【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズ用銅合金材の溶断特性を改善する。
【解決手段】 銅合金基材の表面に、厚さ０．０１〜２０μｍのＮｉめっき層を形成し、その上に厚さ０．１〜３０μｍのＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理又は加熱処理を行って、前記Ｎｉ，Ｓｎ含有合金層を形成するとともに前記Ｎｉめっき層を消滅させる。Ｓｎめっき及びその後のリフロー処理又は加熱処理の代わりに、溶融Ｓｎめっきを行うこともできる。銅合金基材１の表面にＮｉ−Ｓｎ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金、又はその両者からなるＮｉ，Ｓｎ含有合金層３が形成され、その上に最表層として純Ｓｎ層４が形成されたヒューズ用めっき付き銅合金材が得られる。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 高耐熱性及び好適なへたり性を備えたプリント基板端子用の銅合金すずめっき材。
【解決手段】Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎの順で電気めっきを施した後リフローめっきされた銅又は銅合金条であり、Ｎｉ相０．１〜０．８μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ相０．１〜１．５μｍであり；Ｃｕ−Ｓｎ合金相はＮｉを０．０５〜３．０ｗｔ％を含み、Ｓｎ相との界面において面積が３μｍ²未満の微細な結晶粒と３μｍ²以上の粗大な結晶粒が混在し、３μｍ²未満の各結晶粒の総面積をＳ_X、３μｍ²以上の各結晶粒の総面積をＳ_Yとしたとき、２０≦Ｓ_X／（Ｓ_X＋Ｓ_Y）×１００≦６０が成り立つプリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、２〜２２重量％のＺｎを含有してもよく、更に必要に応じてＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ａｇ及びＭｎの群から選ばれた１種以上を合計で２．０重量％以下含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】めっきすべき銅箔表面部分のめっき液の流れが乱れない工夫をすることにより、銅箔の非めっき面へのめっき付着を防止すると同時に銅箔の幅方向における均一なめっき処理を可能とし、これにより同方向のめっきの膜厚分布や膜質のばらつきを改善した銅箔のめっき方法及びそのめっき装置を提供すること。
【解決手段】めっき液３を入れためっき槽４内に設置された陽極板６に対向して長尺の銅箔２を平行に走行させることにより銅箔２の片面を連続的にめっきする方法において、陽極板６の位置に対応する銅箔２の反対側の面（非めっき面）の全面もしくは両端付近の面に所定の間隔をおいて絶縁性の遮蔽板８を設けた状態で銅箔２の片面を連続的にめっきする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって（１，１，０）方向に配向したＮｉを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

【課題】３００℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔２／接合界面層３／耐熱金属層５／電解銅箔層４の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、ＧＤＳ分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をＷ１、当該キャリア箔付電解銅箔を３００℃の大気雰囲気で１２０分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をＷ２としたとき、（［Ｗ２］−［Ｗ１］）／［Ｗ１］≦０．３の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境変化を受けても、樹脂との接着強度を維持することができる基板用金属材料、基板用金属材料表面粗化処理方法および基板用金属材料製造方法を提供する。
【解決手段】基板用の金属材料であって、略球状の金属粒子７が金属板６の表面の一部または全面に３段以上積み重ねられることにより表面粗化される。前記金属粒子７が銅、ニッケル、亜鉛、コバルト、鉄、モリブデン、タングステンの中の１種類、または２種類以上の合金から形成されるのが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、（１）水溶性三価クロム塩；（２）三価クロムイオン用の少なくとも１つの錯化剤；（３）ｐＨを２．８〜４．２にするのに十分な水素イオン源；（４）ｐＨ緩衝化合物；及び（５）硫黄含有有機化合物を含むクロム電解めっき溶液を含むクロム電解めっき溶液からなる。前記クロム電解めっき溶液は、装飾物品に接着性金属コーティングを施す方法で使用可能であり、前記コーティングは、塩化カルシウム含有環境における耐食性が強化されている。 （もっと読む）

【課題】噴流式めっきにおいて、ノズルから噴流されためっき液が被めっき面に作用した後、すみやかに排出され、かつめっき形成部の形状不良が無く、めっき膜厚が均一となる、めっき方法および装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を、複数のノズルの開口部３ｚから噴流させて金属基材Ｗの表面に当て、めっき液７を介して電気的に接続されたノズル３と金属基材Ｗとの間に電流を流すことにより金属基材Ｗの表面にめっき層を形成する噴流式めっき方法であって、金属基材の被めっき面Ｗａを大気中に鉛直方向にまたは鉛直方向より傾斜させて設置し、複数のノズル３を被めっき面Ｗａに対して等しい距離Ｇを保持するように配列して前記被めっき面（Ｗａ）と前記複数のノズル（３）とを相互に平行に２次元揺動させてめっきを施すことを特徴とする噴流式めっき方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）

【課題】高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制といった耐熱性に優れ、かつ表面の摩擦係数の小さいＳｎ被覆銅又は銅合金、及び通常使用されているリフロー処理前の表面処理設備をそのまま使用でき、また工場内で通常使用されている水を使用して、液きり及び乾燥の工程を必要としないため、新たな設備投資、試薬購入、及び液管理のコストがかからない効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．０５μｍ以上０．４μｍ未満であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸性（耐食性）に優れたニッケルめっき材を簡易且つ安価に製造することができる、ニッケルめっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルめっき液を使用して電気めっきを行うことによりニッケルめっき皮膜を金属素材上に形成する工程（ニッケルめっき皮膜形成工程）と、大気雰囲気のような酸素を含む雰囲気中において、ニッケルめっき皮膜の表面に酸溶液をシャワー状に注ぎかける工程（酸処理工程）とを、それぞれ複数回繰り返した後、金属素材上に形成されたニッケルめっき皮膜を水洗し、乾燥して、ニッケルめっき材を得る。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを固体潤滑材として利用した摺動部材製造方法において、基体表面にカーボンナノチューブを林立させるためのカーボンナノチューブ成長装置を必要としない製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の基体である金属部材からなる陰極と、コバルトからなる成る陽極を、カーボンナノファイバーを分散配合し、ポリアクリル酸を分散剤として添加した電解めっき液内に浸漬し、陰極と陽極との間に直流電流を印加して金属部材の表面にカーボンナノファイバーを内部及び表面に含有する複合めっき皮膜を形成する摺動部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
特に、Ｐ含有量が大きいＮｉ−Ｐ無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてＮｉ−Ｐ無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してＮｉ−ＰからなりＮｉ含有量がＮｉ−Ｐ無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はＮｉ含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はめっき処理物の生産性の向上と量産化を図るとともに、ピンホールがなく、硬度が高く、耐磨耗性が高く、被処理物に対して均一に電着し、耐食性が高い、という特性を有するめっき皮膜を得ることを目的とする。
【解決手段】被処理物２を収容する反応槽１を介挿する循環路８内で表面処理流体を循環させることでめっき処理を行うめっき処理方法において、前記表面処理流体は、少なくとも電解液３５と、界面活性剤４０と、超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素２７と、を含有するエマルジョン状態の流体であり、循環路８内における前記表面処理流体を３０ｃｍ／ｓｅｃ以上の流速で循環させ、該表面処理流体が被処理物２に対して電気化学的反応を起こすことにより、めっき処理を行うことを特徴とするめっき処理方法及びこれにより得られるめっき処理物。 （もっと読む）

【課題】表面の曇りがなく、高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制が図れ、耐熱性及びはんだ濡れ性に優れたＳｎ被覆銅又は銅合金、及び効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．４μｍ以上２．０μｍ以下であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）