【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンを含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンを含む金属積層構造体である。 （もっと読む）

【課題】厚みを薄くすることができるとともに効率的に製造することが可能な金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の金属層と、第２の金属層と、第３の金属層と、を備え、第１の金属層は第２の金属層の一方の表面上に設置され、第３の金属層は第２の金属層の他方の表面上に設置されており、第１の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含み、第２の金属層は銅を含み、第３の金属層はタングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含む金属積層構造体とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード４として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノード４を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】メッキ電圧を高くしても錫メッキ内の鉛濃度を低く抑えることが可能な電気導体品への錫メッキ方法を提供する。
【解決手段】電気導体品３に電気メッキにより錫メッキを施す方法であって、２つの陰極を用意し、一方の陰極に錫メッキを施す電気導体品３を接続し、他方の陰極にダミー用の金属導体９を接続し、他方の陰極への印加電圧（Ｖ２）を、一方の陰極への印加電圧（Ｖ１）より高くすることを特徴とする。また、ダミー用の金属導体９に流す電流は、錫メッキを施す電気導体品３に流す電流よりも小さくするようにしてもよい。なお、メッキ液２として硫酸を添加したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を有するとともに、腐食が生じにくいめっき付き銅条材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材の表面に複数のめっき層を有し、その表層部分を構成する平均厚さ０．０５〜１．５μｍのＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ系めっき層４の上に、硬度が１０〜２０Ｈｖで平均厚さが０．０５〜０．５μｍに形成したＳｎ−Ａｇ被覆層５が形成され、該Ｓｎ−Ａｇ被覆層５は、Ｓｎ粒子１１とＡｇ_３Ｓｎ粒子１２とを含み、Ｓｎ粒子１１の平均粒径が１〜１０μｍで、Ａｇ_３Ｓｎ粒子１２の平均粒径が１０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】塩害環境での耐食性に優れた自動車用燃料タンク用表面処理ステンレス鋼板を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃ：≦０．０３０％、Ｓｉ：≦２．００％、Ｍｎ：≦２．００％、Ｐ≦０．０５０％、Ｓ：≦０．０１０％、Ｎ：≦０．０３０％、Ａｌ：０．０１０〜０．１００％、Ｃｒ：１５．００〜２５．００％を含有し、加えて（Ｔｉ＋Ｎｂ）／（Ｃ＋Ｎ）：５．０〜３０．０（質量比）を満たすＴｉ，Ｎｂの１種または２種を含有し、加えてＮｉ：≦４．００％、Ｃｕ：≦２．００％、Ｍｏ：≦２．００％、Ｖ：≦１．００％の１種または２種以上を含有し、残部が不可避的不純物およびＦｅより成るステンレス鋼板基材の表面に、外層が水和クロム酸化物層で内層が金属クロム層から成る防食めっき層を有し、前記防食めっき層の厚みが０．０１〜０．１０μｍであることを特徴とする塩害環境での耐食性に優れた自動車燃料タンク用表面処理ステンレス鋼板。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】めっき中の素体の腐食を抑制し、セラミック電子部品の電気特性の劣化を防止することができる電気スズめっき液および当該電気スズめっき液を用いた電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気スズめっき液であって、スズイオンを含み、ｐＨが５以上８以下であり、アンモニアおよびアンモニウムイオンの濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌ以下であり、キレート剤のモル濃度／スズイオンのモル濃度が２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】犠牲防食能を有し、光沢外観と耐食性に優れたＮｉ系のめっき鋼材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ含有率が４０〜６５ｍａｓｓ％の非晶質Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき層を表層に有することを特徴とする、光沢外観と耐食性に優れたＮｉ−Ｚｎ合金めっき鋼材、および前記Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき層と鋼材の界面にＮｉめっき層を有することを特徴とする光沢外観と耐食性に優れためっき鋼材。 （もっと読む）

【課題】合金化処理を必要とせず、かつ、伸線工程を経ずともゴムとの接着性に優れたゴム補強用線条体−ゴム複合体の製造方法、およびそれにより得られたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対し、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、ｐＨが１０〜１２である銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いてめっき処理を施し、次いで、めっき処理が施されたゴム補強用線条体に直接ゴムを被覆する。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】導電部材としての使用時に良好な特性を有する多層にめっきが施された銅合金条材を連続的に効率良く得る。
【解決手段】銅条材を連続的に走行させながら複数のめっき浴に挿通して、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金を順にめっきしてリフロー処理することにより、Ｎｉ系下地層、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に形成する方法であって、各めっき層を、無機酸を主成分とするめっき浴中にて不溶性アノードを使用した電解めっきにて形成するとともに、Ｎｉ又はＮｉ合金によるめっきは浴温４５〜５５℃、電流密度２０〜５０Ａ／ｄｍ^２、Ｃｕ又はＣｕ合金によるめっきは浴温３５〜５５℃、電流密度２０〜６０Ａ／ｄｍ^２、Ｓｎ又はＳｎ合金によるめっきは浴温１５〜３５℃、電流密度１０〜３０Ａ／ｄｍ^２とし、それぞれレイノルズ数１×１０^４〜５×１０^５とする。 （もっと読む）

【課題】錫のめっき液に、例えば、平滑材、光沢材、及び酸化防止剤のような有機物が添加されている場合でも、金属錫の溶解速度を飛躍的に向上できる錫イオンの供給装置を提供する。
【解決手段】不溶性陽極１１、１２を用いて鋼帯１３に錫めっきを行う錫めっき設備２７のめっき液１４に錫イオンを供給する錫イオンの供給装置１０において、金属錫１６を装入可能で、白金−イリジウム合金及び白金−酸化イリジウム複合酸化物のいずれか一方又は双方からなる被覆層が表面に形成された網目状のバスケット２２を有し、このバスケット２２をめっき液１４に浸漬させ、バスケット２２内の金属錫１６と被覆層との電極電位の差を利用した局部電池作用により、金属錫１６を錫イオンにする。 （もっと読む）

【課題】クロムフリーであり、且つ、従来のクロメート層と同等の性能を有するリン酸系化成処理層を具えた錫めっき鋼板の提供。
【解決手段】素地鋼板側から順に、Fe及びSnを含む合金層と、Al及びSnを含む化成処理層であって、P量として1.0〜10mg/m²有し、かつAlとPの質量比（Al/P）が0.3〜0.9であるリン酸塩を含む化成処理層と、更にその上層にSi量として0.01〜100mg/m²のシランカップリング剤と前記化成処理層との反応により生成した反応物層とを有することを特徴とする錫めっき鋼板。 （もっと読む）

【課題】１５０℃から１８０℃の高温環境下で長時間晒されても、接触抵抗値の増加を抑え、めっき剥離を防止できるＳｎめっき付き銅又は銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層２の平均厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５５μｍを超え１．０μｍ以下、Ｓｎ層５の平均厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。Ｃｕ−Ｓｎ合金層が組成の異なる２つの層からなり、Ｎｉ層に接する層３がε相からなり、平均厚さが０．５μｍを超え０．９５μｍ以下であり、Ｓｎ層と接する層４がη相からなり、平均厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下である。 （もっと読む）