【課題】本発明は、ボイドによって発生した電極連結性の不良を改善することのできる無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の無収縮セラミック基板の製造方法は、ビア電極部１１０が形成されたセラミック積層体１００を設ける段階と、セラミック積層体１００を焼成する段階と、前記焼成する段階で発生したボイドをメッキ物質で充填してメッキ部１５０を形成するようにメッキ工程を行う段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
低挿入力と高耐熱性を両立するコネクタに必要な金属条の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属条の製造方法であって、母材金属上にNi層、Sn-Cu合金層を順次積層させる第一工程と、前記積層された母材金属をSn-Cu共晶の融点以上に熱処理して、前記母材金属上の前記Ni層上に、Cu-Ni-Sn化合物とCu-Sn化合物とが混合した化合物層、Sn層又Sn系合金層が順次積層された構造を形成する第二工程と、を有し、前記第一工程では、前記Sn-Cu合金層としてCu含有率が５mass%以上のSn-Cu合金層を用いて製造することで、低挿入力と高耐熱性を両立する金属条を容易に製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】部材加工後の化成処理性に優れた鋼材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】好ましくは質量％で、Ｃ：0.05％以上、Si：0.7％超え、Mn：0.8％以上を含有する鋼材の表面に、めっき付着量が10mg/m^２以下の軽度の金属めっきを施す。これにより、Siを0.7％超えて含有しても、化成処理性の低下はなく、また、表面歪で２％を超える加工を施されても、加工による化成処理性の低下を防止できる。金属めっきとしては、Ni、Cu、Mo等のめっきとすることが好ましい。軽度の金属めっき層は、下地鋼材を部分的に覆うように、不連続に形成され、化成結晶が析出する際の、カチオン・ポイントとして機能し、緻密でかつ微細な化成結晶の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】１６０℃の大気中で長時間保持した後の接触抵抗の上昇が少ない耐熱性に優れた導電材及び該導電材を効率よく製造する方法の提供。
【解決手段】素材上に少なくともＳｎ層を形成するＳｎ層形成工程と、前記Ｓｎ層をウエットブラスト処理するウエットブラスト処理工程とを含む導電材の製造方法である。該Ｓｎ層がめっきにより形成される態様、素材側から順にＮｉ層、Ｃｕ層、及びＳｎ層をめっきにより形成する態様、Ｓｎ層形成工程とウエットブラスト処理工程の間において、該Ｓｎ層形成工程により形成された層にリフロー処理を行うリフロー処理工程を含む態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よいディップ式を採用し、バンプ等の突起状電極に適しためっき膜を、装置全体のコンパクト化を図りつつ、自動的に形成できるようにする。
【解決手段】複数のめっき槽４１４ａ，４１４ｂ，４１４ｃを備え、基板の表面に異なるめっき槽で順次めっきを行うめっき装置において、基板と該基板が入れられためっき槽のアノードとの間で単一のめっき電源４１６から通電してめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】作業環境への反応ガスの放出を抑制できると共に、シリンダ内周面と電極間の隙間流路に反応ガスが滞留することを抑制して通電不良等の不具合を防止できること。
【解決手段】シリンダブロック１におけるシリンダ２のシリンダ内周面３の一端部をシール治具１３がシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極１２の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理するシリンダブロックのめっき前処理装置であって、シリンダ内周面３と電極１２間に隙間流路２７が形成され、電極に電極内流路１２Ａが形成され、隙間流路２７が、シール治具１３に最も接近して設けられたスリット２６を経て電極内流路１２Ａに連通され、隙間流路２７内をシール治具１３へ向かって流れる処理液が、スリット２６を経て電極内流路１２Ａへ流出可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】導電材と樹脂との間の良好な密着性を有する樹脂成形工程及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気泡１００を含む気泡層１０ａと、前記気泡層の表面に選択的に設けられ前記気泡層より高い密度を有するスキン層１０ｂと、を有する樹脂部１０と、前記気泡層に接して設けられた導電体２０と、を備えたことを特徴とする樹脂成形体１であり、気泡を含む気泡層と、その表面１０Ｓの少なくとも一部を被覆し前記気泡層より高い密度を有するスキン層とを有する樹脂部を成形する樹脂成形工程と、前記スキン層を選択的に除去して前記気泡層を露出させるスキン層除去工程と、前記選択的に露出した気泡層の表面に導電体を形成する導電体形成工程と、を備えたことを特徴とする樹脂成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 公知技術に係る封孔処理剤（腐食抑制剤）において、より高い耐食性を維持しつつ、はんだリフローなどによる熱負荷後の接触抵抗をより安定させると共に、溶媒に揮発性の高い有機溶剤を使用しないことによって、環境汚染の面及び作業環境の防災面での安全性を高めること。
【解決手段】 本発明に係る腐食抑制処理剤は、油に関しては熱負荷、温度衝撃に対して安定なものを選び、腐食抑制剤はそれらの油に容易に溶解するものを選択したのである。具体的には、ポリエーテル系合成油とポリオキシエチレンひまし油エーテルを油として選び、オキサゾール系化合物を腐食抑制剤として、各々を水または水系溶媒に溶解して水溶性の腐食抑制処理剤を調合したものであり、抵触圧力デバイス、及びプリント基板の回路部のめっき接点部の処理に適用することにより、高い耐食性と安定した接触信頼性を確保しつつ、環境汚染や作業環境の防災面においても大幅な改善に寄与することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部３Ａを有し、全ての開口部３Ａの合計面積が基板１の面積の０．０１％以下の、めっきマクス膜３を形成するマスク膜形成ステップと、基板１の外周部に、開口部３Ａの合計面積の３０００倍以上の面積を有する外部電極６を形成する外部電極形成ステップと、基板１の開口部３Ａおよび外部電極６を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】真鍮など、金銅メッキ後の熱処理によってピンクゴールド色を損なってしまう銅含有金属素材を用いた場合でも、ピンクゴールド色を損なわないメッキ部材を提供する。
【解決手段】銅を含有する金属部材に金銅メッキを施してなるメッキ部材であって、前記金属部材と金銅メッキからなる層との間に、金銅メッキ中の金原子および銅原子の拡散を防止する鉄またはニッケルからなる金属層を備える。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔の光沢面に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。電解銅箔の粗面側２にアノード３を配置し光沢面側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔光沢面の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】密着性を向上させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】高分子繊維材料のめっき方法は、（１）高分子繊維材料の表面を親水化又は活性化するプラズマ処理工程と、（２）高分子繊維材料の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（３）ＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬する第一Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（４）高分子繊維材料にＰｄのみを吸着・結合させる第一アクセレーター処理工程と、（５）高分子繊維材料を１２０℃〜１８０℃に所定時間保持する熱処理工程と、（６）ＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬する第二Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（７）高分子繊維材料にＰｄのみを吸着させる第二アクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の品質を高めた接触マスク又は接着マスクめっき或いは電気化学的加工製法又は装置を提供する。
【解決手段】構造を製造するための適合接触マスキング方法であって、（Ａ）所定の層の少なくとも一部を形成中に、予め形成されたマスク８を供給する工程と、（Ｂ）所定の層の少なくとも一部を、基板６に選択的に堆積する工程とを備える。選択的堆積工程は、ｉ）基板６と上記予め形成された上記マスク８とを接触させる工程と、ｉｉ）選択された堆積材料が上記基板６に堆積し、所定の層を形成するように、めっき液の存在の下で、上記選択されたマスク８内の開口部を介して陽極と陰極との間に電流を供給する工程と、ｉｉｉ）上記選択され予め形成されたマスクを基板から分離する工程とを備えており、ある層の形成中に上記陽極と上記陰極との間の電圧を測定する。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔１。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔１の光沢面４に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。電解銅箔１の粗面側２にアノード３を配置し光沢面４側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面２に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面４に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 先端に整列したナノ構造を提供する。
【解決手段】 先端に整列したカーボンナノチューブを製造する技術が提供される。一実施形態において、先端に整列したカーボンナノチューブを製造する方法は、ナノ構造を先端に形成し、先端を流れる流体を用いて、ナノ構造を先端に整列することを含む。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法を単純化してそのコストを減少させる。
【解決手段】本発明は、電気めっきにより被膜を工作物に被着させる装置及び方法に関する。電解質液（５）で満たされるのに適した容器（４）が提供され、アノード形成導体手段（６）が容器（４）内に配置されると共に電流発生器（１０）に接続され、カソード形成工作物（１）がろくろ（３）のマンドレル（２）に取り付けられ、容器をろくろに対して案内すると共に移動させる案内・移動手段が設けられ、案内・移動手段により、工作物を電解質液内に全体的に又は部分的に浸漬させることができる。 （もっと読む）