【課題】表面処理後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＣＣ基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が７重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 （もっと読む）

表面上に無電解めっきを受容するために前記表面を活性化させる改良方法であって、特にプリント基板における貫通孔を活性化させるために用いられ、酸性水性マトリクス中にパラジウムスズコロイドを含む活性化溶液に窒素ガスを分散させて、その中に収容されている第１スズの酸化を緩徐にする方法。前記活性化を実施するためのダイナミックフラッドコンベアシステムを記載する。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションを起こすことなく、コストが安く、かつ導電性が高く、電極間の接続信頼性に優れる導電粒子を提供する。
【解決手段】コア粒子１１と、コア粒子１１を被覆し、厚さが２００Å以上であるパラジウム層１２と、パラジウム層１２の表面に配置され、粒径がパラジウム層１２の厚さより大きい絶縁性粒子１と、を備える導電粒子８ａ。 （もっと読む）

【課題】粒子が２個以上結合した連結粒子が少なく信頼性の高い導電接続ができる導電性微粒子、及び、連結粒子が少ない導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された下地金属層と、前記下地金属層の表面に形成された導電層とを有する導電性微粒子であって、シースフロー電気抵抗方式粒度分布計を用いて粒子径分布を測定した場合、平均粒子径の１．２６倍以上の粒子径を有する導電性微粒子の比率が８％以下である導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）

本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも１つの第一の還元剤、及び少なくとも１つの錯化剤を含み、ｐＨが８．５〜１２の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 （もっと読む）

【課題】 アンモニアを含む無電解Niめっき廃液から、β‐ヒドロキシオキシム系抽出剤と酸性有機リン化合物系抽出剤を含有する有機溶媒を用いてNiを抽出するNiの回収方法に関する。Niと共抽出されるアンモニア量を少なくし、逆抽出後の中和工程で発生するアンモニア臭を抑える。
【解決手段】 有機溶媒全体に対してβ‐ヒドロキシオキシム系抽出剤の含有量が7.5〜25.0体積%であり、有機溶媒全体に対して酸性有機リン化合物系抽出剤の含有量が0.3〜1.0体積％であり、かつ、β‐ヒドロキシオキシム系抽出剤に対して酸性有機リン化合物系抽出剤の含有量が10体積%未満である有機溶媒と、無電解Niめっき廃液を接触させ、さらにNiを逆抽出し、逆抽出後中和することによりNi化合物を沈殿させる。 （もっと読む）

【課題】金属膜の密着性に優れ、湿度変化による密着力の変動が少なく、耐熱性及びフレキシブル性に優れた表面金属膜材料を簡易な方法で得ることができる作製方法、金属パターンの非形成領域の絶縁信頼性に優れ、耐熱性及びフレキシブル性に優れた金属パターン材料を簡易な方法で得ることができる作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）ポリイミドフィルム上に、シアノ基を有し、且つ、該ポリイミドフィルムと直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、該表面金属膜材料の作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができる金属膜の製造方法、下地組成物、金属膜およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属膜の製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、塩基性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（M1）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（M1）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（M2）イオンを含有する金属（M2）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（M1）塩を、金属（M2）塩とする金属固定工程と、上記金属（M2）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー１上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン３上に形成されたパターンめっき９であって、導体パターン３上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜５、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜７からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μｍ、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】従来に比較して、第２の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、第１の無電解金属めっき層、第２の無電解金属めっき層がこの順に積層されている多層金属めっき基材を製造するにあたり、基材表面に触媒を有するリード基材を、第２の無電解金属めっき浴に先に浸漬させた後、引き続き、基材表面に第１の無電解金属めっき層が積層された本体基材を、第２の無電解金属めっき浴に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】めっき析出を阻害することなく、まためっき皮膜外観も良好で、かつ無電解銅めっき液に良好な経時安定性を付与することが可能な無電解銅めっき用添加剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式で示される化合物を無電解銅めっき液の添加剤として用いる。
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【課題】めっき溶液の解析及び制御のための方法と装置
【解決手段】めっきシステムは、めっき溶液と、めっき溶液の制御のための装置とを含み、装置は、有機成分の測定のためのラマン分光計と、金属成分の測定のための可視光分光計と、ｐＨプローブとを含む。めっき溶液は、連続的に又は間欠的にサンプリングすることができる。めっき溶液の注入は、めっきプロセス中に消費された又は失われた成分の調整を行う。注入の方法は、めっき溶液を所望の組成に維持することに基づいている。 （もっと読む）

【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１６と、該基材１６上に形成された接続端子（導体１５）と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液（無電解めっき用前処理液）に接触させる第１工程と、前記第１工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子（導体１５）上面の硫黄有機物を一部除去する第２工程とを有する、接続端子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金加工部品溶接方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム合金加工部品溶接方法は、２つの新技術を含み、その１つは、マグネシウム合金表面を改質し、無電解ニッケル鍍金を経過するプロセス技術であり、その２つ目は、特用の溶接補助剤を製作し、数種の無鉛を配合した錫合金溶接料である。前記溶接方法が経過する工程は、マグネシウム加工部品表面が先ず中リン（リン含有量３〜７％）無電解ニッケル鍍金プロセスを経て、更に、高リン（リン含有量７〜１２％）無電解ニッケル鍍金プロセスを経て、最後に錫溶接プロセスを行う。 （もっと読む）

【課題】経済性が高く、処理液安定性に優れ、かつ優れた導電性パーターンを形成することができるめっき方法と、それに用いるめっき処理液及びそれにより得られる導電性パターンシートを提供する。
【解決手段】可溶性銀錯体化合物Ａを含有する処理液を被めっき基材上に付与して、該被めっき基材上に銀化合物を固定した後、該基材上に更に可溶性銀錯体化合物Ｂを含有する処理液を付与して銀核を形成させ、該形成された銀核上に無電解めっきにより金属皮膜を形成させることを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂被膜を有する無電解メッキ被処理物及びその無電解メッキ方法、並びにそのために使用される無電解メッキ液を提供することである。
【解決手段】本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤とを含有し、更に５０〜１００ｐｐｍのチオ尿素を含有する第１の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第１メッキ層を形成する工程と、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、還元剤、及び界面活性剤を含有する第２の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第１メッキ層上に第２メッキ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする無電解メッキ方法である。 （もっと読む）