【課題】 耐磨耗性、耐食性に優れ、摩擦係数の小さいＷ−Ｐ系合金を安定して効率的に得るための電気めっき浴、それを用いる電気めっき方法ならびに得られるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜を提供する。
【解決手段】 タングステン（Ｗ）；ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）もしくは鉄（Ｆｅ）；ならびにリン（Ｐ）の供給源を含有し、ＷとＮｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、ＭｏもしくはＦｅとの質量比が１：０．０２〜０．３であることを特徴とするＷ−Ｐ系合金電気めっき浴。この電気めっき浴を用いて、好適には浴温４０〜９０℃、ｐＨ３．０〜９．０および電流密度０．３〜２０A/ dm^２で電気めっきを行なうことにより、Ｗ含有量３５．０〜５５．０wt％、Ｎｉ含有量５２．５〜６４．３wt％およびＰ含有量０．７〜２．５wt％であり、ビッカ−ス硬さがＨv８００〜２５００であるＷ−Ｎｉ−Ｐ系合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ構造体用材料として好適に用いることのできる、十分な靱性を備えた高強度合金及びその高強度合金を被覆してなる金属とその高強度合金を用いたマイクロ構造体を提供すること
【解決手段】ＮｉイオンまたはＣｏイオンとＷイオンまたはＭｏイオンの総和が０．１〜０．３モル／Ｌの範囲で、上記金属イオンにおけるＮｉイオンまたはＣｏイオンの含有比率が２０〜４０％の範囲にある組成の電解浴を用いて、４０〜８０℃の浴温で電解析出させて高強度合金を得る。その高強度合金はアモルファス構造または平均結晶粒径が１００ｎｍ以下のナノ結晶構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮する。
【解決手段】 可溶性銅塩及びベース酸を含有する電気銅メッキ浴において、ベース酸がグリコール酸、乳酸、クエン酸、リンゴ酸、グルコン酸、グルコヘプトン酸よりなる群から選ばれたオキシカルボン酸又はその塩の少なくとも一種である電気銅メッキ浴である。また、これらの特定オキシカルボン酸と有機スルホン酸の混合酸、或は、イセチオン酸などの特定の有機スルホン酸をベース酸としても良い。特定の有機酸をベース酸にする銅メッキ浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有するため、ビアホールとスルーホールの混在する基板にも良好に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.２のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.０〜１０.４のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが８.２〜１５.０のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、ＨＬＢが７.７〜１３.９のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

本発明は、基体のめっき性部分上におけるスズ又はスズ合金の沈着に関連して使用するための溶液に関する。この溶液は、水;基体のめっき性部分上にスズ沈着物を提供するのに十分な量のスズイオン;金属イオンを該溶液に可溶化させるのに十分な量で存在し、5.5より大きく10未満のpHで安定な酸の錯化剤又はその塩;及び該基体の該めっき性部分上へのスズの沈着を容易にするのに十分な量で存在するアルコキシル化ポリアルコールの界面活性剤を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の２個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、ｐＨが２．０〜９．０である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
Ａ-Ｒ¹-Ｓ-Ｓ-Ｒ²-Ａ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ炭素数１〜２０個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、ＡはＳＯ₃Ｎａ、ＳＯ₃Ｈ、ＯＨ、ＮＨ₂又はＮＯ₂を表す。） （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【目的】水又はアルカリ金属塩化物水溶液の電気分解用途において水素過電圧が十分に低く、鉄イオンによる被毒の影響や基材と触媒層の密着性などの耐久性に優れた水素発生用電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基材上に、ニッケル、コバルト、銅、銀及び鉄の群から選ばれる一種の金属と白金からなる白金合金が担持され、白金合金中の白金含有量が、モル比で０．４０〜０．９９の範囲である水素発生用電極を用いる。当該電極は導電性基材上に、ニッケル、コバルト、銅、銀及び鉄の群からばれる一種の金属化合物溶液とアンミン錯体を形成する白金化合物溶液を塗布し、乾燥後、２００〜７００℃で熱分解した後、還元処理することによって得られる。 （もっと読む）

陰極ドラムを用いた電解銅箔製造における粗面側（光沢面の反対側）の表面粗さの小さいロープロファイル電解銅箔を得ること、特にファインパターン化が可能であり、さらに常温及び高温における伸びと抗張力に優れた電解銅箔を得る。 ジアルキルアミノ基を有するアクリル系化合物の窒素を四級化した化合物を単独重合又は他の不飽和結合を有する化合物と共重合することにより得られる四級アミン化合物重合体と有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液及び該電解液を用いて製造される電解銅箔である。
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【課題】アンモニアを用いることなしで、タングステン含有率が高く、硬度が高く、耐食性に優れ、耐摩耗性に優れ、離型性に優れたニッケル−タングステン合金めっき皮膜を形成することができるニッケル−タングステン合金めっき液及びニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】タングステン酸のナトリウム塩及びカリウム塩の少なくとも１種０．２〜０．５Ｍ、硫酸ニッケル０．０７〜０．２Ｍ、クエン酸アンモニウム０．２〜０．４Ｍ及びクエン酸又はクエン酸のナトリウム塩又はカリウム塩０．２〜０．４Ｍを必須成分として含有し、酸又はアルカリの添加によりｐＨが４〜６に維持されているニッケル−タングステン合金めっき液、該めっき液を用い、浴温５０〜７０℃、電流密度３０〜１５０ｍＡ／ｃｍ²の条件下で電気めっきするニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、銅ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドまたは銅トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドのいずれかを有するメッキ溶液、およびこれらのメッキ溶液を使用して、銅配線に電気化学的または化学的に沈着する方法を提供する。 （もっと読む）

銀源としてシアン化物を用いた電解銀めっき液において、Ａｓ，Ｔｌ，ＳｅおよびＴｅの化合物を光沢剤として１種以上含有し、ベンゾチアゾール骨格もしくはベンゾオキサゾール骨格を有する光沢調整剤を含有することを特徴としている。このめっき液は、光沢剤の高速性を最大限に生かしながら、電流密度に影響されずに安定な無光沢または半光沢のめっき外観が得られ、かつ、管理が容易である。 （もっと読む）

【課題】金属性プラスチック等の基質上に、引抜（ｐｕｌｌ−ｔｈｒｏｕｇｈ）装置中で、酸性電解質からの艶のない又は半光沢の銅層を電解析出するための方法及び電解質を提供する。
【解決手段】高速引抜装置中で、少なくとも銅、スルホン酸アルキル、ハロゲン化物イオン、エトキシレート、ナフタレン縮合生成物成分からなる電解液を用い、１０から１００Ａ／dm²の間からなる電流密度で、電解温度２２から６０℃で電解することにより、基質上に艶のない又は半光沢の銅層を電解析出させる。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、ビスマス塩と、各種の酸とを含有するスズ−ビスマス２元合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.６のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが２.８〜１６.６のcis−9−オクタデセニルアミンポリアルコキシレートなどの所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のアルキレンオキシド付加物、或は曇点が１５℃〜３０℃であるエチレンジアミンのポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢ又は曇点を有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面へのビスマスの置換析出を防止して浴中のビスマスの消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ²の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の２価の錫イオン濃度は１〜１００ｇ／Ｌであり、亜鉛イオン濃度は０．２〜８０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】 小型又は低比重部品をバレルメッキするに際して、ニッケル皮膜を均一に形成できるメッキ浴を開発する。
【解決手段】 脂肪族アルコール類又はエーテル類であって、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド単位を１〜４個繰り返し、両端に水素又はＣ₁〜Ｃ₄アルキル基かＣ₁〜Ｃ₂アルキル基を有する、２−メトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール、１,２−ジメトキシエタンなどのようなオリゴ分子的な特定の化合物をニッケルメッキ浴に添加してバレルメッキを行うと、メッキ浴に浮遊するような小型又は低比重部品が多い電子部品に対しても濡れ性が改善されて、均一にニッケルメッキ皮膜を形成できる。 （もっと読む）

電解液槽は、２００から２５０ｇ／ｌの硫酸クロムカリウムと、３０から３５ｇ／ｌのシュウ酸ナトリウムまたはシュウ酸カリウムと、１００から１１０ｇ／ｌの硫酸アルミニウムと、１５から２０ｇ／ｌの弗化ナトリウムと、を含み、４６℃から４８℃の温度と１．１から１．３のｐＨとを有する。電解鍍金方法は、少なくとも１つの陽極、基板の表面の少なくとも一部を支持するように構成された陰極、及び、５０から５００ｇ／ｌの三価クロムと、１０から１００ｇ／ｌのシュウ酸塩と、２０から１５０ｇ／ｌの硫酸アルミニウムと、５から３０ｇ／ｌの弗化ナトリウムと、を含む電解液を含む電解液槽を準備する段階と、前記電解液槽内に配置された前記陽極から前記陰極に向かって前記電解液槽に電流を流す段階と、前記電解液の温度及びｐＨを保持する段階と、前記基板の前記表面上に前記三価クロムを堆積する段階と、を含む。
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本発明は、電気めっき可能な基板上への金-スズ合金の沈着に関連して使用される電解質に関する。この溶液は、一般的に水、第一スズ及び/又は第二スズイオン、該第一スズ及び/又は第二スズイオンに可溶性を与える錯化剤、錯化金イオン、及びホスフェートエステル官能基を有するエトキシ化化合物を含む合金安定化剤、エトキシ化ホスフェートエステルに基づく光沢性添加剤及びアルカリ金属脂肪酸ジプロピオネートを含む。光沢剤は、単独か、又は有益な相乗効果を達成するために互いに組み合わせて用いられ得る。合金安定化剤は、使用可能な電流密度範囲で金-スズ沈着物の組成を安定化させるのに十分な量で存在する。該溶液は約2〜10のpHを有し、及び該金イオン及び該スズイオンは、約90質量%よりも少ない金含有量及び約10質量%よりも多いスズ含有量を有する沈着物を提供するのに十分な相対量で存在する。 （もっと読む）

【課題】これまでに試みられた追加の合金化元素を含む亜鉛−ニッケル合金に関連する所望されない特徴を回避する一方で、輝度、水平度、延性、および強度が高められた亜鉛−ニッケル合金を提供すること。
【解決手段】ａ）亜鉛イオン；ｂ）ニッケルイオン；ならびにｃ）Ｔｅ^＋４、Ｂｉ^＋３およびＳｂ^＋３のイオンから選択される１つ以上のイオン種、およびある実施形態においては、Ｂｉ^＋３、Ｓｂ^＋３、Ａｇ^＋１、Ｃｄ^＋２、Ｃｏ^＋２、Ｃｒ^＋３、Ｃｕ^＋２、Ｆｅ^＋２、Ｉｎ^＋３、Ｍｎ^＋２、Ｍｏ^＋６、Ｐ^＋３、Ｓｎ^＋２、およびＷ^＋６のイオンから選択される１つ以上の追加のイオン種をさらに含む亜鉛−ニッケル三元合金またはより多元の合金を析出するための電気めっき浴、システム、方法、およびこのような合金を析出することから得られる物品。ある実施形態において、該システムは、カソードチャンバー（１１４、２１４、３１４、４１４）中にのみ電気めっき浴を有する状態で、カソードチャンバー（１１４、２１４、３１４、４１４）とアノードチャンバー（１１２、２１２、４１２）を形成する仕切り（１１６、２１６、３１６、４１６）を含む。種々の実施形態において、亜鉛−ニッケル三元合金またはより多元の合金は、該合金がその上に析出された導電性基板に改善された性質を提供し得る。 （もっと読む）