【課題】めっき浴への気体吹き込みによって発生しためっき液飛沫がめっき浴投入前の被めっき基材に付着することを防ぐことによって、めっき処理のムラを改善し、隣接する配線の間隔が数十μｍ以下と極めて高精細であっても配線同士が接合することのない、めっき処理装置を提供する。
【解決手段】長尺帯状の被めっき基材４をめっき処理するめっき槽１、およびめっき浴３にバブリングを行う気体吹き込み手段２，１０，１１を有するめっき処理装置であって、少なくとも複数の案内ロール６ａ〜６ｄおよびベルト５から構成されるめっき液飛沫付着防止手段と、該ベルト５に付着しためっき液飛沫８を除去するめっき液飛沫除去手段１６とを少なくとも有するめっき処理装置。 （もっと読む）

【課題】大きな設備改造を行うことなく、レトルト後塗膜密着性に優れたスズめっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】冷延鋼板に前処理、スズめっき、リフロー処理、及び化成処理を施す缶用スズめっき鋼板の製造方法において、スズめっき工程において、少なくとも缶内面となる側にめっき量が１．５ｇ／ｍ^２以上となるようにスズめっきを施し、次いでリフロー工程において、該スズめっきの溶融時間が０．１〜０．７秒となるようリフローを行い、次いで重クロム酸ナトリウム水溶液中に０．５〜４．０秒無電解で浸漬した後、該スズめっき上に重クロム酸ナトリウム水溶液中で０．８〜６．５Ｃ／ｄｍ^２の通電量で陰極電解による化成処理を行うことを特徴とするレトルト密着性に優れるスズめっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき液の管理が容易であって、かつＳｎ合金のめっき液へのＳｎ成分の補給を簡便な方法により低コストで行う。
【解決手段】めっき槽１内に貯留したＳｎ合金のめっき液に被処理基板Ｓを接触させた状態とし、被処理基板Ｓと電極１４との間に通電して被処理基板ＳにＳｎ合金のめっき膜を形成するめっき装置において、めっき槽１との間で循環されるめっき液を貯留するタンク２３と、タンク２３内のめっき液をポンプ２５で圧送しながらめっき槽１に供給するめっき液供給手段４とを有するとともに、めっき液供給手段４のポンプ２５よりも下流位置に、流通するめっき液内に酸化第一錫の粉末を供給する補給手段６を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ等の基板に対して、１０Ａ／ｄｍ^２を超える大きな電流密度で、基板のスルーホール内部にまで銅イオンを拡散させ均一で良好な高速めっきを行うことができる高速連続めっき処理装置を提供する。
【解決手段】１０Ａ／ｄｍ^２を超える電流密度で基板１０へのめっきを行う高速連続めっき処理装置であって、めっき元液に酸化銅粉を溶解してめっき液を調製する酸化銅粉溶解槽９１を備えた銅イオン供給部９０、めっき液をめっき槽７０に供給する噴流ポンプ８２と、噴流ポンプの先端に接続されて噴流ポンプにより加圧されためっき液を基板面に向けて噴出させる噴流ノズル８３とを備えた銅イオン噴流部８０、不溶性陽極部６０および給電部５１、５２を有し、噴流ノズルは前記噴流ポンプとの接続部側よりも先端部側が幅広い形状を有すると共に先端面には複数のノズル孔が設けられており、銅イオン噴流部は基板面に対向して交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた導電性ポリマーフィルムの製造方法および製造装置において、製造コストを低減し、殊に再現性を向上させることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】所定のパターン領域を有する電極１２を低分子化合物を含む電解質１１と接触させ、電極１２を介して電流を流すことによって所定のパターン領域を有する導電性ポリマーを電極上に形成させる装置１０、および、電解質１１に含まれる低分子化合物の濃度を測定するための測定装置１７、前記電極１２を循環搬送するための循環搬送装置を含む、パターニングされた導電性ポリマーフィルムの製造装置及び製造方法。 （もっと読む）

【課題】アノードの全体に均一に通電することができ、アノードを均一に溶解させることができ、アノードを安定して保持することができるアノードホルダ用通電部材およびアノードホルダを提供する。
【解決手段】めっき槽内に基板とアノードを対向させて縦型に配置するめっき装置に用いられ、アノード５に給電するためのアノードホルダ用通電部材１において、アノード５の裏面の略全面に接触可能な円板状の導電性材料からなる接触部材２と、接触部材２とめっき装置の給電部とを接続する導電性材料からなる接続部材３とを備え、接続部材３は、接触部材２がアノード５と接触する面の裏面の中心部から延びている。 （もっと読む）

【課題】ＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜に形成されたピンホール内に貴金属めっき膜を析出させて適切に封孔することができる電気接点の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）工程では、母材金属１上に電解めっき法にてＮｉあるいはＮｉ合金の下地めっき膜２をめっき形成する。（ｂ）工程では、前記下地めっき膜２の表面に、貴金属めっき膜３の初期めっき膜３ａを電流密度を高くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより初期めっき膜３を微結晶化できる。続いて、（ｃ）では、貴金属めっき膜３の残りのめっき膜３ｂを電流密度を低くした状態で電解めっき法にてめっき形成する。これにより下地めっき膜２に形成されたピンホール２ａを貴金属めっき膜３にて適切に封孔することが出来る。 （もっと読む）

【課題】有機皮膜密着性、耐食性に優れた缶用めっき鋼板、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】錫付着量が0.5〜6g/m²であり、実質的にFe-Sn合金層を有していない錫めっき鋼板であって、錫めっき層の上層として、還元に要する電気量として1.0mC/cm²以下の酸化錫と、P量として1.0〜5.0mg/m²のリン酸錫とを含む層を有することを特徴とする缶用めっき鋼板。その製造方法は、鋼板を電気錫めっき後、液温30〜50℃、pH1.5〜3.5のナトリウムイオンを含むリン酸系水溶液中で、2〜30A/dm²、0.1〜2秒の陰極電解処理、次いで1秒以内に0.2〜5A/dm²、0.1〜2秒の陽極電解処理を施し、さらに1〜30A/dm²、0.1〜2秒の陰極電解処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電気接点の貴金属めっき膜やその下地として用いられるＮｉめっき膜は、緻密で耐食性に優れることが要求されるが、めっき表面に析出する光沢剤量が多いと接触性能またはめっき膜の密着性が低下することが問題となっていた。
【解決手段】
電気接点のＡｕやＡｇの貴金属めっき膜や、これらの下地膜として用いられるＮｉめっき膜において、めっき膜に含まれる光沢剤量を膜内部に比べて膜表面で少なくする。これにより、めっき膜内部はめっき膜を構成する結晶粒の粒子径が小さい緻密な膜めっき膜でありながら、表面は接触性能またはめっき密着性に優れためっき膜が得られる。例えば、陽極を傾斜、または湾曲させて形状を変え、基板との距離を変化させることにより、基板表面の電流密度を制御し、めっき内で光沢剤量が異なるめっき膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】スリット間からの処理液の漏出を抑え、フープ材の表面に傷を生じさせることのないフープ材のめっき装置、及びそれを用いたフープ材の連続めっき方法を提供する。
【解決手段】出入口用スリットを有する処理槽１にフープ材５を搬入し、連続的に内セル２を通過させてめっき液に浸漬するようにした、フープ材のめっき装置において、前記内セル２の出入口用スリット３の近傍に、フープ材５の一面側と他面側とで一対になるロッドを複数セット配置して液漏出防止機構を構成し、前記ロッドは、ホルダー内に収納し、かつホルダーとフープ材５との位置調整可能な状態で、ホルダーの端部を内セル２に連接された支持板８に固定したことを特徴とするフープ材のめっき装置、及びフープ材の連続めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＮｉＸ層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点１は、ＮｉＰ層２と、ＮｉＰ層２の表面に貴金属層３を備えて構成される。ＮｉＰ層２は、主層２ａと、その上面２ｃに形成された表面層２ｂとの積層メッキ構造である。前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、ＡｕやＡｇ等の貴金属層３をＮｉＰ層２に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図１に示すＮｉＰ層２を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層２ｂの半田付け性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】取扱いが比較的容易な無機酸浴を用いて、効率良くめっき層を形成することが可能なめっき付銅条材の製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金からなる銅条材を連続的に走行させながら、その表面に多層に金属めっき層を形成した後、リフロー処理するめっき付銅条材の製造方法であって、各金属めっき層を、無機酸を主成分とするめっき液からなるめっき浴内に、不溶性アノードと銅条材とを浸漬し、レイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材及びめっき浴内のめっき液を相対移動させながら通電するとともに、電流密度を５〜６０Ａ／ｄｍ^２の範囲内とした電解めっきにより形成する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。
【解決手段】平均濃度で１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材として、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、該Ｓｎ相の表層のＺｎ濃度を０．１〜５．０質量％に調整する。母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 （もっと読む）

【課題】連続操業においても表面欠陥の少ない金属化長尺樹脂フィルム基板の製造方法及びこの基板を製造するためのめっき装置を提供する。
【解決手段】金属膜付長尺樹脂フィルムＦの端面同士を突き合わせて、導電性テープ１を貼付して接続部分Ａが形成されている。裏面テープ２は粘着テープであり、適宜用いることができる。接続部分Ａでは導電性テープ１と裏面テープ２により段差ｄが形成される。接続部分Ａが、電気めっき装置の給電ロールと接触している間は、めっき液槽内部のアノード（陽極）と給電ロールの間の電位差の最大値が、操業時の電位差の０．８倍以上１．７倍以下の範囲内になるように給電ロールに流す電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板のスルーホールに挿入されリフロー半田付け工程を経て実装されるプリント配線基板端子の素材として好適なへたり性をもつ銅又は銅合金（以下「銅合金」）すずめっき材。
【解決手段】 平均結晶粒径が１．５〜６．０μｍである銅合金の表面にＣｕ相０〜２．０μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ及びＳｎ相０．１〜１．５μｍの各めっき相がこの順に形成されているＳｎめっき材であって、銅合金の結晶粒径Ｄ_Xと銅合金直上のめっき相の結晶粒径Ｄ_Yとの間に、（Ｄ_X−Ｄ_Y）≧１（単位：μｍ）が成り立つ、プリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、銅合金直上のめっき相中のＣ及びＳ濃度は合計０．０２〜０．２質量％であってもよく、銅合金は２〜２２質量％のＺｎを含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 過マンガン酸塩／硫酸タイプのクロムフリーエッチング液の利用や、十分なエッチングが困難であるＰＣ／ＡＢＳ樹脂等の利用にあっても実用に耐えうる密着強度を与えるダイレクトプレーティング法を提供すること。
【解決手段】 プラスチック被めっき素材を、エッチングした後、その表面に触媒を付与し、これを導電化処理した後、直接電気めっきを行い、当該めっき素材上に金属被膜を形成させるダイレクトプレーティング法において、導電化処理工程と電気めっき工程の間に、４５ないし７０℃の温度で３から７分間乾燥を行う工程を設けたことを特徴とするプラスチック被めっき素材上への金属皮膜形成方法およびプラスチック被めっき素材を、当該金属皮膜形成方法で形成した金属被膜で被覆してなるめっき製品。 （もっと読む）

【課題】酸性銅めっき浴組成物を用いて、樹脂フィルム面に銅厚付けめっきを施し、平滑で光沢外観を有し、耐剥離性に優れる２層フレキシブル銅張積層基材（２層ＦＣＣＬ）及びこのような２層ＦＣＣＬを、酸性銅めっき浴組成物を用い、かつ電気めっき工程が１工程の湿式めっき法による製造方法を提供することである。
【解決手段】酸性銅めっき浴組成物とシード層なる導電性金属被覆樹脂フィルムとを用いて、湿式めっき法による２層ＦＣＣＬの製造方法であって、親水化表面改質を施した樹脂フィルム面に、無電解ニッケルめっきシード層を形成させる工程と、この酸性銅めっき浴組成物中で、１次銅めっきを介さずに湿式電気めっきを施し、シード層上に銅導電層を厚付けめっきさせる工程とを含む２層フレキシブル銅張積層基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】先行材と後行材を接続してリフロー処理する際の加熱過不足の発生を最小限にする連続錫めっき設備のリフロー加熱電力制御方法を提供する。
【解決手段】先行材１１と後行材１２の接続部１３を有する錫めっきストリップ１４を第１、第２のコンダクターロール１５、１６間で抵抗加熱し、第１、第２のコンダクターロール１５、１６間の誘導加熱装置１８で誘導加熱し、クエンチタンク１９で急冷してリフロー処理する際のリフロー加熱電力の制御方法であって、第１、第２のコンダクターロール１５、１６の間を接続部１３が通過する間の抵抗加熱電力を、先行材１１に適した電力から後行材１２に適した電力に徐々に又は段階的に変え、更に抵抗加熱電力を変えること及び第１、第２のコンダクターロール１５、１６間の電気抵抗の変化によって生じる錫めっきストリップ１４に発生する加熱温度の過不足分を計算して、過不足分を誘導加熱装置１８による加熱で補償する。 （もっと読む）

【課題】被加工品のボス部に取り付けられたキャップを、自動的に、且つボス部が散開して配置されていても複数同時に取り外し可能なキャップ取り外し機の提供。
【解決手段】基台用プレート５の下支用ピンにキャップ取外用プレート３の挿通孔１２を外挿させると共にキャップ取外用プレート３の貫通孔１１の第１の孔部１１Ａに被加工品６のキャップ９が取り付けられたボス部８を挿入させた状態にし、ボス部８がキャップ取外用プレート３の貫通孔１１の第２の孔部１１Ｂ内に位置するように被加工品６をスライドさせ、被加工品６の基体７とキャップ９との隙間にキャップ取外用プレート３を差し込み、自動操作で押圧用プレート２をキャップ取外用プレート３側に下げ、押圧部材２６でキャップ取外用プレート３を押し下げ、キャップ取外用プレート３の貫通孔１１の第２の孔部１１Ｂの周縁部位で被加工品６のボス部８からキャップ９のみを押圧して取り外す。 （もっと読む）