【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体をコバルト塩溶液にて表面処理をする。コバルト塩溶液のｐＨは５．０〜７．０、コバルト塩濃度は０．０１〜０．１０ｍｏｌ／Ｌが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ゴムとの接着に要する時間が短縮されたゴム補強用線条体の製造方法、ゴム補強用線条体およびそれを用いたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対して、シアン化合物を含まない銅−亜鉛合金めっき浴を用いてめっき処理を施した後、伸線加工を施すゴム補強用線条体の製造方法において、伸線加工を施した後に、ゴム補強用線条体を有機溶媒にて洗浄する。有機溶媒は水溶性有機溶媒であることが好ましく、また、ゴム補強用線条体はスチールワイヤであることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）トリアゾール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、カチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤から選ばれる１種又は２種以上の吸着防止剤、及び（Ｂ）塩化物イオンを必須成分とする水溶液であることを特徴とする電気めっき用前処理剤。
【効果】本発明によれば、下地銅とレジストとの密着性を阻害せず、また、下地銅と電気銅めっき皮膜との密着性を阻害しない電気めっき用前処理剤を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート１１２の表面１１２ａには、ウェハＷの貫通孔に対応する位置に開口部１１５が複数形成されている。電極形成用テンプレート１１２は、開口部１１５に連通する膜形成用液の流通路１１６を備えている。この電極形成用テンプレート１１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口１１７から流通路１１６を介して開口部１１５からウェハＷの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハＷの貫通孔に電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを高濃度で含有する銅合金からなるめっき膜を形成できるめっき浴およびめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき体上にモリブデンを含有する銅合金からなるめっき膜を形成するために用いられるものであり、銅イオン供給源とモリブデンイオン供給源とを含み、めっき浴中の銅原子とモリブデン原子とのモル比が１２．６：８７．４〜０．５：９９．５の範囲であることを特徴とするめっき浴とする。 （もっと読む）

【課題】アルカリエッチング性に優れ、しかも粗化面が黒色を呈するプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔Ｈにおいて、銅箔１の片面または両面を粗化銅めっき層３処理した後、銅めっき黒化層４処理を施し、その上層にコバルトめっき層あるいはニッケル−コバルト合金めっき層６を形成させた銅箔。さらに、該コバルトめっき層又はニッケル−コバルト合金めっき層６の上層に、亜鉛めっき層７と３価クロメート処理層８からなる防錆処理層１０を形成させた銅箔Ｈ。さらに該防錆処理層１０の上層にシランカップリング処理層９を形成させた銅箔Ｈとする。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電気めっき方法で形成される鉄−ニッケル合金めっき皮膜について、熱処理後においても皮膜硬度の低下が生じ難い新規な鉄−ニッケル合金めっき皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ニッケル塩、第一鉄塩、錯化剤及び緩衝剤を含む水溶液中に平均粒径３μｍ以下の微粒子を分散させた鉄−ニッケル合金めっき液中で、電気めっき法によって該微粒子が共析した鉄−ニッケル合金めっき皮膜を形成した後、形成されためっき皮膜を４００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする、低膨張特性及び高硬度を有する鉄−ニッケル合金めっき皮膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる粗化処理銅箔を提供する。
【解決手段】母材銅箔（未処理銅箔）の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さＲｚに対してＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．４〜１．８μｍで、アスペクト比［高さ／幅］が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている表面粗化処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】点光源のＸ線源を用いても、Ｘ線吸収の効率を低下させることのない湾曲したマイクロ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】表側に微細構造とメッキ層を有し、裏側に弯曲した面を有するモールドからなるマイクロ構造体の製造方法であって、異方性エッチングにて深さ方向にエッチングされて形成された微細構造を有し、前記微細構造の連続した隙間の底部に導電性が付与されたモールドを用意する工程と、前記微細構造の底部からメッキして前記微細構造の連続した隙間に第１のメッキ層を形成する工程と、前記第１のメッキ層の上に、応力を発生する第２のメッキ層を形成し、前記第２のメッキ層の応力によりモールドを湾曲させる工程とを少なくとも有するマイクロ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基材との良好な密着性と摺動相手への低い攻撃性を満足しながら、低摩擦性を満足するアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法及びアルミニウム合金製シリンダブロックを提供することを目的とする。
【解決手段】 平均粒径４．５〜５．５μｍのＳｉＣを含むめっき液を用いてめっき膜を内径表面に形成してなるアルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法であって、前記内径表面付近でのめっき液の流速が１２０ｃｍ／秒以上、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以下の条件で電気めっきを行う成膜前期工程と、前記成膜前期工程の後に、めっき液の流速が８０〜１２０ｃｍ／秒、電流密度が１０Ａ／ｄｍ^２以上の条件で電気めっきを行う成膜後期工程とを含む、アルミニウム合金製シリンダブロックの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる表面粗化銅箔を提供する。前記高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔をフレキシブル樹脂基板又はリジット樹脂基板と積層し、エッチング加工性、高耐熱密着性、マイグレーション不具合のない高周波伝送特性に優れる回路基板を提供する。
【解決手段】未処理銅箔の少なくとも一方の表面に金属銅によるパルス陰極電解粗化処理が施された一次粗化面、金属銅による平滑メッキ処理が施された二次処理面、金属ニッケルによる処理が施された三次処理面、金属亜鉛による処理が施された四次処理面が順に設けられている表面粗化銅箔である。前記四次処理面の上に必要により防錆層、保護層を設ける。 （もっと読む）

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。
【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第１元素と第２元素を交互に層状に充填した後に第１元素と第２元素を拡散熱処理する。 （もっと読む）

【課題】電気クロムめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質ＤＬＣ膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないＤＬＣ膜被覆部材とそれの製造方法を提案することにある。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理電気クロムめっき膜と、そのめっき膜表面に被覆形成されたＤＬＣ膜とからなるＤＬＣ膜被覆部材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金の耐食性を向上させることができる防食皮膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の防食皮膜は、マグネシウム合金の表面に形成され、ストロンチウムを５ａｔ％以上含み、塩素量が０〜１２ａｔ％であることを特徴とする。本発明の防食皮膜形成方法は、メッキ液を用いる電気メッキ法によりマグネシウム合金の表面に防食皮膜を形成する防食皮膜形成方法であって、メッキ液は、アルコール、ストロンチウムイオン、亜鉛イオン、及び、メッキ液をアルカリ性に保つｐＨ調整剤を含み、メッキ液中のストロンチウムイオンの濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ以上であり、メッキ液が塩素イオンを含む場合、メッキ液中の塩素イオンの濃度が４．４ｍｏｌ／ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アンモニアガス等の劇物を処理する為の複雑な装置を必要とすることなく、たとえ基板表面に形成した下地金属膜の表面に自然酸化膜が形成されていても、液体中に溶解させた金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を下地金属膜の表面に十分な密着力をもって形成できるようにする。
【解決手段】表面に下地金属膜を形成した基板を用意し、金属錯体と還元性物質とを溶媒に溶解させた液体中に前記基板を浸漬させながら、前記下地金属膜を陰極、別の金属を陽極とした電気めっきを行って、前記金属錯体に含まれる金属からなる金属膜を前記下地金属膜の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドなどの絶縁樹脂との密着性、耐熱密着性、耐薬品性、ソフトエッチング性を満足し、工業的に優れた表面処理銅箔を提供する。更に、絶縁樹脂と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、レーザー加工によるビア形成後にも良好なソフトエッチング性を有する表面処理銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】母材銅箔に対して、表面粗さＲｚが１．１μｍ以下となる粗化処理が施され、該粗化処理表面にＮｉ−Ｚｎ合金層が施され、前記粗化処理は、粗化処理面における幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．６〜１．８μｍで、アスペクト比が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状となる粗化処理で、前記母材銅箔の表面粗さＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する範囲で施され、前記Ｎｉ−Ｚｎ合金層は、Ｚｎ含有率（ｗｔ％）が６〜３０％、Ｚｎ付着量が０．０８ｍｇ／ｄｍ^２以上である表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】鉛含有量が低いか又は鉛を含まない減摩コーティングを提供すること。
【解決手段】Ｚｎに加え、主要合金元素としてＳｂとＣｕの少なくとも１つと、所望によりＰｂ及び／又はＢｉを含有し、製造工程中にそれらの元素により生じる不可的不純物を含有するスズベースの合金から作製され、Ｓｂが最大２０重量％、Ｃｕが最大１０重量％、ＰｂとＢｉの合計が最大１．５重量％、ＣｕとＳｂの合計が２重量％〜２２重量％であり、スズが金属間相の形で且つβスズ結晶粒を有するスズ相として存在し、スズベースの合金中のβスズ結晶粒が少なくとも１つの優先配向を有し、少なくとも１組のネットワークレベルＭ｛ｈｋｌ｝の次式


による配向指数Ｍ｛ｈｋｌ｝が３．０以上であり、Ｉ｛ｈｋｌ｝は減摩コーティングの｛ｈｋｌ｝面のＸ線回折強度、Ｉ⁰｛ｈｋｌ｝は完全無配向スズ粉末サンプルのＸ線回折強度を表す、多層構造摩擦軸受用の減摩コーティング。 （もっと読む）

【課題】
母材金属、特にアルミニウム合金の表面に形成し、航空機や船舶あるいは港湾等の金属部品で塩水が吹き付ける過酷な環境で使用に耐え得る高耐食性を備え、Ｃｄめっき皮膜に代わる環境負荷の少ない高耐食性Ｎｉ系複合めっき皮膜を提供する。
【解決手段】
金属部品１の表面に、シアン化銅めっき皮膜４と光沢硫酸銅めっき皮膜５を順次積層形成し、その上に高濃度のリンを含むＮｉ−Ｐめっき皮膜６又はＮｉ−Ｐ−Ｓｎめっき皮膜を形成し、あるいは高濃度のリンを含むＮｉ−Ｐめっき皮膜とＮｉ−Ｐ−Ｓｎめっき皮膜を順次積層形成した。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地Ｎｉめっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地Ｎｉめっき層の表面粗さＲａが０．１〜０．８μｍの範囲にあり、下地Ｎｉめっき層の表面に、下地Ｎｉめっき層の表面の角状又は針状の凹凸プロファイルに合わせてフラッシュめっきにより貴金属めっき層１３を形成した。ここで、貴金属めっき層１３は、Ｐｄ、Ａｕ、及びＡｇめっきの少なくとも１である。 （もっと読む）