【課題】安価でありながら、安定した接触抵抗を長期間に亘って維持して電気的信頼性および耐久性に優れると共に、端子挿入時の挿入力が充分に小さいコネクタ用電気接点材料を製造する技術を提供する。
【解決手段】基材上に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｉｎまたはこれらの合金からなる金属層を形成する金属層形成工程と、金属層形成工程後に形成された酸化物層を除去する酸化物層除去工程と、酸化物層が除去された金属層の表面を酸化処理（または水酸化処理）して導電性酸化物層（または導電性水酸化物層）を形成する導電性酸化物層（または導電性水酸化物層）形成工程とを有しているコネクタ用電気接点材料の製造方法。基材上に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｉｎまたはこれらの合金からなる金属層が形成されており、金属層の上に導電性酸化物層または導電性水酸化物層が形成されているコネクタ用電気接点材料。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を有するとともに、はんだ濡れ性が劣化しない電極を有する電子部品を得る。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂを覆うようにして、最外層としてＳｎからなる第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金層がそれぞれ形成されている。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂと第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂとの界面には、Ｎｉ₃Ｓｎ₄からなる金属間化合物層２６ａ、２６ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ抑制能を飛躍的に高めた電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品としての積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば直方体状の電子部品素子１２を含む。電子部品素子１２の一端面および他端面には、端子電極１８ａ、１８ｂの外部電極２０ａ、２０ｂが形成される。外部電極２０ａ、２０ｂの表面には、Ｎｉめっきからなる第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂが形成される。第１のめっき皮膜２２ａ、２２ｂの表面には、最外層となるＳｎめっき皮膜としてＳｎを含む第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂが形成される。第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、多結晶構造を有し、Ｓｎ結晶粒界およびＳｎ結晶粒内にフレーク状のＳｎ−Ｎｉ合金粒子がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】塗装後耐食性を確保できる温間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m²のZn-Ni合金めっき層を有する鋼板を、200〜800℃の温度範囲に加熱後、該温度範囲内で温間プレス成形を行うことを特徴とする温間プレス部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】熱間プレス時にスケールやZnOの生成を抑制可能な耐酸化性に優れる熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m²のめっき層を有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 （もっと読む）

【課題】穴あき耐食性に優れる熱間プレス部材の得られる熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、順に、60質量%以上のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が0.01〜5g/m²のめっき層Iと、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m²のめっき層IIとを有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも５〜９°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり１００〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、前記配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 （もっと読む）

【課題】リフロー後にめっき表面に青色の曇りを形成しない錫めっき方法の提供。
【解決手段】錫めっき方法であって、次の工程：（ａ）水と、第一錫イオンと、（Ａ）アルキルポリスルホン酸、その塩又はアルキルポリスルホン酸と１種以上のそれらの塩との混合物;又は（Ｂ）アルキルポリスルホン酸と硫酸との混合物;又は（Ｃ）アルキルポリスルホン酸とメタンスルホン酸との混合物、陰イオンとを含む酸性電解めっき浴中で鋼帯上に錫を電解めっきし、;（ｂ）１回以上のすすぎを行い;（ｃ）随意に、該めっき錫表面を、特定の有機化合物を含んでなる水溶液にさらし、;（ｄ）該めっき帯を少なくとも錫の融点にまで加熱し;そして（ｅ）（ｉ）該めっき帯を水中で急冷し又は（ii）特定の有機化合物を含んでなる水溶液中で該めっき鋼帯を急冷することを含み、さらに、該方法が、工程（ｃ）又は工程（ｅ）（ii）のいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】水素よりもイオン化傾向の大きい金属をシード層として使用し、硫酸銅めっき液等の酸性のめっき液を使用した電気めっきを行っても、ビアホールの内部に銅等のめっき金属をより確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面に水素よりもイオン化傾向の大きな第１金属によって覆われたビアホールが形成された基板を用意し、基板を前記第１金属より貴な第２金属またはその塩を溶解させた前処理液に浸漬させて基板の前処理を行い、しかる後、基板の表面に電気めっきを行って前記ビアホール内に前記第２金属または第３金属を埋込む。 （もっと読む）

【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で，粗さが1.5μm以下，厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を；リブテン，ニッケル，クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし；剥離層の上に、Cu₂P₂O₇3H₂O；10〜60g/L，K₄P₂O₇：100〜400 g/L，PH＝6〜10，浴温10〜60⁰ Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm²でめっきして剥離層の保護膜を形成し、；更に銅濃度50〜100g/L，硫酸濃度90〜125g/L，浴温40〜70⁰ C，のめっき液を電流密度10〜50A/dm²でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形体とりわけ三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体の表面にアルミニウムをめっきするに際し、電流値を高くして効率よくアルミニウムめっき膜を形成してアルミニウム多孔体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】表面が導電化された樹脂成形体１にアルミニウム３を溶融塩浴中で電気めっきするアルミニウム多孔体の製造方法であって、陽極がアルミニウムエキスパンドメタルからなり、該陽極の表面積が樹脂成形体の表面積の１．３倍以上であることを特徴とするアルミニウム多孔体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、特に絶縁性に優れ、かつ工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：０.０００１〜０.１５％、Ｓｉ：０.００１〜１.２％、Ｍｎ：０.００１〜２.０％、Ｐ：０.００１〜０.０５％、Ｓ：０.０００５〜０.０３％、Ｎｉ：０〜２.０％，Ｃｕ：０〜１.０％、Ｃｒ：１１.０〜３２.０％、Ｍｏ：０〜３.０％、Ａｌ：１.０〜６.０％、Ｎｂ：０〜１.０％、Ｔｉ：０〜１.０％、Ｎ：０〜０.０２５％、Ｂ：０〜０.０１％，Ｖ：０〜０.５％、Ｗ：０〜０.３％、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙ、ＲＥＭ（希土類元素）の合計：０〜０.１％、残部Ｆｅおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Ａｌ酸化物層を介して、厚さ１.０μｍ以上のＮｉＯとＮｉＦｅ₂Ｏ₄の混合層が形成されているステンレス鋼材。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）

【課題】 板厚１ｍｍ以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン（連続送り方式）で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 （もっと読む）

【課題】ステンレス基材の表面にエッチングでヘアライン溝を形成した後に、めっき及び硫化燻しを施しても埋没することがない溝幅及び溝深さを有したヘアライン溝が形成されたステンレス鋼板を製造できる。
【解決手段】ステンレス基材２の表面２ａに塗布されたレジスト１１を、透光性を有したマスクフィルム１２越しに露光することでヘアラインＨＬ状に除去し、レジスト１１を除去して露出したステンレス基材２の表面２ａにエッチングしてヘアライン溝３を形成する溝形成工程Ａと、ステンレス基材２の表面２ａにニッケルめっき層４を形成するニッケルめっき工程Ｂと、ニッケルめっき層４の表面４ａに銅めっき層５を形成する銅めっき工程Ｃと、銅めっき層５の表面５ａに硫化燻しを施して硫化膜６を形成する燻し工程Ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも２層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱間プレス時にスケールやZnOの生成が十分に抑制されて耐酸化性に優れるとともに、めっき層中の元素に起因する液体金属脆性割れが起こることのない耐液体金属脆性に優れた熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、融点が800℃以上であり、片面当たりの付着量が10〜90g/m²のめっき層を有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 （もっと読む）

【課題】化成処理性に優れ、かつ塗装後耐食性にも優れるＳｉ含有冷延鋼板とその有利な製造方法、ならびにそのＳｉ含有冷延鋼板を用いた自動車部材を提供する。
【解決手段】Ｓｉを０．５〜３．０ｍａｓｓ％含有し、好ましくはさらにＣ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：１．０〜７．５ｍａｓｓ％、Ｐ：０．０５ｍａｓｓ％以下、Ｓ：０．０１ｍａｓｓ％以下およびＡｌ：０．０６ｍａｓｓ％以下を含有する冷間圧延後、連続焼鈍した鋼板を、好ましくは、硝酸濃度が１００ｇ／Ｌ超え２００ｇ／Ｌ以下で、硝酸濃度に対する塩酸濃度の比Ｒ（ＨＣｌ／ＨＮＯ_３）が０．０１〜０．２５である酸を用いて酸洗して鋼板表層のＳｉ含有酸化物層を除去し、かつ、鋼板表面の鉄系酸化物の表面被覆率を８５％以下に低減した後、Ｎｉを含む水溶液中で電解処理を施して鋼板表面にＮｉを１〜１００ｍｇ／ｍ^２の範囲で析出させる。 （もっと読む）

【課題】化成処理性に優れ、かつ塗装後耐食性にも優れるＳｉ含有冷延鋼板とその有利な製造方法、ならびにそのＳｉ含有冷延鋼板を用いた自動車部材を提供する。
【解決手段】Ｓｉを０．５〜３．０ｍａｓｓ％含有し、好ましくはさらにＣ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：１．０〜７．５ｍａｓｓ％、Ｐ：０．０５ｍａｓｓ％以下、Ｓ：０．０１ｍａｓｓ％以下およびＡｌ：０．０６ｍａｓｓ％以下を含有する冷間圧延後、連続焼鈍した鋼板を、好ましくは、硝酸と塩酸とを混合した酸、あるいは、硝酸と弗酸とを混合した酸を用いて酸洗して鋼板表層のＳｉ含有酸化物層を除去し、かつ、鋼板表面の鉄系酸化物の表面被覆率を４０％以下に低減した後、Ｎｉを含む水溶液中で電解処理を施して鋼板表面にＮｉを１〜１００ｍｇ／ｍ^２の範囲で析出させる。 （もっと読む）

【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜１０は、Ａｕ_{（１００−ｘ−ｙ）}−Ｍ_ｘ−Ｃ_ｙからなる。ただし、ＭはＡｕ以外の金属元素であり、１≦ｘ≦２２、かつ、３≦ｙ≦３０、かつ、４≦（ｘ＋ｙ）≦４０である。めっき液５０は、Ａｕイオンと、Ｎｉイオンと、くえん酸（Ｃｉｔ）イオンと、ＣＮイオンと、を含む。 （もっと読む）