき層が積層された積層構造であって、上記バリア層が、有機シラン化合物の単分子層、及び該単分子層の上記バリア層側の端部を修飾するパラジウム触媒を介して上記基材上に形成され、かつ該基材側から無電解ＮｉＢめっき層と無電解ＣｏＷＰめっき層とで構成されている積層構造。
【効果】ケイ素化合物系低誘電率材料上に、簡単な工程で密着性の良好なバリア層、配線層等に適用される無電解銅めっき層を全てウエットプロセスにて形成することができ、ケイ素化合物系低誘電率材料からなる基材、バリア層、及び配線層等の無電解銅めっき層が、相互に強固に密着した積層構造を得ることができる。また、この積層構造は、超ＬＳＩの銅配線、特に、従来に比べて更に狭小化されたトレンチに形成される銅配線の形成構造として好適である。 （もっと読む）

【課題】めっき製品の品質向上を目的とする。特に、ファインピッチ配線基板の製造において、工程数とコストを削減しつつ、微細配線の形成を可能とする。
【解決手段】基材に対するオゾン処理、オゾン水処理、紫外線処理、プラズマ処理、コロナ放電処理から選択される１種以上の表面処理を行なう前処理工程と、めっき工程と、マイクロポーラスめっき及び／又はマイクロクラックめっきを行なうめっき工程とを含むことを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】メッキの際のマスキングの面倒を少なくして作業効率のアップ及びコストの削減を図る。
【解決手段】背面にベース１が一体化された金属セラミック複合部材４の金属板３の接合面側に、金属板３上のメッキ予定箇所に対応した開口２１を有する枠状のマスキング部材２０を被せて、開口２１の周囲を金属セラミック複合部材４に密着させることでシールし、金属板３を下に向けた姿勢で、マスキング部材２０を通して金属セラミック複合部材４にメッキ液１１０を下側から接触させることにより、金属板３上のメッキ予定箇所にメッキを施す。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の銅回路部や電子部品の接合部等の銅系部材上に、はんだ接合性、はんだ濡れ性に優れたＰを含有しないＮｉ含有量の高い無電解純Ｎｉめっき膜の形成を提供することを目的とした。
【解決手段】ガラスエポキシ樹脂基材５よりなるプリント配線板上に電子部品をはんだ接合するために、無電解Ｎｉめっき膜中にＰを含有しない純Ｎｉめっき層１０をＣｕ電極３上などに形成し、はんだ接合性、はんだ濡れ性の優れた無電解めっき方法を実現する。 （もっと読む）

【課題】高い導電性を有し、経時的な導電性の変化が少なく、かつ、圧縮荷重をかけても樹脂微粒子から被覆層が剥離、破壊されない耐圧縮性に優れた信頼性の高い導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂微粒子と前記樹脂微粒子の表面に形成された金属被覆層とからなる導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、還元剤としてホウ素化合物及び次亜リン酸化合物を用いる無電解ニッケルメッキ工程を有することを特徴とする導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属又は金属合金に由来する導電性と強度を維持したまま軽量化を実現でき、配向制御しやすい異方導電材料を得ることのできる、導電性磁性粉体の提供。
【解決手段】導電性磁性粉体は、金属、金属合金又は金属酸化物からなり、上記金属が金を含む。本発明の前記粉体は、（Ａ）繊維状物を形成し得る両性化合物を水に溶解して両性化合物水溶液を調製し、該両性化合物水溶液から繊維状物を形成させ、繊維状物含有水溶液を得る工程；（Ｂ）上記繊維物含有水溶液中の上記繊維状物を金属、金属合金又は金属酸化物で被覆し、金又は金化合物で被覆し、繊維状物で形成された芯材と金属、金属合金又は金属酸化物で形成された外装材とを含有する被覆繊維状物を形成する工程；（Ｃ）上記工程（Ｂ）で得られた被覆繊維状物の芯材を溶解する等して芯材を除去し、金属、金属合金又は金属酸化物と、金又は金化合物とで形成された中空状材料を得る工程により製造する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板の製造方法は、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、触媒層を除去する工程と、第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上方に第２の金属層を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板の製造方法は、基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて所定のパターンの金属層を設ける工程と、基板を水蒸気に曝す工程と、無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層上にさらに金属を析出させて第２の金属層を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の金属を含む第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に当該第１の金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、第２の金属を含む第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層３７を設ける工程と、を含み、第１の金属のイオン化傾向は、第２の金属のイオン化傾向より大きい。 （もっと読む）

銅相互接続層を、例えばＴＦＴ−ＬＣＤフラットパネル相互接続システムにおいて使用されるガラス基板などの基板上に堆積させる方法。本発明に従う方法は、ａ）任意に、基板を清浄化する工程と、ｂ）任意に、この基板をミクロエッチングする工程と、ｃ）触媒化層を基板上に堆積させて、触媒化基板を得る工程と、ｄ）触媒化基板を、調整溶液を用いて調整して、調整触媒化基板を得る工程と、ｅ）前記基板又はまたはその少なくとも一部をＮｉ及びＰの前駆体を含んだウェッツバス混合物と接触させることによって、前記触媒化基板に無電解ＮｉＰ層を鍍金して、ＮｉＰ鍍金調整触媒化基板を得る工程と、ｆ）銅用触媒層をＮｉＰ鍍金層上に堆積させる工程と、ｇ）Ｃｕ層を前記銅用触媒層上に堆積させる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が大きい金属基材に対しても適用可能であり、優れた撥水性を有し、加熱されてもその優れた撥水性を維持することができる皮膜構造及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】皮膜構造１は、金属基材１０の表面にフッ素を含有してなるフッ素系皮膜１２を有する。金属基材１０上には、金属基材１０の表面を平滑化するための表面平滑化層１１が形成されており、表面平滑化層１１上には、フッ素系皮膜１２が形成されている。表面平滑化層１１は、ＮｉＰ中にＰＴＦＥ粒子が分散されてなるＮｉＰ／ＰＴＦＥ複合めっき皮膜である。 （もっと読む）