【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がＦｅ₃Ｏ₄主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がＦｅ₃Ｏ₄主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなり、このフェライト系ステンレスがその標準含有元素であるＣｒよりも強還元性元素である３族元素、４族元素、５族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐのうち少なくとも１つを０．１ｍｏｌ％以上含むものとする。 （もっと読む）

【課題】高精細なマスクを効率よく製造する。
【解決手段】本発明のマスクの製造方法は、膜パターンの形成に用いられ、膜材料を通過させるマスク開口２１を有するマスク２０の製造方法であって、表面にシリコン層３３を有する基板のシリコン層３３に凹部２１を形成する凹部形成工程と、基板を裏面３０ｂ側から薄肉化して裏面３０ｂ側に凹部２１を開通させて凹部２１をマスク開口２１にする薄肉化工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】真空内を機構が簡単で基板の蒸着面を上面にして搬送ができ、前記上面搬送においても高精彩に蒸着可能な有機ＥＬデバイス製造装または同製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】真空内を基板の蒸着面を上面にして搬送し、少なくとも前記基板が移動する場合には前記基板の搬送面が摺動しないように保持し、前記真空チャンバ内で前記基板を受渡し、その後前記基板を垂直にたてて蒸着する。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光素子などに有機薄膜や導電層を形成するために用いられる薄膜蒸着用マスク及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース部材１１と；ベース部材を厚さ方向に貫通し、所定の長さを有して第１方向に延びる複数のスリット１３と；複数のスリットのうち第１方向と所定の角度を有する第２方向において最外側に位置する最外郭のスリット１４と、最外郭のスリットに隣接するリブ１６との間に設けられるリブ支持部１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明はロールツーロールタイプの薄膜形成装置に関する。
【解決手段】薄膜パターン形成装置は、マスク積載部と、上記マスク積載部と開閉可能な開放口が設けられた成膜空間部を有する真空チャンバと、上記成膜空間部に配置され、シートを走行させる巻出ロール及び巻取ロールと、蒸着ソースを収容して蒸着ソースを蒸発させ蒸着領域上に位置した上記シート上に薄膜を蒸着させるように装着されたソース載置部と、上記シート上に蒸着しようとする薄膜のパターンを定義するパターンを有し、上記マスク積載部に備えられた少なくとも一つのマスクと、上記マスク積載部において備えられた少なくとも一つのマスクを上記成膜空間部の蒸着位置にまたはその反対に搬送させることができるよう構成されたマスク移動部と、上記ソース載置部において上記マスクに蒸発される蒸着ソースの進行を選択的に遮蔽させるシャッタ部とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック性接触が得られる裏面電極を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面１１ａに半導体素子が形成された半導体基板１１と、半導体基板１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂに分散して形成され、金アンチモン合金、または金ガリウム合金を主成分とする第１導電層１２と、半導体基板１１の第２の面１１ｂに第１導電層１２を覆うように形成された第２導電層１３と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いずに光学素子上に光学薄膜を選択的に形成することができるうえ、簡単且つ高い同軸精度で光学的有効面を形成すること。
【解決手段】光学素子１上に光学的有効面を形成する方法であって、光学的有効面を形成する形成面１ａを露出させた状態で光学素子を保持する工程と、マスク部材３０を保持された光学素子の中心軸に自身の中心軸を一致させた状態で形成面に対向するように配置する工程と、マスク部材の片面に該マスク部材を形成面に貼り付けるための貼付部材３１を付与する工程と、マスク部材を光学素子の中心軸に沿って移動させて形成面に密着状態で貼り付ける工程と、マスク部材が貼り付いた形成面の全体に薄膜材料を成膜して光学薄膜を形成する工程と、マスク部材及び貼付部材を剥離して形成面に光学的有効面を形成する工程と、を備えている光学的有効面の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明のスパッタリング装置によれば、プレスパッタ時に比べてメインスパッタ時のエロージョン領域を縮小することができ、プレスパッタ時に非エロージョン領域に堆積したターゲット粒子をメインスパッタ時に剥離し難くし、当該粒子の基板への堆積を抑制することができる。
【解決手段】本発明は、複数の磁性体が、ターゲット支持体の中心部に位置する第１の磁性体と、第１の磁性体に対してターゲット支持体の外周側に位置する第２の磁性体とを含み、第２の磁性体が、ターゲット支持体の基板支持体とは反対側の面内で第１の位置から第２の位置まで移動自在であり、上記第１の位置は基板への成膜を行わない場合の位置であり、上記第２の位置は前記第１の位置に対して上記ターゲット支持体の中心側であって、基板への成膜を行う場合の位置であるスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う梁が膠着せずに梁間の開口部の形状が維持される成膜用精密マスクを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクにかかわり、所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部３を複数形成する第１の梁２と、第１の梁２と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁４とを備え、第２の梁４によって区切られる開口部３の長さを開口長Ｌとするとき、複数の開口部３のうち開口長Ｌが最も長い開口部３の開口長Ｌが所定の値以下となるように第２の梁４が配置され、成膜用精密マスク１を液状体に浸漬して乾燥したときに、隣り合う第１の梁２が膠着しないように第２の梁４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】成膜中に膜材料の表面に付着または析出した異物を落下し易くできる成膜方法、膜材料、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、膜材料２２を蒸発させて基板２８の表面２８ａに成膜する成膜方法であって、膜材料２２は、表面が曲面で構成された形状を有する固体からなり、複数の膜材料２２をハース２０に収容し、膜材料２２の表面を加熱することにより膜材料２２を蒸発させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体（１５）を異種基板（１０）上に成長させる。半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜（１５）又はウェハは、ＨＶＰＥを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造（１２）上に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】
ほぼ無限に存在する架線等の淡水と、海等の塩水との塩分濃度差を利用した発電システムにおいて、コンパクトなシステムで、大容量の電気エネルギーを取り出したり、任意の高電圧を容易に得られるようにする。
【解決手段】
淡水と塩水をそれぞれ水滴として落下させて空気の絶縁性を利用したり、絶縁体製弁体、弁座、弁箱を用いた弁を会在させたりして、給水路や排水路を介しての電気的短絡を防止し、単位起電力を発生する多数のセル間の電気的短絡を防止する構成を用いる等で解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】転写層となる材料層が余分に蒸着されるのを防ぐと共に所望の蒸着パターンを形成することができ、転写中に材料等の劣化が起きにくい方法を用いることにより、高精細で発光特性が高く、長寿命である発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の基板の材料層が形成された一方の面から所定の条件式を満たす第１の光を照射することにより、材料層をパターン形成し、次いで第１の基板の他方の面から所定の条件式を満たす第２の光を照射することにより、パターン形成した材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させる発光装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】最終、ＧａＮＬＥＤなどに形成されるナノコラムをカタリスト材料膜を用いて成長させるにあたって、前記カタリスト材料膜を短時間で形成する。
【解決手段】カタリスト材料膜１２を蒸着・フォトで形成するのではなく、成長基板１１を真空容器２に収容し、ガス供給源４から材料ガスを供給し、その雰囲気７中で、ビーム源５から、イオンビーム６をナノコラムの柱径に収束させて成長基板１１上に照射することで、前記カタリスト材料膜１２をパターニングされた状態で直接薄膜形成する。したがって、該カタリスト材料膜１２の形成後、成長基板１１を大気に暴露することなく、ＭＯＣＶＤ装置やＭＢＥ装置などに搬入して、ナノコラムを成長させることができる。これによって、ナノコラムの位置や柱径を制御可能であるというカタリストを用いる利点を生かしながら、高品質なナノコラムを、高いスループットで安価に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】ナノコラムを複数有して成る化合物半導体発光素子において、蛍光体を用いることなく、高い発光効率で、色味を高精度に調整可能とする。
【解決手段】Ｓｉ基板４の一部領域にトレンチ１１を形成し、そのトレンチ１１内にさらにナノコラム２の化合物種結晶膜であるＡｌＮ層１２を形成した後にナノコラム２を成長させることで、前記ＡｌＮ層１２の有る領域は、それが無い壁１３上の領域に比べて、成長が速く、所定の時間成長させると、前記トレンチ１１と壁１３との段差を吸収して、ｐ型層１４の表面が略同じ高さとなる。これによって、同一基板でかつ単一の成長工程で簡単に、したがって低コストに、白色光などの所望の色味を実現できる。また、蛍光体を用いずに所望の色味を実現できるので、高い信頼性および長寿命化を図ることができるとともに、トレンチ１１の面積を任意に調整し、色味を細かく高精度に調整できる。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュの発生が抑制され、また、蒸着レートが安定した蒸着源、および蒸着装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８には、導電体からなる複数の加熱板１が間隙を持って重なって配置されている。各加熱板１には、膜材料５が搭載可能に設けられている。最上段の加熱板１には、膜材料５がセットされていない。誘電コイル１０によって磁界が形成されると、各加熱板１自体が誘電加熱によって斑なく発熱し、載せられた膜材料５も均一に加熱されるため、蒸着レートが安定する。また、膜材料５が薄く形成されているため、当該材料内における温度分布が略均一となり、スプラッシュの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】有機EL表示装置において、有機EL層、上部電極、補助電極等、蒸着によって形成する薄膜の形成精度を向上させる。
【解決手段】回路基板101に近接させて蒸着マスク21を設置する。回路基板101の上側には、マグネット103、磁界強度を調整するための中間板102が配置されている。蒸着マスク21はマスクシート23とマスクフレーム22から構成されている。回路基板101の熱膨張係数をα(S)とし、マスクフレーム22の熱膨張係数をα(F)とした場合、(α(S) -5×10^-6℃^-1) ≦ α(F) ≦ (α(S) +10×10^-6℃^-1)の関係とし、かつ、マスクフレーム22の熱膨張係数を前記マスクシート23の熱膨張係数よりも大きくすることによって高精度のマスク蒸着を可能とする。 （もっと読む）

【課題】転写層となる材料層が余分に蒸着されるのを防ぐと共に所望の蒸着パターンを形成することができる蒸着用基板を用いることにより、蒸着材料の利用効率を高めるだけでなく、蒸着パターンを形成する上での精度を高めることができる発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着用基板である第１の基板に、マスク基板である第２の基板を介して第１の光（レーザ光）を照射することにより、第１の基板上の材料層をパターン形成する蒸着用基板の作製方法である。また、上述した方法によりパターン形成された材料層を有する第１の基板に第２の光を照射することにより、材料層を被成膜基板である第２の基板上に蒸着させることが可能な発光装置の作製方法である。 （もっと読む）