サブミクロンサイズの配線フィチャーをともなう半導体集積回路基板上に銅を電解的にメッキするための電解メッキ方法と組成。組成は銅イオン源およびポリエーテルグループからなる抑制剤から構成される。方法はフィチャーの底面からフィチャーの頂部開口への縦方向の銅堆積が側壁への銅堆積より大きい超埋め込み速度で急速な底上げ堆積を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】耐食性低下、光沢化等の他の特性が大きく変化することなく、また、電流効率が大きく低下することなく、高い白色度を有する電気亜鉛めっき鋼板を製造する。
【解決手段】電気亜鉛めっき浴中で鋼板を陰極電解処理し、電気亜鉛めっき鋼板を製造する際に、電気亜鉛めっき浴中に2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物（好ましくは2-メルカプトベンゾチアゾール又はその塩）の１種又は２種以上を合計で0.01〜3ppm含有することとする。このような処理を行うことで、亜鉛の結晶形態を変化させ、亜鉛めっき結晶の凹凸の深さが小さくなる。そして、凹凸の深い部分での光の吸収が少なく、拡散反射光が増加し、外観上明るく見える（白色度が向上する）こととなる。 （もっと読む）

【課題】 強度、導電率、曲げ加工性に優れた銅条又は銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】 めっき添加剤を含むめっき浴を用いた電解により平均結晶粒径０．３μm以下の電解銅条又は電解銅箔を製造し、電解銅条又は電解銅箔を冷間圧延した後、熱処理を行わないか又は熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】クロム、燐および重金属を用いることなく製造可能な、裸耐食性および欠陥部耐食性に優れる表面処理鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板の少なくとも片面に、TiおよびFeを含む反応層と、該反応層上に積層した被覆層とからなる被膜を有する表面処理鋼板において、該被膜の形成後の酸素還元電流が同被膜形成前の酸素還元電流の１／１０以下となる被膜を形成する。 （もっと読む）

抑制剤としてポリ（アルキレン−ビグアニド）塩を含む銅電着のための電解質。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩によって起こされた抑制は、銅表面の促進剤濃度によって条件付けられる。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩の界面活性特性は、カソードと電解質とが接触している間に、電解質／大気界面を電解質／銅界面に即座に変換することを可能にする。本発明による電解質は、平滑で光沢のある電着物を得るため、およびマイクロエレクトロニクスで有用なサブミクロンスケールの凹部を有する表面上に銅を堆積するために適している。 （もっと読む）

【課題】磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を形成でき、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、密着性が高く、良好な外観を有する保護膜を安定して成膜すること。
【解決手段】銅塩と、有機ホスホン酸化合物と、アミン、α−アミノ酸、アンモニウムイオン、炭酸イオン、カルボン酸イオン、ジカルボン酸イオン、硫酸イオンおよびチオ硫酸イオンから選ばれる少なくとも１種の化合物またはイオンと、を含むめっき液、およびこのめっき液を用いた導電性素材の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】希土類磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を、希土類磁石などの導電性素材を腐蝕することなく形成できるめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケル塩化合物と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物と、を含み、ｐＨが８〜１２であるめっき液。前記ニッケルイオンと前記アミン化合物とのモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の１．０〜３．０倍であり、また、前記アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ_１が、Ｋ_１＝４．０〜１５．０の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極６ａ、６ｂ上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成する。
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【課題】薄膜化しても、はんだぬれ性、ワイヤーボンディング強度等に優れためっき皮膜を与える電解用パラジウムめっき液を提供すること、及び、上記性能に優れたリードフレームを提供すること。
【解決手段】水溶性パラジウム塩、及び、置換基を有していてもよいナフタレンモノスルホン酸若しくはナフタレンジスルホン酸又はそれらの塩を含有することを特徴とする電解用パラジウムめっき液、それを用いて形成された電解パラジウムめっき皮膜、並びに、電解ニッケルめっき皮膜、上記電解パラジウムめっき皮膜、電解金めっき皮膜を順次形成させたリードフレーム。 （もっと読む）

【課題】基板のキャビティ、ブラインドホール、微小ブラインドホール及びスルーホールを電気分解により金属で充填する方法を提供する。
【解決手段】工作物のキャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを金属で電気めっきして充填する方法を開示する。該方法によれば、キャビティ、スルーホール、ブラインドホール又は微小ブラインドホールを含む工作物を金属析出電解液に接触させ、そして工作物に電流が流れるように工作物と少なくとも一つの陰極間に電圧を掛ける。本発明の方法の特徴は、電解液がレドックス系を含むことにある。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特別な高温を必要とせず、かつ成膜速度の速い経済的な製造方法により、磁気特性に優れた表面処理金属材を提供する。
【解決手段】金属材料の少なくとも一部の表面に、けい素金属含有鉄系めっき層を有する表面処理金属材であって、前記めっき層中のけい素含有量が3.5%超10%以下であることを特徴とする磁気特性に優れた表面処理金属材である。 （もっと読む）

【課題】はんだ濡れ性に優れ、微小部分のはんだ接続に対しても接続信頼性の高いはんだめっきを提供すること。
【解決手段】錫または錫に、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、金、銀、銅、ニッケルからなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む合金中に、フラックス活性を有する化合物を含有し、また、前記フラックス活性を有する化合物は、分子中にカルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基が少なくとも１つ以上有し、さらに、前記フラックス活性を有する化合物が、めっき皮膜中に５〜３０％含有することを特徴とするめっき。 （もっと読む）

【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の硫酸系光沢銅電解液と比べ、同等の光沢を有していながら均一な電析銅皮膜を安定して得ることの出来る硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分を含むことを特徴とする硫酸系銅電解液であり、当該ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物を用いて添加されたことを特徴とする硫酸系銅電解液を用いる。そして、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム水溶液に塩化第二銅を加えた混合溶液から有機溶剤を用いて晶析させるプロセスにより製造する。 （もっと読む）

【課題】銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面に生成する低融点金属の拡散層を抑え、銅箔と導電性ペーストとの界面にボイドや亀裂が発生しない銅箔、および該銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】元箔表面に、結晶方位が、Ｘ線回折法により測定した１１１面がもっとも多く、１１１面と２００面との結晶方位の積分強度比率（１１１面／２００面）が３以上である突起物群を設けた銅箔である。前記銅箔は、元箔表面に、過硫酸塩を０．１ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下の比率で添加した硫酸銅めっき液を用いて、電気めっき法にて析出させて製造する。
【選択面】なし （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】従来市場に供給されてきた低プロファイル電解銅箔と比べて、更に低プロファイルで光沢のある電解銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、電解銅箔は厚さによらずに析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）は１．０μｍ未満の超低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］は４００以上である電解銅箔とする。そしてこの電解銅箔は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用い電解して得る。 （もっと読む）

【課題】従来市場で使用されていた銅電解液ではなしえなかった光沢を有する電析銅皮膜の形成可能な硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用いる。この銅電解液を用いて電析銅皮膜を形成することにより、その析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が１．０μｍ未満の低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上であることを特徴とする電析銅皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】安価で高い生産性を維持し、線幅の増大を低減し、経時後の色味変化が少なく、めっき密着性の良好な、高速めっき処理を可能にするめっき処理方法を提示すること。さらにその方法を用いて優れた導電特性を有する導電性膜および優れた電磁波遮蔽効果を有する透光性電磁波シールド膜をを提供すること。
【解決手段】表面抵抗が１〜１０００Ω/□のフィルム表面に連続して電解めっき処理を施すめっき処理方法であって、該めっき処理がめっき反応抑制性有機化合物、めっき促進性有機化合物及びめっき平坦化性有機化合物の少なくとも一つを含有する銅めっき液を用いる第１段階と、該第１段階の銅めっき液中の前記少なくとも一つの化合物を第１段階のめっき液中の濃度の０〜７０％の濃度で含む液による第２段階のめっき処理から構成されることを特徴とするめっき処理方法。 （もっと読む）

【課題】エッジオーバーコーティングを防止すると共に、表面品質にも優れる錫めっき鋼帯の製造方法と、その製造に用いる水平型錫めっきセルを提供する。
【解決手段】可溶性の錫アノードとめっき液を備えるめっき槽と、該めっき槽の入側と出側のそれぞれに配設され、被めっき鋼帯を連続的に搬送する通電ロールとバックアップロールのロール対とからなる水平型めっきセルを用いて、前記錫アノードと被めっき鋼帯との間に通電して錫めっき鋼帯を製造する方法において、前記めっき槽の出側にめっき液排出口を設けた水平型錫めっきセルを用いることを特徴とする錫めっき鋼帯の製造方法。 （もっと読む）