【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力に起因するウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、めっきを厚めに皮膜し、めっき層の厚みがリード部ほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果を重視する必要のある接点部のめっき層は薄くする。めっき液浸漬処理後に高温処理をおこなうが、このときめっき層に供給する熱量は、リード部ははんだ性を確保するのを第一義にし、ウイスカ対策は内部応力の除去が達成できる溶融状態未満の熱処理をおこない、接点部は、溶融しためっき材料の表面張力による形状変化はむしろ利点として作用するので、一旦めっき層を溶融させて内部応力の除去を完璧にできるリフロー処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル多層配線基板の上下の導体配線層を接続するビアホールを穴埋めするビアフィリングを、リールトゥリールで連続処理を行う電解めっき装置によって行い、且つ、めっき層内に酸化物の層を混入させない。
【解決手段】長尺の被めっき基板を得る第１の工程を有し、前記被めっき基板を電解めっき液浴内に設置し、前記電解めっき液浴内で前記被めっき基板に対向させてめっき陽極を設置し陰極給電部分を前記めっき電流供給用導体に接して電気接続することで前記ビアホールを電解めっきする第２の工程と、次に、前記陰極給電部分の前記めっき電流供給用導体への電気接続を切り離し前記陰極給電部分に析出しためっきを除去する第３の工程を有し、前記第２の工程と前記第３の工程を繰り返すことで前記被めっき基板の前記ビアホールを電解めっき途中で空気中に露出させずに電解めっきにより充填する。 （もっと読む）

【課題】従来のように直流による陰極電解（銅めっき）とパルス電解を組み合わせるのではなく、パルス電解単独により従来の粗化電解銅箔並みの樹脂との接着性を有し、しかも低コストである粗化圧延銅板を製造する方法を提供する。
【解決手段】光沢剤を含む電解液中にて非対称の正負のパルスで圧延銅板をパルス電解する工程を有し、上記正パルスの電流密度Ｉａと上記負パルスの電流密度Ｉｃが（１）式；｜Ｉａ｜＞｜Ｉｃ｜を満たし、上記正パルスの通電時間Ｔａと上記負パルスの通電時間Ｔｃが（２）式；Ｔａ＜Ｔｃを満たし、上記正パルスの単位面積当たりの積算電流値Ｑａと上記負パルスの単位面積当たりの積算電流値Ｑｃが（３）式；１＜｜Ｑｃ／Ｑａ｜≦４を満たす（ただし、（１），（３）式中の｜｜は、絶対値を表している）ことを特徴とする粗化圧延銅板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハ毎に表面積が異なる場合であっても、製品毎の成膜処理を簡便化し、レシピ管理等の管理負荷を軽減する。実効的な表面積に応じて適当な成膜条件を決定し、精度良く成膜を行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、凹部の設けられた半導体基板表面の反射率を成膜前に測定する工程と、測定された前記反射率に対応する成膜条件を表す成膜パラメータを決定する工程と、前記成膜パラメータに対応する条件下で前記半導体基板に成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアがほぼ充填した段階で表面に付着した光沢剤を薬品あるいはプラズマで除去し、再度、前処理および、めっきを行なうことにより、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアフィルめっき液の特性、表面のめっき析出を抑え、ビア内の析出を促進するという特性を利用し、浅いビアが埋まった時点で光沢剤効果をリセットすることにより、複雑な工程を追加することなく、深さの異なるビアをフラットに充填する。 （もっと読む）

【課題】 硫酸銅めっき浴を基本組成としながら、優れた均一電着性を有するめっき浴を得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 ４０〜１００ｇ／Ｌの硫酸銅および１５０〜２５０ｇ／Ｌの硫酸を含有する硫酸銅めっき基本組成に、下記式（Ｉ）または（II）


【化１】


（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、同一または異なって水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を、Ｒ_３は、水酸基およびハロゲンを有する炭素数２〜４のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す）
で表される構造単位を有するポリアミン系化合物を添加してなることを特徴とするプリント基板用硫酸銅めっき液並びにスルーホールを有する銅張プリント基板を、当該硫酸銅めっき液中でめっきすることを特徴とするスルーホールを有するプリント基板のめっき方法。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 ２つの工程を含む電解銅めっき方法を提案する。方法は、非常に狭い場所のめっきに特に適する。
【解決手段】 第１工程は、硫黄含有有機化合物、好ましくは、１つ又は複数のアルカンスルホン酸エステル基及び／又はアルカンスルホン酸を含む抗抑制剤を含む前処理溶液を含む。第２工程は、アルカンスルホン酸に基づく電解銅めっき溶液を含む。 （もっと読む）

【課題】接続端子の摺動部などに好適なめっき材料、および前記めっき材料を用いて挿抜性を改善した、嵌合型多極コネクタなどの電気電子部品を提供する。
【解決手段】導電性基体１上にＮｉなどの下地層２が設けられ、その上に銅または銅合金の中間層３が設けられ、その上にＣｕ−Ｓｎ金属間化合物からなる最外層４が設けられためっき材料５。めっき材料５を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層４が硬質のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難い。従ってめっき材料５を摺動面に用いた端子はめっき層を薄くするなどして挿抜性を高めることができる。めっき材料５は、製造中または使用中の基体成分の熱拡散が前記下地層２により防止され、下地層成分の熱拡散が中間層３に阻止されるので、最外層４のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層が汚染されず、その機能が良好に保持される。 （もっと読む）

【課題】凹部を有する被めっき物の凹部にもアルミニウムめっき皮膜を形成することのできるつき回り性に優れた電解アルミニウムめっき方法および凹部にもアルミニウムめっき皮膜が形成された被めっき物を提供する。
【解決手段】被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 微小で複雑な形状の基体に対しても薄膜が作製できる方法を提供する。
【解決手段】 アクチノイド及び希土類からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む電解浴中において、Fe、Co及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種を有する基体を陰極に使用して溶融塩電解を行う方法、または、AB、AB₂、AB₃、AB₅、A₂B₇、A₂B₁₇、A₃B、A₄B₁₃及びA₅B₂₃（式中、Aは、同一または相異なって、アクチノイドまたは希土類を示し、Bは、同一または相異なって、Fe、CoまたはNiを示す。）からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む電解浴中で溶融塩電解を行う方法。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸量が７μｍ以下であるフィルドビアを形成できるめっき方法を提案する。
【解決手段】 可撓性を有する絶縁性接触体が直接接触することにより、バブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層（めっき成分や添加剤濃度が薄い領域）を薄くすることができる。このため、バイアホール内部（凹内）を除く被めっき表面には、攪拌方法よりめっき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、バイアホールの内部（凹内）はバイアホール（凹）の深さ分拡散層の厚さが厚いので、攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、バイアホール内部（凹部）はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなり、入り込み量の小さいめっき層ができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物の提供。
【解決手段】本発明は、半導体デバイスの製造において直接銅めっきし、かつ充填して相互配線を形成するための方法及び組成物を目的としている。本発明によれば、上記方法とは、銅イオン源を４５〜２００ｍＭ、好ましくは４５〜１００ｍＭの濃度で、及び２〜４つのアミン官能基を有する脂肪族ポリアミンである少なくとも１種の銅錯化剤を３０〜２００ｍＭ、好ましくは６０〜２００ｍＭの濃度で溶媒中の溶液に含有し；かつ上記銅／錯化剤のモル比が０．２〜２、好ましくは０．３〜１．５である銅電解槽を調製し、基板の銅拡散バリア層を上記銅電解槽に接触させ、上記基板に、銅が電気めっきされる厚みに従い調整された時間中、電気的バイアスを印加し、上記基板を上記銅電解槽から取り出す方法である。 （もっと読む）

【課題】ファッション性のある複合色彩装飾の作成法法およびそれによる複合色彩装飾体を提供する。
【解決手段】被装飾面に少なくとも導電性を有する予備層を設ける第１工程と、該予備層を設けた被装飾面に所定印刷インキによる微細な色彩模様の印刷を施す第２工程と、前記色彩模様の印刷部分以外の被装飾面に、且つ前記微細な色彩模様の縁部に沿って盛り上がるように電着性が良い金属メッキ（主としてＣｕメッキまたはＮｉメッキ）を施す第３工程と、該電着性が良い金属メッキの表面に装飾金属メッキを施す第４工程を備え、印刷色彩模様部と装飾金属メッキ部を共存せしめ、色彩模様の印刷を線幅５０μｍ以下の極細線または該極細線による模様または網点画像とし、印刷後固定化処理を施す複合色彩装飾の作成方法およびそれによる複合色彩装飾体。 （もっと読む）

【解決手段】錫又は錫合金皮膜にＭｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｓｂ及びＢｉから選ばれる１種又は２種以上の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させる表面処理により、基体上の他部材が圧接固定される面や被はんだ接合部などに形成された錫又は錫合金皮膜のウィスカの発生を抑制する。
【効果】Ｓｎ又はＳｎ合金皮膜上に所定の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させることにより、接圧ウィスカの発生を抑制することができ、また、金属被着後、熱処理、リフロー処理を実施しなくとも、皮膜のはんだ濡れ性を損なうことなく、ウィスカの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 半田付けしたときの強度を保持し、かつ、半田付けするときの融点を低温化できる金属ボールを提供する。
【解決手段】 金属ボール１０は、コアボール１と、反応抑制層２と、めっき層３とを備える。コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。めっき層３は、錫ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。そして、めっき層３は、錫（Ｓｎ）が最内周から最外周へ向かって減少し、ビスマス（Ｂｉ）が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 （もっと読む）

【課題】 摺動面の面圧の変動があっても、摩擦係数が比較的安定した摺動部材を提供すること。
【解決手段】 摺動面をめっき皮膜で被覆した摺動部材において、前記めっき皮膜の表面にクラックを形成すると共に、該クラックにフッ素樹脂と金属硫化物との混合物を充填したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルドビア以外の絶縁層表面に形成された銅からなる導体層のめっき厚を調整して、フィルドビアの欠陥発生がなく、精度の良い配線層が形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材１１の両面に導体層２１が形成された両面銅張り積層版にビア用孔１２を形成し、ビア用孔１２を導電化処理した後電気銅めっきによりビア用孔１２をフィリングしてフィルドビア２３を、絶縁基材１１上の導体層２１上に銅からなる導体層２２を形成した後、引き続き、導体層２２を同じ電気銅めっき液からなる硫酸酸性液でＰＲ（パルスリバース）電解エッチングを行って導体層表面研磨を行い、配線層２４ａ及び２１ａを形成し、配線層２４ａと配線層２１ａがフィルドビア２３にて電気的に接続された配線基板１０を作製するというものである。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、粗化粒子の脱落危険性のない、均一な粗化粒子が得られ、低粗度で、樹脂等との高い密着力を有し、厚さの薄い銅箔に対しても生産効率の良い粗面化処理方法、並びに、このような銅箔の粗面化処理方法にて使用される処理液を提供する。
【解決手段】 粗面化処理のための処理液として、分子中に下記の化学構造：
【化１】


を含み、かつ２つ以上の環式構造を有する複素環式化合物である粗面化添加物質の少なくとも１種を含有した硫酸酸性溶液を調製する工程Ａと、前記硫酸酸性溶液を用いて銅箔の片面もしくは両面を限界電流密度以上で陰極処理し、前記銅箔表面に銅の突起状電着物を形成させる工程Ｂとを含むことを特徴とし、前記粗面化添加物質としては、水溶液中で１価の銅イオンと錯形成し、かつ１４以上の全安定度定数βを有する物質が使用され、フェナントロリン、ピリジル又はこれらの誘導体が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 レジスト膜によるマスクなしに、形状の制御された高密度の配線を有する配線板を製造する。
【解決手段】 絶縁基板上に銅配線を有する配線板の製造方法において、絶縁基板上の配線やバンプを形成する部分に凹凸形状を有する下地金属膜を形成する工程と、電気めっきによって下地金属膜の凹凸を有する部分に銅または銅合金のめっき膜を形成する工程とを含み、めっき液中にめっき反応を抑制する物質を加えることで、前記絶縁基板の表面とめっき膜側面との角度を９０度以下とする。 （もっと読む）