【課題】基体上のスズ及びスズ合金の高速電気スズめっきに有用な、析出用電解質組成物を提供する。
【解決手段】基体上のスズ及びスズ合金の析出用電解質組成物が、スズハライド、硫酸スズ等から選択される１以上のスズ化合物、アルカリスルホン酸、硫酸等から選択される１以上の酸性電解質及び、カルボキシメチル化ポリアチレンイミン等から選択される１以上のカルボキシアルキル化ポリアルキレンイミン化合物を含む電解質組成物である。 （もっと読む）

【解決手段】コバルト、ニッケル及び鉄の１種以上の金属のイオン、緩衝剤、導電剤並びにハロゲン化物イオンを含む電気めっき浴により、建浴時の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の７０〜９５％とし、減少した電気めっき浴中のめっき浴成分を、粉体状の金属塩、緩衝剤、導電剤若しくはハロゲン化物塩、又はそれらの１種以上の飽和液若しくは懸濁液として電気めっき浴に添加することにより補給し、補給後の電気めっき浴中の導電剤の濃度を飽和濃度の７０〜９５％に調整して電気めっきを繰り返す。
【効果】形成されるめっき皮膜に高い均一電着性と良好な外観が与えられるように、電気めっき浴を長期間良好な状態に維持して電気めっきを繰り返すことができ、結果、めっき浴中の金属イオン濃度を低下させるための電解処理等の再生処理を頻繁に行わずに、長期にわたって安定しためっき皮膜を得ることができ、極めて経済的である。 （もっと読む）

析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】装飾３価クロムめっきを基本として、高い耐食性を有し、且つ６価クロムめっきと類似または同等の白銀色の意匠を呈することのできるクロムめっき部品を提供する。
【解決手段】素地２上に腐食電流分散を目的としたニッケルめっき層５ａを形成するとともに、その表面に塩基性硫酸クロムを金属供給源とした膜厚０．０５〜２．５μｍの３価クロムの表面クロムめっき層６を形成し、さらにその上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が７ｎｍ以上のクロム化合物皮膜７を形成する。腐食分散ニッケルめっき層５ａは、表面クロムめっき層６に対しマイクロポーラス構造もしくはマイクロクラック構造、またはこれらの双方の構造を生じさせる機能を有する。 （もっと読む）

【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び／又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ｐＨがアンモニアによって６．５〜１０に調節されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって、基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、不要な金属層を除去する作業を軽減化する。
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】膜厚やＦｅ−Ｎｉ組成比が均一なＦｅ−Ｎｉ合金めっき膜を形成することができる電気Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき方法を提供する。
【解決手段】電気Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき浴にマロン酸を添加し、且つｐＨを２．３〜２．７に調整し、このめっき浴を用いて電気めっきを行なう。凹凸部の凹部で生じる局部的なｐＨ低下を抑制することができ、凹部でのＦｅ−Ｎｉ合金めっき膜の薄膜化やＦｅ−Ｎｉ組成比の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えなくメッキされた膜と、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えてメッキされた膜とを積層することで、例えば、膜特性を劣化させることなく、自然酸化抑制機能を備えたＮｉを有するメッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 下側メッキ膜１は、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えることなくメッキ形成され、上側メッキ膜２は、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを加えてメッキ形成されたものである。前記上側メッキ膜２中であって、膜表面２ａよりも下方の位置にＮｉＳ層４が存在する。これにより、膜特性を劣化させることなく、自然酸化抑制機能を備えた積層構造にできる。 （もっと読む）

【課題】比較的薄い銅めっき皮膜を形成した場合でも、均一かつ平滑な、良好な外観を有する銅めっき皮膜を析出する銅めっき液組成物を提供する。
【解決手段】銅めっき液組成物に塩化物イオンと臭化物イオンとを特定の量で含有する銅めっき液組成物。 （もっと読む）

【課題】平滑な表面、高い耐食性、十分な耐摩耗性を有するめっき皮膜が得られ、生産性の高い３価クロムめっき浴を提供する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の成分を含有することを特徴とする３価クロムめっき浴：（１）水溶液脂肪族カルボン酸及びその塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分と３価クロム化合物を含む水溶液を加熱下に保持して得られる３価クロムの錯体溶液、（２）伝導性塩（３）ｐＨ緩衝剤、並びに（４）SO₂基を有する化合物及びSO₃基を有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種の含イオウ化合物。 （もっと読む）

【解決手段】有機添加剤を含む硫酸銅めっき浴を収容しためっき槽中で、可溶性又は不溶性アノードを用い、被めっき物をカソードとし、めっき槽からめっき浴をオーバーフロー槽に流出させつつオーバーフロー槽中のめっき浴をめっき槽に返送すると共に、酸化分解槽を設け、酸化分解槽からオーバーフロー槽を介してめっき槽にめっき浴を返送してめっき槽と酸化分解槽との間でめっき浴を循環させ、酸化分解槽中のめっき浴に金属銅を浸漬して金属銅にエアバブリングを施すことにより電気銅めっきの際に生成した分解／変性有機生成物を酸化分解させる処理を施し、被めっき物に銅を連続的に電気めっきする。
【効果】硫酸銅めっき浴中の有機添加剤が分解又は変性して生成した分解／変性有機生成物を効率的に酸化分解させて、分解／変性有機生成物の問題を回避し、めっき成分を効果的に補充しながらめっき皮膜の特性を維持して連続的に硫酸銅電気めっきすることができる。 （もっと読む）

【課題】改良されたレベリングおよび均一電解性を与える金属メッキ組成物および方法を提供する。
【解決手段】銅、錫、ニッケル、金、銀、パラジウム、白金、インジウム、これらの合金のイオン源、および下記式（Ｉ）を有する１以上の化合物を含む金属メッキ組成物を用いてメッキを行う。Ｈ−Ａ’ｐ−Ｑ−[Ｃ（Ｏ）−ＣＨ２Ｏ−（（Ｒ１ＣＨ）ｔ−Ｏ）Ｚ−ＣＨ２−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ａ]ｕ−Ｈ（Ｉ）（式中、Ａ’は、−（ＮＨ−（ＣＨ２）ｘ’）ｙ’；−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ’−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ’）ｗ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ’−；または−ＮＨ−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ’−Ｏ）ｗ’−Ｃ２Ｈ４−、Ａは、−（（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ）ｙ−；−（ＣＨ２）ｘ−（Ｏ−（ＣＨＲ１）ｒ）ｗ−Ｏ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ−；または−（（Ｒ１ＣＨ）ｒ−Ｏ）ｗ−Ｃ２Ｈ４−ＮＨ−、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３、Ｑは、ｐ＝１のとき−ＮＨ−、またはｐ＝０のとき、−Ｏ−。） （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】固形物の析出が少なく、長時間に亘り保存安定性がよく、製品にクラックやウィスカーが生じ難く、接合強度に優れた錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液及びこれを用いて形成された錫−銀−銅−ニッケル含有めっき被膜を提供する。
【解決手段】スルホン酸類を溶かした水を主体とする媒体に、錫イオンを主体とし、銀イオン及び銅イオンを含み、更に微量のニッケルイオンを含む錫−銀−銅−ニッケル含有めっき液であって、錫イオンの濃度が０．１５〜１．５ｍｏｌ／Ｌ、銀イオンの濃度が０．００１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、銅イオンの濃度が０．００１〜０．０１ｍｏｌ／Ｌ、ニッケルイオンの濃度が０．００００００１〜０．０００００４ｍｏｌ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】クラックのない光沢性に優れたパラジウム−コバルト合金被膜を、高いコバルトの含有量でかつ厚い膜厚に形成することのできる、パラジウム−コバルト合金めっき液、パラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、パラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】パラジウムとして１〜３０ｇ／Ｌの可溶性パラジウム塩と、コバルトとして０．５〜２０ｇ／Ｌの可溶性コバルト塩と、１．０ｍｏｌ／Ｌ以上の無機アンモニウム塩と、１〜２０ｇ／Ｌの不飽和有機カルボン酸又はその塩とを含有し、ｐＨが５．０〜６．５に調整されて成るパラジウム−コバルト合金めっき液、このパラジウム−コバルト合金めっき液を用いてめっきするパラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、このパラジウム−コバルト合金被膜を加熱するパラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温において使用される、改良された添加剤系を含有する酸性銅電気めっき水性組成物を提案する。
【解決手段】 前記改良された添加剤系は、（ａ）少なくとも１種の高分子量ポリマーを含む抑制剤；（ｂ）少なくとも１種の２価の硫黄化合物を含む光沢剤；及び（ｃ）複素環式窒素化合物を含むレベリング剤とを含む。前記改良された電気めっき組成物は、プリント回路基板のスルーホールをめっきするのに使用可能である。 （もっと読む）

【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金合金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ、所望でない箇所には析出することを抑制する、金合金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】金合金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルトイオン、ヘキサメチレンテトラミンおよび特定の光沢剤を含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 （もっと読む）

【課題】ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である２μｍ以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。
【解決手段】(1)金属あるいは表層に金属層を有するセラミックの中から選ばれる素材に、または(2)表層に金属層を有するプラスチックの中から選ばれる素材に、少なくとも可溶性銅塩及び可溶性錫塩、有機酸及び／または無機酸及び／またはこれらの可溶性塩、特定の添加剤（光沢剤）から構成されるシアンを含有しない銅−錫合金めっき浴中で、電気めっきを施した後、上記(1)及び(2)で異なる特定の条件でベーキング処理することを特徴とする耐連続衝撃性に優れた、銅−錫合金めっきの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 パルス銅めっきでありながら、光沢のある銅皮膜を得ることのできる技術を開発すること。
【解決手段】 ポリエーテルポリオールもしくはポリアルキレングリコールから選ばれるポリオールに、エピハロヒドリンを反応させてエポキシ化し、次いでアミンを反応させて得られる第３級アミン化合物またはこれを更に第４級化して得られる第４級アンモニウム化合物を有効成分として含有するパルス銅めっき浴用添加剤。 （もっと読む）