成膜用精密マスク、膜の形成方法、微細配線の形成方法、電気光学装置の製造方法
【課題】成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う梁が膠着せずに梁間の開口部の形状が維持される成膜用精密マスクを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクにかかわり、所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部３を複数形成する第１の梁２と、第１の梁２と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁４とを備え、第２の梁４によって区切られる開口部３の長さを開口長Ｌとするとき、複数の開口部３のうち開口長Ｌが最も長い開口部３の開口長Ｌが所定の値以下となるように第２の梁４が配置され、成膜用精密マスク１を液状体に浸漬して乾燥したときに、隣り合う第１の梁２が膠着しないように第２の梁４が配置されている。
【解決手段】単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクにかかわり、所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部３を複数形成する第１の梁２と、第１の梁２と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁４とを備え、第２の梁４によって区切られる開口部３の長さを開口長Ｌとするとき、複数の開口部３のうち開口長Ｌが最も長い開口部３の開口長Ｌが所定の値以下となるように第２の梁４が配置され、成膜用精密マスク１を液状体に浸漬して乾燥したときに、隣り合う第１の梁２が膠着しないように第２の梁４が配置されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用精密マスク、膜の形成方法、微細配線の形成方法、電気光学装置の製造方法にかかわり、特に洗浄可能な精密マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）の製造工程では微細なパターンを蒸着して形成するために成膜用精密マスクが用いられる。この成膜用精密マスクが特許文献１に開示されている。それによると、成膜用精密マスクは平行に所定の間隔をもって配置された第１の梁を備え、その第１の梁の間に複数の開口部が形成されている。開口部は幅が数十マイクロメートルで長さが数センチメートル以上の非常に細長い形状になっている。
【０００３】
そして、第１の梁と交差して第２の梁が配置され、第１の梁の上面と第２の梁の下面が連結して配置されている。この第２の梁が補強材の役割を果たし、第１の梁が変形して開口部の形状が変形することを防止していた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２５０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第２の梁を有するマスクであっても、第１の梁の間隔がより狭くなると蒸着時やマスク洗浄後等において、隣り合う梁同士が固着してしまうことが問題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる成膜用精密マスクは、単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクであって、所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部を複数形成する第１の梁と、前記第１の梁と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁とを備え、前記第２の梁によって区切られる前記開口部の長さを開口長Ｌとするとき、複数の前記開口部のうち前記開口長Ｌが最も長い前記開口部の前記開口長Ｌが所定の値以下となるとなるように前記第２の梁が配置されていることを特徴とする。
【０００８】
この成膜用精密マスクによれば、複数の開口部のうち開口長の長さが最も長い開口部の開口長が所定の値以下に設定されている。開口長が長く開口の幅が狭い成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するとき、開口部に流入した液状体が徐々に蒸発する。このとき液状体の表面張力により隣り合う第１の梁が接近し、開口部の条件によっては接触する。そして、接触したまま液状体が乾燥するとき、隣り合う第１の梁が膠着することがある。
【０００９】
本適用例において、開口長は成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときに第１の梁が膠着しない値に設定されている。従って、成膜用精密マスクを洗浄するために液状体に浸漬して乾燥するときにも、開口部の形状が維持される。その結果、成膜用精密マスクは洗浄した後も同じパターンの成膜用精密マスクとして機能させることができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる成膜用精密マスクにおいて、前記第１の梁の厚みである梁厚みＴが１０μｍ〜５０μｍの範囲にあり、前記開口部の幅である開口幅Ｄが１０μｍ〜３０μｍの範囲にあるとき、前記開口部の長手方向における中心線と隣り合う前記開口部の中心線との間隔である開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間では、前記開口間隔ＰをＸμｍとし、前記開口長Ｌの前記所定の値をＹｍｍとするとき、Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８の条件を満たすことを特徴とする。
【００１１】
この成膜用精密マスクによれば、梁厚みと開口幅とが所定の範囲に設定されている。そして、開口間隔が８０μｍ〜５００μｍにおいて開口間隔と開口長との関係を示す条件が提示されている。この条件を満たすとき、成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う第１の梁が膠着しない為、開口部の形状を維持することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる成膜用精密マスクにおいて、基体上に前記第１の梁、前記第２の梁の順に配置して、蒸着により前記開口部の形状に膜を形成するときに用いられ、前記第１の梁と少なくとも１条の前記第２の梁とを囲んで枠部が配置され、前記第１の梁の厚みと前記第２の梁の厚みとを加算した厚みは前記枠部の厚みより薄いことを特徴とする。
【００１３】
この成膜用精密マスクによれば、基体上に開口部の形状の膜を形成するときに成膜用精密マスクが用いられる。そして、枠部は第１の梁及び第２の梁を囲んで配置されることにより、成膜用精密マスクの強度を保つ構造物として機能する。第２の梁は枠部と共に第１の梁の変形を防止する機能を有している。そして、第１の梁の厚みと第２の梁の厚みとを加算した厚みは枠部の厚みより薄く形成されている。従って、蒸着するときに膜を形成する材料が第１の梁と第２の梁を通過し易い為、膜を構成する材料を効率良く基体に付着させることができる。その結果、効率良く膜を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例にかかる膜の形成方法であって、基体上に上記のいずれか一項に記載の成膜用精密マスクを重ねて前記基体の一部を遮蔽し、前記基体の遮蔽されていない場所に膜を形成することを特徴とする。
【００１５】
この膜の形成方法によれば、基体と成膜用精密マスクとを重ねて開口部に膜を形成している。成膜用精密マスクを洗浄するときにも第１の梁が膠着しない為、開口部の形状が維持されている。従って、繰り返して所定の形状の膜を形成することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例にかかる微細配線の形成方法であって、上記に記載の膜の形成方法を用いて導電性の膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
この微細配線の形成方法によれば、成膜用精密マスクを洗浄するときにも、開口部の形状を維持できる成膜用精密マスクを用いて導電性の膜を形成している。従って、断線や配線間のショートのない微細配線を品質良く形成することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、基板上に画素電極とＥＬ発光層と対向電極とが積層された電気光学装置の製造方法であって、前記対向電極と電気的に接する低抵抗の補助配線を形成する配線工程を有し、上記に記載の微細配線の形成方法を用いて前記補助配線を形成することを特徴とする。
【００１９】
この電気光学装置の製造方法によれば、対向電極と隣接して低抵抗の補助配線が形成される。補助配線が微細な配線のときにも補助配線は断線なく形成されるので、補助配線を介して対向電極と画素電極との間に確実に電流を流すことができる。その結果、ＥＬ発光層は品質良く発光できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本実施形態では、本発明の特徴的な成膜用精密マスクと、この成膜用精密マスクを製造する例と、この成膜用精密マスクを用いて膜を製造する例とについて図１〜図５に従って説明する。尚、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
（第１の実施形態）
（成膜用精密マスク）
以下、実施形態について図面に従って説明する。図１（ａ）は成膜用精密マスクを示す概略斜視図である。図１（ｂ）は成膜用精密マスクの断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。図１（ｃ）は成膜用精密マスクの断面図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。図１（ａ）に示すように、成膜用精密マスク１は長方形の板状に形成されている。この成膜用精密マスク１の長手方向をＸ方向とし、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。そして、成膜用精密マスク１の厚さ方向をＺ方向とする。
【００２２】
成膜用精密マスク１はＸ方向に延在する複数の第１の梁２を備え、隣り合う第１の梁２の間にはＸ方向に長い開口部３が形成されている。第１の梁２のＺ方向には第２の梁４が配置され、開口部３を跨いで配置されている。この第２の梁４は第１の梁２が延在するＸ方向に対して斜めに配置されている。第１の梁２、開口部３、第２の梁４の数は成膜用精密マスク１の仕様に合わせて設定すればよく、本実施形態では、例えば、第１の梁２は８条配置され、開口部３は７個配置されている。そして、第２の梁４は２条配置されている。第１の梁２及び第２の梁４を囲んで枠部５が配置され、枠部５の厚みは第１の梁２の厚みと第２の梁４の厚みとを加算した厚みより厚く形成されている。そして、成膜用精密マスク１の強度を保つ構造物として機能し、枠部５は第２の梁４と共に第１の梁２の変形を防止する機能を有している。
【００２３】
成膜用精密マスク１は単結晶シリコンからなり、第１の梁２、第２の梁４、枠部５は一体形成されている。従って、第１の梁２、第２の梁４、枠部５はそれぞれ強固に接合されている。成膜用精密マスク１は単結晶シリコンをエッチングして形成されているので、エッチングし易い面を活用した形状に設計されている。従って、開口部３のＸ方向の面３ａ及び枠部５のＸ方向における内側の面５ａはＹ方向に対して斜めに形成されている。さらに、第２の梁４もＹ方向に対して斜めに配置することにより、エッチングし易い形状に設計されている。
【００２４】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、開口部３の開口幅Ｄは総て同じ幅に形成されている。さらに、開口部３の長手方向及び厚み方向における中心線３ｂと隣り合う開口部３の中心線３ｂとの間隔である開口間隔Ｐも総て同じ間隔に形成されている。第１の梁２の厚みである梁厚みＴも総ての第１の梁２において同じ厚みとなっている。成膜用精密マスク１において、第１の梁２が配置されている側の面を裏面１ａとし、裏面１ａと反対側の面を表面１ｂとする。
【００２５】
図２（ａ）は成膜用精密マスクの模式平面図である。図２（ａ）において、第２の梁４によって区切られる開口部３の長さを開口長Ｌとするとき、開口長Ｌは一様ではなく、開口部３の各場所により異なった長さになっている。
【００２６】
（膠着調査）
成膜用精密マスク１を洗浄するとき、純水に浸漬した後、成膜用精密マスク１を乾燥する。乾燥する過程において、開口部３から純水が減少するにしたがい、純水の表面張力により隣り合う第１の梁２が接近し膠着することがある。そこで、第１の梁２、開口部３、第２の梁４の寸法を変えたときに膠着が生じるか否かについて調査を行った。
【００２７】
成膜用精密マスク１の梁厚みＴの範囲を１０μｍ〜５０μｍとし、開口幅Ｄの範囲を１０μｍ〜３０μｍとした。そして、開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間において、開口間隔Ｐと開口長Ｌをかえるときに膠着が生じる開口長Ｌの長さとの関係を調査した。次に、膠着調査方法と調査結果とを説明する。図２（ｂ）は膠着調査方法を示すフローチャートであり、図３は、膠着調査方法と調査結果とを説明するための図である。
【００２８】
図２（ｂ）において、ステップＳ１は、浸漬工程に相当し、成膜用精密マスクを純水に浸漬する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、乾燥工程に相当し、成膜用精密マスクを乾燥する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、検査工程に相当し、膠着した第１の梁の有無を検査する工程である。以上の工程により第１の梁の膠着状況を調査する工程を終了する。
【００２９】
次に、図３を用いて、図２（ｂ）に示したステップと対応させて、検査方法を詳細に説明する。図３（ａ）はステップＳ１の浸漬工程に対応する図である。図３（ａ）に示すように、ステップＳ１において、水槽６内に液状体としての純水７を流入し、純水７を溜めておく。次に、純水７に成膜用精密マスク１を浸漬した後、成膜用精密マスク１を上下左右に揺動することにより、開口部３に純水７を流入させる。揺動回数は特に限定されず、例えば、本実施形態では上下左右共に２０回を採用している。
【００３０】
図３（ｂ）はステップＳ２の乾燥工程に対応する図である。図３（ｂ）に示すように、ステップＳ２において、マランゴニ乾燥装置８を使用する。マランゴニ乾燥装置８は乾燥室９を備えている。乾燥室９の内部において図中下側には水槽１０が配置され、水槽１０には純水７が配置されている。水槽１０の図中左側には乾燥室９の内壁に昇降装置１１が配置されている。この昇降装置１１の右側には支持部１２を介して載置台１３が配置され、載置台１３上に成膜用精密マスク１が立てて配置されている。そして、昇降装置１１が成膜用精密マスク１を昇降することにより、成膜用精密マスク１を純水７の中に浸漬したり、純水７から出したりすることが可能になっている。
【００３１】
成膜用精密マスク１上にはワーク固定部１４が配置され、ワーク固定部１４が成膜用精密マスク１を載置台１３に押圧することにより、ワーク固定部１４は成膜用精密マスク１を載置台１３に固定している。純水７の水面上であって成膜用精密マスク１の両側には一対のノズル１５が配置されている。ノズル１５は配管１６を介して蒸気発生装置１７と接続されている。蒸気発生装置１７はイソプロピルアルコールの蒸気１８を発生させる装置であり、発生した蒸気１８は配管１６を介してノズル１５に供給される。そして、ノズル１５から成膜用精密マスク１に蒸気１８を噴射することが可能になっている。
【００３２】
乾燥工程では、まず、載置台１３に濡れた状態の成膜用精密マスク１を配置し、ワーク固定部１４により成膜用精密マスク１を固定する。次に、昇降装置１１を駆動して成膜用精密マスク１を下降し、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬させる。続いて、ノズル１５から蒸気１８を噴出しながら成膜用精密マスク１を徐々に上昇させる。このとき、蒸気１８が純水７の界面にあたるように噴射する。純水７の界面ではイソプロピルアルコールが純水７の界面に侵入するので、イソプロピルアルコールの濃度が高くなる。その結果、純水７の界面ではマランゴニ対流が生じることにより、純水７が水槽１０内に移動する。そして、引き上げられた成膜用精密マスク１からは純水７が除去される。成膜用精密マスク１が総て水槽１０内の純水７から取り出された後、成膜用精密マスク１を載置台１３から回収する。
【００３３】
図３（ｃ）はステップＳ３の検査工程に対応する図である。ステップＳ３の検査工程では、隣り合う第１の梁２の梁が膠着している場所があるかないかを確認する。そして、開口間隔Ｐ及び開口長Ｌの長さと膠着の有無を記録する。図３（ｃ）において、横軸は開口間隔Ｐを示し、開口間隔Ｐの単位はμｍとなっている。そして、左側より右側の方が長い値となっている。縦軸は開口長Ｌを示し単位はｍｍとなっている。そして、下側より上側の方が長い値となっている。丸点２１は膠着が生じないときの分布を示し、バツ点２２は膠着が生じたときの分布を示している。丸点２１が分布する場所とバツ点２２が分布する場所とは分離している。丸点２１とバツ点２２との境界となる曲線を膠着境界線２３とするとき、開口長Ｌが膠着境界線２３より短い非膠着領域２４では第１の梁２の膠着が生じていない。膠着境界線２３は式にて表され、開口間隔ＰをＸμｍとし、開口長Ｌの所定の値をＹｍｍとするとき、Ｙ＝６．８×ｌｎＸ−２１．８で示される。従って、第１の梁２の膠着が生じない非膠着領域２４の条件は、Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８で示される。
【００３４】
成膜用精密マスク１における第１の梁２、開口部３、第２の梁４の条件は上述の条件から選定することにより第１の梁２の膠着が生じないようにすることが可能となる。例えば、本実施形態においては、梁厚みＴを３０μｍとし、開口幅Ｄを１０μｍとした。そして、開口間隔Ｐを１００μｍとし、最も長い開口長Ｌを９ｍｍに設定した。この条件は非膠着領域２４に含まれる条件であり、乾燥工程において第１の梁２が膠着することを防止することができる。すなわち、成膜用精密マスクを洗浄するとき、成膜用精密マスクを洗浄液等の液状体に浸漬した後、乾燥することが多い。開口部の長手方向の長さが長く開口部の幅が狭い成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するとき、開口部に流入した液状体が徐々に蒸発する。このとき液状体の表面張力により隣り合う第１の梁が接近し、開口部の条件によっては第１の梁同士が接触することがある。そして、接触したまま液状体が乾燥するとき、隣り合う第１の梁が膠着することがある。しかしながら、上記のような条件においては、乾燥工程において第１の梁２が膠着することを防止することができる。
【００３５】
（膜の形成方法）
次に、図４〜図５を用いて、成膜用精密マスク１を用いて膜を形成する方法を説明する。図４及び図５は成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図である。図４（ａ）は膜が形成された基板を示す模式平面図である。図４（ａ）に示すように、成膜済基板２５はシリコンからなる長方形の基体としての基板２６に膜２７が形成されている。基板２６の長手方向をＸ方向とし、基板２６の平面方向でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板２６において、Ｘ方向と逆側の端を第１の端２６ａとし、Ｘ方向側の端を第２の端２６ｂとする。膜２７はＸ方向に延在して形成され、第１の端２６ａから第２の端２６ｂにかけて形成されている。これから、成膜済基板２５を製造する方法を説明する。
【００３６】
図４（ｂ）は第１マスク配置工程に対応する図である。図４（ｂ）に示すように、基板２６上に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８を並べて配置する。成膜用精密マスク１は裏面１ａを基板２６に密着して配置する。全遮蔽マスク２８は所定の場所の全面を遮蔽するマスクであり、開口パターンのないマスクである。成膜用精密マスク１を第１の端２６ａ側に配置し、全遮蔽マスク２８を第２の端２６ｂ側に配置する。成膜用精密マスク１と全遮蔽マスク２８とは密着して配置することにより、成膜用精密マスク１と全遮蔽マスク２８との間に隙間がないようにする。このとき、基板２６は成膜用精密マスク１の開口部３と対向する場所のみ露出することになる。
【００３７】
図４（ｃ）は蒸着工程に対応する図である。図４（ｃ）に示すように、成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８が配置された基板２６を蒸着装置２９に設置する。蒸着装置２９は蒸着室３０を備え、蒸着室３０の外側には真空装置３１を備えている。真空装置３１は蒸着室３０内の気体を蒸着室３０の外に排出する装置であり、油回転型真空ポンプやクライオポンプ等のポンプを組み合わせて構成されている。
【００３８】
蒸着室３０の内部において図中下側の床３０ａには加熱装置３２とターゲット３３とが重ねて配置されている。ターゲット３３は膜２７を形成する材料により形成され、金属、無機物、有機物等の各種の素材を適用することができる。本実施形態では、例えば、アルミニウムを採用している。加熱装置３２はターゲット３３を加熱して気化させる装置である。蒸着室３０の天井３０ｂには一方向に移動するステージ３４が配置され、ステージ３４の下側には載置台３５が配置されている。そして、載置台３５の下面に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８が配置された基板２６が配置される。載置台３５は図示しないクランプ機構を備え、基板２６を固定することが可能になっている。ステージ３４の移動方向は成膜用精密マスク１の開口部３における長手方向であるＸ方向と同じ方向となっている。
【００３９】
蒸着装置２９の載置台３５に基板２６を配置して固定した後、真空装置３１を駆動して蒸着室３０内の気体を排出する。次に、加熱装置３２を駆動してターゲット３３を加熱し、ターゲット３３を蒸発させる。続いて、ステージ３４を駆動することにより、基板２６を往復運動させて、所定の時間放置する。このとき、蒸発したターゲット３３の材料が基板２６に付着する。基板２６は成膜用精密マスク１に覆われているので、開口部３により露出している場所のみ膜２７が形成される。成膜用精密マスク１はＸ方向に往復運動する為、第２の梁４と対向する場所にも蒸発したターゲット３３の材料が進入し易くなっており、膜２７が形成される。次に、加熱装置３２及びステージ３４の駆動を停止し、基板２６が冷却した後、蒸着室３０内に気体を流入させる。
【００４０】
図５は第２マスク配置工程に対応する図である。図５に示すように、基板２６上に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８を並べて配置する。このとき、基板２６の第１の端２６ａ側に全遮蔽マスク２８を配置し、第２の端２６ｂ側に成膜用精密マスク１を配置する。続いて、再度蒸着工程を行う。その結果、膜２７は第１の端２６ａから第２の端２６ｂまで形成される。そして、第１マスク配置工程と第２マスク配置工程とでは、基板２６において第２の梁４と対向する場所が異なっている。従って、蒸着工程において、第２の梁４と対向する場所に膜２７が形成され難い場合にも、蒸着工程を２回行うことにより、所定の膜厚を確保することができる。
【００４１】
（マスクの製造方法）
次に、成膜用精密マスク１の製造方法について説明する。尚、マスクの製造方法は特開２００４−２２５０７１号公報にて開示されているので、概要の説明をする。まず、（１１０）面方位単結晶シリコンウエハから長方形状の基板を切り出し、基板を洗浄した後、熱酸化により酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなるエッチング保護膜を基板の周囲に形成する。このエッチング保護膜は、熱酸化により酸化シリコンを形成する代わりに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃｈａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により窒化シリコン膜を形成したり、スパッタにより金・クロム合金膜を形成してもよい。
【００４２】
次に、エッチング保護膜が形成された基板の裏面１ａに第１の梁２に仕切られた複数の開口部３に相当する形状をパターニングし、表面１ｂに第２の梁４に相当する形状をパターニングする。パターニングはフォトリソグラフィーを施すことによって行う。そしてパターニングした基板をフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチングして開口部３、一対の第２の梁４の間、第２の梁４と面５ａとの間の各部分のエッチング保護膜を除去する。そして、基板を水酸化カリウム水溶液によって異方性エッチングを行い、開口部３、一対の第２の梁４の間、第２の梁４と面５ａとの間の各部分を形成する。水酸化カリウムによりウェットエッチングを行うと、酸化シリコンのない部分から（１１１）面を側面としてまっすぐにエッチングされる。尚、水酸化カリウム水溶液に代えてテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等の有機アルカリ水溶液によってエッチングしても良い。この場合でも水酸化カリウムと同様に異方性エッチングを行うことができる。
【００４３】
開口部３が所定の深さに形成された後、裏面１ａの開口部３において第２の梁４の形状に合わせてエッチング保護膜を形成する。そして、さらにエッチングを行い、開口部３を貫通させる。次に、第２の梁４における表面１ｂのエッチング保護膜を除去し、第２の梁４を所定の厚みになるまで表面１ｂからエッチングする。最後に、基板のエッチング保護膜を、緩衝フッ化水素溶液等により除去して成膜用精密マスク１が得られる。
【００４４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、開口長Ｌは成膜用精密マスク１を純水７に浸漬して乾燥するときに第１の梁２が膠着しない値に設定されている。従って、成膜用精密マスク１を洗浄するために純水７に浸漬して乾燥するときにも、開口部３の形状が維持される。その結果、成膜用精密マスク１は洗浄した後も同じパターンの成膜用精密マスク１として機能させることができる。
【００４５】
（２）本実施形態によれば、梁厚みＴと開口幅Ｄとが所定の範囲に設定されている。そして、開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍにおいて開口間隔Ｐと開口長Ｌとの関係を示す条件が提示されている。この条件を満たすとき、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う第１の梁２が膠着しない為、開口部３の形状を維持することができる。
【００４６】
（３）本実施形態によれば、第１の梁２の厚みと第２の梁４の厚みとを可能加算した厚みは枠部５の厚みより薄く形成されている。従って、蒸着するときに膜２７を形成する材料が第１の梁２と第２の梁４を通過し易い為、膜２７を構成する材料を効率良く基板２６に付着させることができる。その結果、効率良く膜２７を形成することができる。
【００４７】
（４）本実施形態によれば、基板２６と成膜用精密マスク１とを重ねて開口部３に膜２７を形成している。成膜用精密マスク１を洗浄するときにも第１の梁２が膠着しない為、開口部３の形状が維持されている。従って、繰り返して所定の形状の膜２７を形成することができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
次に、成膜用精密マスクの一実施形態について、図６を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第２の梁４の形状が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００４９】
すなわち、本実施形態では、図６の成膜用精密マスクの模式平面図に示したように、成膜用精密マスク３８は第１の梁２と交差して第２の梁３９が配置されている。この第２の梁３９は形状が鋸刃状であり、第１の梁２と直交するＹ方向に延在して形成されている。そして、各開口部３は開口長Ｌが略同じ長さとなっている。そして、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌの各条件が第１の実施形態における条件と同じ条件となっている。従って、洗浄するときにも隣り合う第１の梁２が膠着しないようになっている。
【００５０】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、開口長Ｌを同一の長さで長く設定することができる。従って、基板２６に対して成膜用精密マスク３８をＸ方向に移動して長い膜２７を形成するときに、移動する成膜用精密マスク３８の配置を設計し易くすることができる。
【００５１】
（第３の実施形態）
次に、上記の膜形成方法を応用して有機ＥＬ装置（ＥＬＥＣＴＲＯ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）を製造する一実施形態について図７を用いて説明する。まず、電気光学装置の１つである有機ＥＬ装置について説明する。図７は、有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図である。
【００５２】
図７に示すように、電気光学装置としての有機ＥＬ装置５０は基板５１を備え、基板５１の上側には、絶縁膜５２が形成されている。絶縁膜５２上には、コンタクト電極５３がマトリクス状に形成され、各コンタクト電極５３と隣接する場所には、スイッチング機能を有するＴＦＴ素子５４が形成されている。そして、ＴＦＴ素子５４のドレイン端子にコンタクト電極５３が接続されている。
【００５３】
各コンタクト電極５３及びＴＦＴ素子５４を囲むように、走査線５５及びデータ線５６が格子状に形成されている。そして、走査線５５は、ＴＦＴ素子５４のゲート端子と接続され、データ線５６は、ＴＦＴ素子５４のソース端子と接続されている。そして、コンタクト電極５３、ＴＦＴ素子５４、走査線５５、データ線５６等からなる素子層５７が形成されている。素子層５７の上側には絶縁膜５８が形成され、絶縁膜５８の上側には、隔壁５９が格子状に形成されている。
【００５４】
隔壁５９により形成される凹状領域の各底部には、画素電極６０が形成され、画素電極６０は、コンタクト電極５３と電気的に接続されている。隔壁５９に囲まれた領域を発光領域６１と称し、この発光領域６１は方形に形成されている。画素電極６０及びＹ方向に延在する隔壁５９の上面には、正孔輸送層６２が形成され、正孔輸送層６２の上面には、ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）発光層としての発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ等の発光層６３が形成されている。そして、正孔輸送層６２と発光層６３とにより発光要素である機能層６４が形成されている。発光層６３Ｒは、赤色を発光する有機発光材料等により構成された発光層であり、発光層６３Ｇは、緑色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。同様に、発光層６３Ｂは、青色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。
【００５５】
機能層６４及び隔壁５９の上側全面に渡って、光透過性を有する導電性材料等からなる対向電極としての陰極６５が形成されている。本実施形態においては、陰極６５は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）を採用している。陰極６５の上面には、Ｙ方向に延在する隔壁５９と対向する場所に微細配線としての補助配線６６が配置されている。補助配線６６は低抵抗の配線であり、陰極６５に電流を流す機能を備えている。陰極６５の膜厚が薄いとき、陰極６５を流れる電流の電気抵抗が大きくなる。このとき、補助配線６６を経由して電流を流すことにより電圧降下を防止する。陰極６５及び補助配線６６の上面には光透過性を有する材料等からなる封止膜６７が形成され、陰極６５及び機能層６４が空気中の酸素により酸化されることを防止している。
【００５６】
画素電極６０、機能層６４、陰極６５により発光素子６８が構成されている。そして、画素電極６０と陰極６５との間に電圧を印加するとき、正孔輸送層６２は正孔のみを流動する。そして、発光層６３は、正孔輸送層６２から供給される正孔と陰極６５から供給される電子とが合体するときのエネルギにより、発光する性質を持っている。ＴＦＴ素子５４はスイッチング動作を行い機能層６４にかける電圧をコントロールすることにより、発光層６３が発光する光量を制御する。このように、発光層６３が発光する光量を制御することにより画素毎に光量をコントロールする。そして、画素を明滅させることにより映像を表示させることができる。
【００５７】
画素電極６０は、ＴＦＴ素子５４のドレイン端子に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線５６から供給される画素信号が各画素電極６０に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極６０に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、陰極６５と画素電極６０との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂが発光する光量が変化する。
【００５８】
次に、有機ＥＬ装置５０を製造する工程を説明する。先ず、基板５１にコンタクト電極５３やＴＦＴ素子５４等の素子層５７や絶縁膜５８を形成する素子形成工程を行う。次に、隔壁５９を形成する隔壁形成工程を行い、続いて、画素電極６０を形成する電極形成工程を行う。次に、正孔輸送層６２及び発光層６３を形成する機能層形成工程を行う。正孔輸送層６２及び発光層６３は各層の材料を蒸着して形成する。
【００５９】
次に、電極形成工程において陰極６５を形成する。この工程ではスピンコート法、スパッタ法、蒸着法等の方法を用いて陰極６５を形成した後、陰極６５上に補助配線６６を形成する。次に、配線工程にて補助配線６６を形成する。補助配線６６は蒸着法を用いてアルミニウム等の金属材料を含む層を形成する。続いて、封止膜形成工程において封止膜６７を形成する。スピンコート法を用いて封止膜６７の材料を塗布して乾燥することにより封止膜６７を形成する。以上の工程により、有機ＥＬ装置５０が完成する。
【００６０】
陰極６５上に補助配線６６を形成する配線工程において、第１の実施形態と同様な方法を用いる。具体的には、陰極６５が形成された基板５１に成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を重ねて、補助配線６６の材料を蒸着する。次に、成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を重ねる場所を順次変えて蒸着することにより補助配線６６を形成する。
【００６１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、洗浄しても開口部３の形状を維持できる成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を用いて導電性の膜を形成している。従って、断線や配線間のショートのない品質の良い補助配線６６を形成することができる。
【００６２】
（２）本実施形態によれば、陰極６５と隣接して低抵抗の補助配線６６が形成される。補助配線６６が微細な配線のときにも補助配線６６は断線なく形成されるので、補助配線６６を介して陰極６５と画素電極６０との間に確実に電流を流すことができる。その結果、発光層６３は品質良く発光できる。
【００６３】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、梁厚みＴの範囲を１０μｍ〜５０μｍとしたが、梁厚みＴの範囲は１０μｍ〜３０μｍでも良い。梁厚みＴを薄くすることにより、蒸着するときに膜を形成する材料が基板２６に付着し易くすることができる。梁厚みＴの範囲は２０μｍ〜３０μｍがさらに好ましい。梁厚みＴがこの範囲にあるとき第１の梁２の強度を確保できるので、破損し難くすることができる。
【００６４】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、開口幅Ｄの範囲を１０μｍ〜３０μｍとしたが、開口幅Ｄは１０μｍ〜２０μｍでも良い。開口幅Ｄが狭いとき細い膜を形成することができる。開口幅Ｄは１０μｍ〜１５μｍでも良い。さらに細いので、基板２６の面積を有効活用することができる。
【００６５】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬した後、乾燥して第１の梁２の膠着状態を確認したが、浸漬する液状体は純水７に限らない。例えば、水の他に、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類を例示できる。他にも、トルエン、キシレン、クーペン系、ｎ−パラフィン系、ｉ−パラフィン系等の炭化水素系化合物を例示できる。他にも、セロアセ、エチセロ、メチセロ、ブチセロ等のグリコールエーテル系化合物や、アセトン等のケトン系化合物を例示できる。他にも、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム等の塩素系化合物も例示できる。他にも、フロン系化合物やアミン系化合物を採用しても良い。基板２６に対して洗浄及び乾燥に適し、基板２６に損傷を与えない液状体を選択するのが好ましい。これらの液状体を用いる場合においても、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌにおいて上述の条件を満たす条件に設定することにより隣り合う第１の梁２が膠着することを防止できる。
【００６６】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、乾燥工程にマランゴニ乾燥法を用いたが、他の乾燥方法を採用しても良い。スピン乾燥、真空乾燥、温風乾燥、加熱乾燥、イソプルピルアルコール蒸気乾燥、ロタゴニ乾燥等の乾燥方法から選択しても良い。これらの乾燥方法においても、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌにおいて上述の条件を満たす条件に設定することにより隣り合う第１の梁２が膠着することを防止できる。
【００６７】
（変形例５）
前記第１の実施形態では、成膜用精密マスク１を用いて基板２６上に膜２７を形成したが、基板２６以外の物に膜２７を形成しても良い。例えば、立方体や直方体の面に成膜用精密マスク１を用いて膜２７を形成しても良い。この場合にも、成膜用精密マスク１を用いることにより、断線のない微細な膜を形成することができる。
【００６８】
（変形例６）
前記第３の実施形態では、Ｙ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成したが、これに限らない。Ｘ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成しても良い。設計し易いレイアウトにしても良い。さらに、Ｘ方向及びＹ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成しても良い。補助配線６６が多い方が電流を流しやすくなるので、電圧降下を低減することができる。尚、Ｘ方向とＹ方向との両方向に補助配線６６を形成するとき、１方向ずつ補助配線６６を形成することにより、成膜用精密マスク１を用いた補助配線６６の形成が可能となる。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。
【００６９】
（変形例７）
前記第３の実施形態では、陰極６５上に補助配線６６を形成したが、隔壁５９と陰極６５との間に補助配線６６を形成しても良い。図８（ａ）は有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図である。図８（ａ）に示すように、隔壁５９に区画された発光領域６１に機能層６４を形成した後、Ｘ方向に延在する隔壁５９上に補助配線６６を配置しても良い。そして、機能層６４と補助配線６６とを覆って陰極６５を形成しても良い。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。さらに、補助配線６６はＸ方向に延在する隔壁５９上に限らず、Ｙ方向に方向に延在する隔壁５９と対向する発光層６３上に補助配線６６を形成しても良い。さらに、補助配線６６はＸ方向に延在する隔壁５９上とＹ方向に方向に延在する隔壁５９と対向する発光層６３上との両方に配置しても良い。設計し易いレイアウトにしても良い。
【００７０】
（変形例８）
前記変形例７では、機能層６４と補助配線６６とを覆って１つの膜である陰極６５を配置したが、陰極６５は発光領域６１毎に分離しても良い。図８（ｂ）は有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図である。図８（ｂ）に示すように、陰極６５は発光領域６１毎に分離して配置しても良い。さらに、陰極６５はＸ方向に連結され、Ｙ方向では隔壁５９にて分離されていても良い。このとき、発光層６３は同様に機能することができる。そして、この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。また、この内容は、第３の実施形態にも適用することができる。
【００７１】
（変形例９）
前記第３の実施形態では、発光層６３は有機発光材料等から形成されたが、発光層６３は無機発光材料等から形成されても良い。このときにも、発光層６３を機能させることができる。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は成膜用精密マスクを示す概略斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は成膜用精密マスクの断面図。
【図２】（ａ）は成膜用精密マスクの模式平面図、（ｂ）は膠着調査方法を示すフローチャート。
【図３】膠着調査方法と調査結果とを説明するための図。
【図４】成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図。
【図５】成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図。
【図６】第２の実施形態にかかわる成膜用精密マスクの模式平面図。
【図７】第３の実施形態にかかわる有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図。
【図８】変形例にかかわる有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１，３８…成膜用精密マスク、２…第１の梁、３…開口部、４…第２の梁、５…枠部、７…液状体としての純水、２６…基体としての基板、２７…膜、５０…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、６０…画素電極、６３…ＥＬ発光層としての発光層、６５…対向電極としての陰極、６６…微細配線としての補助配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用精密マスク、膜の形成方法、微細配線の形成方法、電気光学装置の製造方法にかかわり、特に洗浄可能な精密マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）の製造工程では微細なパターンを蒸着して形成するために成膜用精密マスクが用いられる。この成膜用精密マスクが特許文献１に開示されている。それによると、成膜用精密マスクは平行に所定の間隔をもって配置された第１の梁を備え、その第１の梁の間に複数の開口部が形成されている。開口部は幅が数十マイクロメートルで長さが数センチメートル以上の非常に細長い形状になっている。
【０００３】
そして、第１の梁と交差して第２の梁が配置され、第１の梁の上面と第２の梁の下面が連結して配置されている。この第２の梁が補強材の役割を果たし、第１の梁が変形して開口部の形状が変形することを防止していた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２５０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第２の梁を有するマスクであっても、第１の梁の間隔がより狭くなると蒸着時やマスク洗浄後等において、隣り合う梁同士が固着してしまうことが問題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる成膜用精密マスクは、単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクであって、所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部を複数形成する第１の梁と、前記第１の梁と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁とを備え、前記第２の梁によって区切られる前記開口部の長さを開口長Ｌとするとき、複数の前記開口部のうち前記開口長Ｌが最も長い前記開口部の前記開口長Ｌが所定の値以下となるとなるように前記第２の梁が配置されていることを特徴とする。
【０００８】
この成膜用精密マスクによれば、複数の開口部のうち開口長の長さが最も長い開口部の開口長が所定の値以下に設定されている。開口長が長く開口の幅が狭い成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するとき、開口部に流入した液状体が徐々に蒸発する。このとき液状体の表面張力により隣り合う第１の梁が接近し、開口部の条件によっては接触する。そして、接触したまま液状体が乾燥するとき、隣り合う第１の梁が膠着することがある。
【０００９】
本適用例において、開口長は成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときに第１の梁が膠着しない値に設定されている。従って、成膜用精密マスクを洗浄するために液状体に浸漬して乾燥するときにも、開口部の形状が維持される。その結果、成膜用精密マスクは洗浄した後も同じパターンの成膜用精密マスクとして機能させることができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる成膜用精密マスクにおいて、前記第１の梁の厚みである梁厚みＴが１０μｍ〜５０μｍの範囲にあり、前記開口部の幅である開口幅Ｄが１０μｍ〜３０μｍの範囲にあるとき、前記開口部の長手方向における中心線と隣り合う前記開口部の中心線との間隔である開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間では、前記開口間隔ＰをＸμｍとし、前記開口長Ｌの前記所定の値をＹｍｍとするとき、Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８の条件を満たすことを特徴とする。
【００１１】
この成膜用精密マスクによれば、梁厚みと開口幅とが所定の範囲に設定されている。そして、開口間隔が８０μｍ〜５００μｍにおいて開口間隔と開口長との関係を示す条件が提示されている。この条件を満たすとき、成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う第１の梁が膠着しない為、開口部の形状を維持することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる成膜用精密マスクにおいて、基体上に前記第１の梁、前記第２の梁の順に配置して、蒸着により前記開口部の形状に膜を形成するときに用いられ、前記第１の梁と少なくとも１条の前記第２の梁とを囲んで枠部が配置され、前記第１の梁の厚みと前記第２の梁の厚みとを加算した厚みは前記枠部の厚みより薄いことを特徴とする。
【００１３】
この成膜用精密マスクによれば、基体上に開口部の形状の膜を形成するときに成膜用精密マスクが用いられる。そして、枠部は第１の梁及び第２の梁を囲んで配置されることにより、成膜用精密マスクの強度を保つ構造物として機能する。第２の梁は枠部と共に第１の梁の変形を防止する機能を有している。そして、第１の梁の厚みと第２の梁の厚みとを加算した厚みは枠部の厚みより薄く形成されている。従って、蒸着するときに膜を形成する材料が第１の梁と第２の梁を通過し易い為、膜を構成する材料を効率良く基体に付着させることができる。その結果、効率良く膜を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例にかかる膜の形成方法であって、基体上に上記のいずれか一項に記載の成膜用精密マスクを重ねて前記基体の一部を遮蔽し、前記基体の遮蔽されていない場所に膜を形成することを特徴とする。
【００１５】
この膜の形成方法によれば、基体と成膜用精密マスクとを重ねて開口部に膜を形成している。成膜用精密マスクを洗浄するときにも第１の梁が膠着しない為、開口部の形状が維持されている。従って、繰り返して所定の形状の膜を形成することができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例にかかる微細配線の形成方法であって、上記に記載の膜の形成方法を用いて導電性の膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
この微細配線の形成方法によれば、成膜用精密マスクを洗浄するときにも、開口部の形状を維持できる成膜用精密マスクを用いて導電性の膜を形成している。従って、断線や配線間のショートのない微細配線を品質良く形成することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、基板上に画素電極とＥＬ発光層と対向電極とが積層された電気光学装置の製造方法であって、前記対向電極と電気的に接する低抵抗の補助配線を形成する配線工程を有し、上記に記載の微細配線の形成方法を用いて前記補助配線を形成することを特徴とする。
【００１９】
この電気光学装置の製造方法によれば、対向電極と隣接して低抵抗の補助配線が形成される。補助配線が微細な配線のときにも補助配線は断線なく形成されるので、補助配線を介して対向電極と画素電極との間に確実に電流を流すことができる。その結果、ＥＬ発光層は品質良く発光できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本実施形態では、本発明の特徴的な成膜用精密マスクと、この成膜用精密マスクを製造する例と、この成膜用精密マスクを用いて膜を製造する例とについて図１〜図５に従って説明する。尚、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
（第１の実施形態）
（成膜用精密マスク）
以下、実施形態について図面に従って説明する。図１（ａ）は成膜用精密マスクを示す概略斜視図である。図１（ｂ）は成膜用精密マスクの断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。図１（ｃ）は成膜用精密マスクの断面図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。図１（ａ）に示すように、成膜用精密マスク１は長方形の板状に形成されている。この成膜用精密マスク１の長手方向をＸ方向とし、Ｘ方向と直交する方向をＹ方向とする。そして、成膜用精密マスク１の厚さ方向をＺ方向とする。
【００２２】
成膜用精密マスク１はＸ方向に延在する複数の第１の梁２を備え、隣り合う第１の梁２の間にはＸ方向に長い開口部３が形成されている。第１の梁２のＺ方向には第２の梁４が配置され、開口部３を跨いで配置されている。この第２の梁４は第１の梁２が延在するＸ方向に対して斜めに配置されている。第１の梁２、開口部３、第２の梁４の数は成膜用精密マスク１の仕様に合わせて設定すればよく、本実施形態では、例えば、第１の梁２は８条配置され、開口部３は７個配置されている。そして、第２の梁４は２条配置されている。第１の梁２及び第２の梁４を囲んで枠部５が配置され、枠部５の厚みは第１の梁２の厚みと第２の梁４の厚みとを加算した厚みより厚く形成されている。そして、成膜用精密マスク１の強度を保つ構造物として機能し、枠部５は第２の梁４と共に第１の梁２の変形を防止する機能を有している。
【００２３】
成膜用精密マスク１は単結晶シリコンからなり、第１の梁２、第２の梁４、枠部５は一体形成されている。従って、第１の梁２、第２の梁４、枠部５はそれぞれ強固に接合されている。成膜用精密マスク１は単結晶シリコンをエッチングして形成されているので、エッチングし易い面を活用した形状に設計されている。従って、開口部３のＸ方向の面３ａ及び枠部５のＸ方向における内側の面５ａはＹ方向に対して斜めに形成されている。さらに、第２の梁４もＹ方向に対して斜めに配置することにより、エッチングし易い形状に設計されている。
【００２４】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、開口部３の開口幅Ｄは総て同じ幅に形成されている。さらに、開口部３の長手方向及び厚み方向における中心線３ｂと隣り合う開口部３の中心線３ｂとの間隔である開口間隔Ｐも総て同じ間隔に形成されている。第１の梁２の厚みである梁厚みＴも総ての第１の梁２において同じ厚みとなっている。成膜用精密マスク１において、第１の梁２が配置されている側の面を裏面１ａとし、裏面１ａと反対側の面を表面１ｂとする。
【００２５】
図２（ａ）は成膜用精密マスクの模式平面図である。図２（ａ）において、第２の梁４によって区切られる開口部３の長さを開口長Ｌとするとき、開口長Ｌは一様ではなく、開口部３の各場所により異なった長さになっている。
【００２６】
（膠着調査）
成膜用精密マスク１を洗浄するとき、純水に浸漬した後、成膜用精密マスク１を乾燥する。乾燥する過程において、開口部３から純水が減少するにしたがい、純水の表面張力により隣り合う第１の梁２が接近し膠着することがある。そこで、第１の梁２、開口部３、第２の梁４の寸法を変えたときに膠着が生じるか否かについて調査を行った。
【００２７】
成膜用精密マスク１の梁厚みＴの範囲を１０μｍ〜５０μｍとし、開口幅Ｄの範囲を１０μｍ〜３０μｍとした。そして、開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間において、開口間隔Ｐと開口長Ｌをかえるときに膠着が生じる開口長Ｌの長さとの関係を調査した。次に、膠着調査方法と調査結果とを説明する。図２（ｂ）は膠着調査方法を示すフローチャートであり、図３は、膠着調査方法と調査結果とを説明するための図である。
【００２８】
図２（ｂ）において、ステップＳ１は、浸漬工程に相当し、成膜用精密マスクを純水に浸漬する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、乾燥工程に相当し、成膜用精密マスクを乾燥する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、検査工程に相当し、膠着した第１の梁の有無を検査する工程である。以上の工程により第１の梁の膠着状況を調査する工程を終了する。
【００２９】
次に、図３を用いて、図２（ｂ）に示したステップと対応させて、検査方法を詳細に説明する。図３（ａ）はステップＳ１の浸漬工程に対応する図である。図３（ａ）に示すように、ステップＳ１において、水槽６内に液状体としての純水７を流入し、純水７を溜めておく。次に、純水７に成膜用精密マスク１を浸漬した後、成膜用精密マスク１を上下左右に揺動することにより、開口部３に純水７を流入させる。揺動回数は特に限定されず、例えば、本実施形態では上下左右共に２０回を採用している。
【００３０】
図３（ｂ）はステップＳ２の乾燥工程に対応する図である。図３（ｂ）に示すように、ステップＳ２において、マランゴニ乾燥装置８を使用する。マランゴニ乾燥装置８は乾燥室９を備えている。乾燥室９の内部において図中下側には水槽１０が配置され、水槽１０には純水７が配置されている。水槽１０の図中左側には乾燥室９の内壁に昇降装置１１が配置されている。この昇降装置１１の右側には支持部１２を介して載置台１３が配置され、載置台１３上に成膜用精密マスク１が立てて配置されている。そして、昇降装置１１が成膜用精密マスク１を昇降することにより、成膜用精密マスク１を純水７の中に浸漬したり、純水７から出したりすることが可能になっている。
【００３１】
成膜用精密マスク１上にはワーク固定部１４が配置され、ワーク固定部１４が成膜用精密マスク１を載置台１３に押圧することにより、ワーク固定部１４は成膜用精密マスク１を載置台１３に固定している。純水７の水面上であって成膜用精密マスク１の両側には一対のノズル１５が配置されている。ノズル１５は配管１６を介して蒸気発生装置１７と接続されている。蒸気発生装置１７はイソプロピルアルコールの蒸気１８を発生させる装置であり、発生した蒸気１８は配管１６を介してノズル１５に供給される。そして、ノズル１５から成膜用精密マスク１に蒸気１８を噴射することが可能になっている。
【００３２】
乾燥工程では、まず、載置台１３に濡れた状態の成膜用精密マスク１を配置し、ワーク固定部１４により成膜用精密マスク１を固定する。次に、昇降装置１１を駆動して成膜用精密マスク１を下降し、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬させる。続いて、ノズル１５から蒸気１８を噴出しながら成膜用精密マスク１を徐々に上昇させる。このとき、蒸気１８が純水７の界面にあたるように噴射する。純水７の界面ではイソプロピルアルコールが純水７の界面に侵入するので、イソプロピルアルコールの濃度が高くなる。その結果、純水７の界面ではマランゴニ対流が生じることにより、純水７が水槽１０内に移動する。そして、引き上げられた成膜用精密マスク１からは純水７が除去される。成膜用精密マスク１が総て水槽１０内の純水７から取り出された後、成膜用精密マスク１を載置台１３から回収する。
【００３３】
図３（ｃ）はステップＳ３の検査工程に対応する図である。ステップＳ３の検査工程では、隣り合う第１の梁２の梁が膠着している場所があるかないかを確認する。そして、開口間隔Ｐ及び開口長Ｌの長さと膠着の有無を記録する。図３（ｃ）において、横軸は開口間隔Ｐを示し、開口間隔Ｐの単位はμｍとなっている。そして、左側より右側の方が長い値となっている。縦軸は開口長Ｌを示し単位はｍｍとなっている。そして、下側より上側の方が長い値となっている。丸点２１は膠着が生じないときの分布を示し、バツ点２２は膠着が生じたときの分布を示している。丸点２１が分布する場所とバツ点２２が分布する場所とは分離している。丸点２１とバツ点２２との境界となる曲線を膠着境界線２３とするとき、開口長Ｌが膠着境界線２３より短い非膠着領域２４では第１の梁２の膠着が生じていない。膠着境界線２３は式にて表され、開口間隔ＰをＸμｍとし、開口長Ｌの所定の値をＹｍｍとするとき、Ｙ＝６．８×ｌｎＸ−２１．８で示される。従って、第１の梁２の膠着が生じない非膠着領域２４の条件は、Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８で示される。
【００３４】
成膜用精密マスク１における第１の梁２、開口部３、第２の梁４の条件は上述の条件から選定することにより第１の梁２の膠着が生じないようにすることが可能となる。例えば、本実施形態においては、梁厚みＴを３０μｍとし、開口幅Ｄを１０μｍとした。そして、開口間隔Ｐを１００μｍとし、最も長い開口長Ｌを９ｍｍに設定した。この条件は非膠着領域２４に含まれる条件であり、乾燥工程において第１の梁２が膠着することを防止することができる。すなわち、成膜用精密マスクを洗浄するとき、成膜用精密マスクを洗浄液等の液状体に浸漬した後、乾燥することが多い。開口部の長手方向の長さが長く開口部の幅が狭い成膜用精密マスクを液状体に浸漬して乾燥するとき、開口部に流入した液状体が徐々に蒸発する。このとき液状体の表面張力により隣り合う第１の梁が接近し、開口部の条件によっては第１の梁同士が接触することがある。そして、接触したまま液状体が乾燥するとき、隣り合う第１の梁が膠着することがある。しかしながら、上記のような条件においては、乾燥工程において第１の梁２が膠着することを防止することができる。
【００３５】
（膜の形成方法）
次に、図４〜図５を用いて、成膜用精密マスク１を用いて膜を形成する方法を説明する。図４及び図５は成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図である。図４（ａ）は膜が形成された基板を示す模式平面図である。図４（ａ）に示すように、成膜済基板２５はシリコンからなる長方形の基体としての基板２６に膜２７が形成されている。基板２６の長手方向をＸ方向とし、基板２６の平面方向でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板２６において、Ｘ方向と逆側の端を第１の端２６ａとし、Ｘ方向側の端を第２の端２６ｂとする。膜２７はＸ方向に延在して形成され、第１の端２６ａから第２の端２６ｂにかけて形成されている。これから、成膜済基板２５を製造する方法を説明する。
【００３６】
図４（ｂ）は第１マスク配置工程に対応する図である。図４（ｂ）に示すように、基板２６上に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８を並べて配置する。成膜用精密マスク１は裏面１ａを基板２６に密着して配置する。全遮蔽マスク２８は所定の場所の全面を遮蔽するマスクであり、開口パターンのないマスクである。成膜用精密マスク１を第１の端２６ａ側に配置し、全遮蔽マスク２８を第２の端２６ｂ側に配置する。成膜用精密マスク１と全遮蔽マスク２８とは密着して配置することにより、成膜用精密マスク１と全遮蔽マスク２８との間に隙間がないようにする。このとき、基板２６は成膜用精密マスク１の開口部３と対向する場所のみ露出することになる。
【００３７】
図４（ｃ）は蒸着工程に対応する図である。図４（ｃ）に示すように、成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８が配置された基板２６を蒸着装置２９に設置する。蒸着装置２９は蒸着室３０を備え、蒸着室３０の外側には真空装置３１を備えている。真空装置３１は蒸着室３０内の気体を蒸着室３０の外に排出する装置であり、油回転型真空ポンプやクライオポンプ等のポンプを組み合わせて構成されている。
【００３８】
蒸着室３０の内部において図中下側の床３０ａには加熱装置３２とターゲット３３とが重ねて配置されている。ターゲット３３は膜２７を形成する材料により形成され、金属、無機物、有機物等の各種の素材を適用することができる。本実施形態では、例えば、アルミニウムを採用している。加熱装置３２はターゲット３３を加熱して気化させる装置である。蒸着室３０の天井３０ｂには一方向に移動するステージ３４が配置され、ステージ３４の下側には載置台３５が配置されている。そして、載置台３５の下面に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８が配置された基板２６が配置される。載置台３５は図示しないクランプ機構を備え、基板２６を固定することが可能になっている。ステージ３４の移動方向は成膜用精密マスク１の開口部３における長手方向であるＸ方向と同じ方向となっている。
【００３９】
蒸着装置２９の載置台３５に基板２６を配置して固定した後、真空装置３１を駆動して蒸着室３０内の気体を排出する。次に、加熱装置３２を駆動してターゲット３３を加熱し、ターゲット３３を蒸発させる。続いて、ステージ３４を駆動することにより、基板２６を往復運動させて、所定の時間放置する。このとき、蒸発したターゲット３３の材料が基板２６に付着する。基板２６は成膜用精密マスク１に覆われているので、開口部３により露出している場所のみ膜２７が形成される。成膜用精密マスク１はＸ方向に往復運動する為、第２の梁４と対向する場所にも蒸発したターゲット３３の材料が進入し易くなっており、膜２７が形成される。次に、加熱装置３２及びステージ３４の駆動を停止し、基板２６が冷却した後、蒸着室３０内に気体を流入させる。
【００４０】
図５は第２マスク配置工程に対応する図である。図５に示すように、基板２６上に成膜用精密マスク１及び全遮蔽マスク２８を並べて配置する。このとき、基板２６の第１の端２６ａ側に全遮蔽マスク２８を配置し、第２の端２６ｂ側に成膜用精密マスク１を配置する。続いて、再度蒸着工程を行う。その結果、膜２７は第１の端２６ａから第２の端２６ｂまで形成される。そして、第１マスク配置工程と第２マスク配置工程とでは、基板２６において第２の梁４と対向する場所が異なっている。従って、蒸着工程において、第２の梁４と対向する場所に膜２７が形成され難い場合にも、蒸着工程を２回行うことにより、所定の膜厚を確保することができる。
【００４１】
（マスクの製造方法）
次に、成膜用精密マスク１の製造方法について説明する。尚、マスクの製造方法は特開２００４−２２５０７１号公報にて開示されているので、概要の説明をする。まず、（１１０）面方位単結晶シリコンウエハから長方形状の基板を切り出し、基板を洗浄した後、熱酸化により酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなるエッチング保護膜を基板の周囲に形成する。このエッチング保護膜は、熱酸化により酸化シリコンを形成する代わりに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃｈａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により窒化シリコン膜を形成したり、スパッタにより金・クロム合金膜を形成してもよい。
【００４２】
次に、エッチング保護膜が形成された基板の裏面１ａに第１の梁２に仕切られた複数の開口部３に相当する形状をパターニングし、表面１ｂに第２の梁４に相当する形状をパターニングする。パターニングはフォトリソグラフィーを施すことによって行う。そしてパターニングした基板をフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液によりエッチングして開口部３、一対の第２の梁４の間、第２の梁４と面５ａとの間の各部分のエッチング保護膜を除去する。そして、基板を水酸化カリウム水溶液によって異方性エッチングを行い、開口部３、一対の第２の梁４の間、第２の梁４と面５ａとの間の各部分を形成する。水酸化カリウムによりウェットエッチングを行うと、酸化シリコンのない部分から（１１１）面を側面としてまっすぐにエッチングされる。尚、水酸化カリウム水溶液に代えてテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等の有機アルカリ水溶液によってエッチングしても良い。この場合でも水酸化カリウムと同様に異方性エッチングを行うことができる。
【００４３】
開口部３が所定の深さに形成された後、裏面１ａの開口部３において第２の梁４の形状に合わせてエッチング保護膜を形成する。そして、さらにエッチングを行い、開口部３を貫通させる。次に、第２の梁４における表面１ｂのエッチング保護膜を除去し、第２の梁４を所定の厚みになるまで表面１ｂからエッチングする。最後に、基板のエッチング保護膜を、緩衝フッ化水素溶液等により除去して成膜用精密マスク１が得られる。
【００４４】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、開口長Ｌは成膜用精密マスク１を純水７に浸漬して乾燥するときに第１の梁２が膠着しない値に設定されている。従って、成膜用精密マスク１を洗浄するために純水７に浸漬して乾燥するときにも、開口部３の形状が維持される。その結果、成膜用精密マスク１は洗浄した後も同じパターンの成膜用精密マスク１として機能させることができる。
【００４５】
（２）本実施形態によれば、梁厚みＴと開口幅Ｄとが所定の範囲に設定されている。そして、開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍにおいて開口間隔Ｐと開口長Ｌとの関係を示す条件が提示されている。この条件を満たすとき、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬して乾燥するときにも、隣り合う第１の梁２が膠着しない為、開口部３の形状を維持することができる。
【００４６】
（３）本実施形態によれば、第１の梁２の厚みと第２の梁４の厚みとを可能加算した厚みは枠部５の厚みより薄く形成されている。従って、蒸着するときに膜２７を形成する材料が第１の梁２と第２の梁４を通過し易い為、膜２７を構成する材料を効率良く基板２６に付着させることができる。その結果、効率良く膜２７を形成することができる。
【００４７】
（４）本実施形態によれば、基板２６と成膜用精密マスク１とを重ねて開口部３に膜２７を形成している。成膜用精密マスク１を洗浄するときにも第１の梁２が膠着しない為、開口部３の形状が維持されている。従って、繰り返して所定の形状の膜２７を形成することができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
次に、成膜用精密マスクの一実施形態について、図６を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第２の梁４の形状が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００４９】
すなわち、本実施形態では、図６の成膜用精密マスクの模式平面図に示したように、成膜用精密マスク３８は第１の梁２と交差して第２の梁３９が配置されている。この第２の梁３９は形状が鋸刃状であり、第１の梁２と直交するＹ方向に延在して形成されている。そして、各開口部３は開口長Ｌが略同じ長さとなっている。そして、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌの各条件が第１の実施形態における条件と同じ条件となっている。従って、洗浄するときにも隣り合う第１の梁２が膠着しないようになっている。
【００５０】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、開口長Ｌを同一の長さで長く設定することができる。従って、基板２６に対して成膜用精密マスク３８をＸ方向に移動して長い膜２７を形成するときに、移動する成膜用精密マスク３８の配置を設計し易くすることができる。
【００５１】
（第３の実施形態）
次に、上記の膜形成方法を応用して有機ＥＬ装置（ＥＬＥＣＴＲＯ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）を製造する一実施形態について図７を用いて説明する。まず、電気光学装置の１つである有機ＥＬ装置について説明する。図７は、有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図である。
【００５２】
図７に示すように、電気光学装置としての有機ＥＬ装置５０は基板５１を備え、基板５１の上側には、絶縁膜５２が形成されている。絶縁膜５２上には、コンタクト電極５３がマトリクス状に形成され、各コンタクト電極５３と隣接する場所には、スイッチング機能を有するＴＦＴ素子５４が形成されている。そして、ＴＦＴ素子５４のドレイン端子にコンタクト電極５３が接続されている。
【００５３】
各コンタクト電極５３及びＴＦＴ素子５４を囲むように、走査線５５及びデータ線５６が格子状に形成されている。そして、走査線５５は、ＴＦＴ素子５４のゲート端子と接続され、データ線５６は、ＴＦＴ素子５４のソース端子と接続されている。そして、コンタクト電極５３、ＴＦＴ素子５４、走査線５５、データ線５６等からなる素子層５７が形成されている。素子層５７の上側には絶縁膜５８が形成され、絶縁膜５８の上側には、隔壁５９が格子状に形成されている。
【００５４】
隔壁５９により形成される凹状領域の各底部には、画素電極６０が形成され、画素電極６０は、コンタクト電極５３と電気的に接続されている。隔壁５９に囲まれた領域を発光領域６１と称し、この発光領域６１は方形に形成されている。画素電極６０及びＹ方向に延在する隔壁５９の上面には、正孔輸送層６２が形成され、正孔輸送層６２の上面には、ＥＬ（ＥＬＥＣＴＲＯ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ）発光層としての発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ等の発光層６３が形成されている。そして、正孔輸送層６２と発光層６３とにより発光要素である機能層６４が形成されている。発光層６３Ｒは、赤色を発光する有機発光材料等により構成された発光層であり、発光層６３Ｇは、緑色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。同様に、発光層６３Ｂは、青色を発光する有機発光材料等により構成された発光層である。
【００５５】
機能層６４及び隔壁５９の上側全面に渡って、光透過性を有する導電性材料等からなる対向電極としての陰極６５が形成されている。本実施形態においては、陰極６５は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）を採用している。陰極６５の上面には、Ｙ方向に延在する隔壁５９と対向する場所に微細配線としての補助配線６６が配置されている。補助配線６６は低抵抗の配線であり、陰極６５に電流を流す機能を備えている。陰極６５の膜厚が薄いとき、陰極６５を流れる電流の電気抵抗が大きくなる。このとき、補助配線６６を経由して電流を流すことにより電圧降下を防止する。陰極６５及び補助配線６６の上面には光透過性を有する材料等からなる封止膜６７が形成され、陰極６５及び機能層６４が空気中の酸素により酸化されることを防止している。
【００５６】
画素電極６０、機能層６４、陰極６５により発光素子６８が構成されている。そして、画素電極６０と陰極６５との間に電圧を印加するとき、正孔輸送層６２は正孔のみを流動する。そして、発光層６３は、正孔輸送層６２から供給される正孔と陰極６５から供給される電子とが合体するときのエネルギにより、発光する性質を持っている。ＴＦＴ素子５４はスイッチング動作を行い機能層６４にかける電圧をコントロールすることにより、発光層６３が発光する光量を制御する。このように、発光層６３が発光する光量を制御することにより画素毎に光量をコントロールする。そして、画素を明滅させることにより映像を表示させることができる。
【００５７】
画素電極６０は、ＴＦＴ素子５４のドレイン端子に電気的に接続されており、ＴＦＴを一定期間だけオン状態とすることにより、データ線５６から供給される画素信号が各画素電極６０に所定のタイミングで供給される。このようにして画素電極６０に供給された所定レベルの画素信号の電圧レベルは、陰極６５と画素電極６０との間で保持され、画素信号の電圧レベルに応じて、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂが発光する光量が変化する。
【００５８】
次に、有機ＥＬ装置５０を製造する工程を説明する。先ず、基板５１にコンタクト電極５３やＴＦＴ素子５４等の素子層５７や絶縁膜５８を形成する素子形成工程を行う。次に、隔壁５９を形成する隔壁形成工程を行い、続いて、画素電極６０を形成する電極形成工程を行う。次に、正孔輸送層６２及び発光層６３を形成する機能層形成工程を行う。正孔輸送層６２及び発光層６３は各層の材料を蒸着して形成する。
【００５９】
次に、電極形成工程において陰極６５を形成する。この工程ではスピンコート法、スパッタ法、蒸着法等の方法を用いて陰極６５を形成した後、陰極６５上に補助配線６６を形成する。次に、配線工程にて補助配線６６を形成する。補助配線６６は蒸着法を用いてアルミニウム等の金属材料を含む層を形成する。続いて、封止膜形成工程において封止膜６７を形成する。スピンコート法を用いて封止膜６７の材料を塗布して乾燥することにより封止膜６７を形成する。以上の工程により、有機ＥＬ装置５０が完成する。
【００６０】
陰極６５上に補助配線６６を形成する配線工程において、第１の実施形態と同様な方法を用いる。具体的には、陰極６５が形成された基板５１に成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を重ねて、補助配線６６の材料を蒸着する。次に、成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を重ねる場所を順次変えて蒸着することにより補助配線６６を形成する。
【００６１】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、洗浄しても開口部３の形状を維持できる成膜用精密マスク１または成膜用精密マスク３８を用いて導電性の膜を形成している。従って、断線や配線間のショートのない品質の良い補助配線６６を形成することができる。
【００６２】
（２）本実施形態によれば、陰極６５と隣接して低抵抗の補助配線６６が形成される。補助配線６６が微細な配線のときにも補助配線６６は断線なく形成されるので、補助配線６６を介して陰極６５と画素電極６０との間に確実に電流を流すことができる。その結果、発光層６３は品質良く発光できる。
【００６３】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、梁厚みＴの範囲を１０μｍ〜５０μｍとしたが、梁厚みＴの範囲は１０μｍ〜３０μｍでも良い。梁厚みＴを薄くすることにより、蒸着するときに膜を形成する材料が基板２６に付着し易くすることができる。梁厚みＴの範囲は２０μｍ〜３０μｍがさらに好ましい。梁厚みＴがこの範囲にあるとき第１の梁２の強度を確保できるので、破損し難くすることができる。
【００６４】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、開口幅Ｄの範囲を１０μｍ〜３０μｍとしたが、開口幅Ｄは１０μｍ〜２０μｍでも良い。開口幅Ｄが狭いとき細い膜を形成することができる。開口幅Ｄは１０μｍ〜１５μｍでも良い。さらに細いので、基板２６の面積を有効活用することができる。
【００６５】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、成膜用精密マスク１を純水７に浸漬した後、乾燥して第１の梁２の膠着状態を確認したが、浸漬する液状体は純水７に限らない。例えば、水の他に、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類を例示できる。他にも、トルエン、キシレン、クーペン系、ｎ−パラフィン系、ｉ−パラフィン系等の炭化水素系化合物を例示できる。他にも、セロアセ、エチセロ、メチセロ、ブチセロ等のグリコールエーテル系化合物や、アセトン等のケトン系化合物を例示できる。他にも、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、塩化メチレン、四塩化炭素、クロロホルム等の塩素系化合物も例示できる。他にも、フロン系化合物やアミン系化合物を採用しても良い。基板２６に対して洗浄及び乾燥に適し、基板２６に損傷を与えない液状体を選択するのが好ましい。これらの液状体を用いる場合においても、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌにおいて上述の条件を満たす条件に設定することにより隣り合う第１の梁２が膠着することを防止できる。
【００６６】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、乾燥工程にマランゴニ乾燥法を用いたが、他の乾燥方法を採用しても良い。スピン乾燥、真空乾燥、温風乾燥、加熱乾燥、イソプルピルアルコール蒸気乾燥、ロタゴニ乾燥等の乾燥方法から選択しても良い。これらの乾燥方法においても、梁厚みＴ、開口幅Ｄ、開口間隔Ｐ、開口長Ｌにおいて上述の条件を満たす条件に設定することにより隣り合う第１の梁２が膠着することを防止できる。
【００６７】
（変形例５）
前記第１の実施形態では、成膜用精密マスク１を用いて基板２６上に膜２７を形成したが、基板２６以外の物に膜２７を形成しても良い。例えば、立方体や直方体の面に成膜用精密マスク１を用いて膜２７を形成しても良い。この場合にも、成膜用精密マスク１を用いることにより、断線のない微細な膜を形成することができる。
【００６８】
（変形例６）
前記第３の実施形態では、Ｙ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成したが、これに限らない。Ｘ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成しても良い。設計し易いレイアウトにしても良い。さらに、Ｘ方向及びＹ方向に延在する隔壁５９と対向する陰極６５上に補助配線６６を形成しても良い。補助配線６６が多い方が電流を流しやすくなるので、電圧降下を低減することができる。尚、Ｘ方向とＹ方向との両方向に補助配線６６を形成するとき、１方向ずつ補助配線６６を形成することにより、成膜用精密マスク１を用いた補助配線６６の形成が可能となる。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。
【００６９】
（変形例７）
前記第３の実施形態では、陰極６５上に補助配線６６を形成したが、隔壁５９と陰極６５との間に補助配線６６を形成しても良い。図８（ａ）は有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図である。図８（ａ）に示すように、隔壁５９に区画された発光領域６１に機能層６４を形成した後、Ｘ方向に延在する隔壁５９上に補助配線６６を配置しても良い。そして、機能層６４と補助配線６６とを覆って陰極６５を形成しても良い。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。さらに、補助配線６６はＸ方向に延在する隔壁５９上に限らず、Ｙ方向に方向に延在する隔壁５９と対向する発光層６３上に補助配線６６を形成しても良い。さらに、補助配線６６はＸ方向に延在する隔壁５９上とＹ方向に方向に延在する隔壁５９と対向する発光層６３上との両方に配置しても良い。設計し易いレイアウトにしても良い。
【００７０】
（変形例８）
前記変形例７では、機能層６４と補助配線６６とを覆って１つの膜である陰極６５を配置したが、陰極６５は発光領域６１毎に分離しても良い。図８（ｂ）は有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図である。図８（ｂ）に示すように、陰極６５は発光領域６１毎に分離して配置しても良い。さらに、陰極６５はＸ方向に連結され、Ｙ方向では隔壁５９にて分離されていても良い。このとき、発光層６３は同様に機能することができる。そして、この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。また、この内容は、第３の実施形態にも適用することができる。
【００７１】
（変形例９）
前記第３の実施形態では、発光層６３は有機発光材料等から形成されたが、発光層６３は無機発光材料等から形成されても良い。このときにも、発光層６３を機能させることができる。この場合にも、成膜用精密マスク１もしくは成膜用精密マスク３８を用いることにより、断線のない補助配線６６を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は成膜用精密マスクを示す概略斜視図、（ｂ）及び（ｃ）は成膜用精密マスクの断面図。
【図２】（ａ）は成膜用精密マスクの模式平面図、（ｂ）は膠着調査方法を示すフローチャート。
【図３】膠着調査方法と調査結果とを説明するための図。
【図４】成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図。
【図５】成膜用精密マスクを用いて膜を形成する方法を説明するための模式図。
【図６】第２の実施形態にかかわる成膜用精密マスクの模式平面図。
【図７】第３の実施形態にかかわる有機ＥＬ装置の構造を示す概略分解斜視図。
【図８】変形例にかかわる有機ＥＬ装置を示す要部模式断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１，３８…成膜用精密マスク、２…第１の梁、３…開口部、４…第２の梁、５…枠部、７…液状体としての純水、２６…基体としての基板、２７…膜、５０…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、６０…画素電極、６３…ＥＬ発光層としての発光層、６５…対向電極としての陰極、６６…微細配線としての補助配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクであって、
所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部を複数形成する第１の梁と、
前記第１の梁と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁とを備え、
前記第２の梁によって区切られる前記開口部の長さを開口長Ｌとするとき、複数の前記開口部のうち前記開口長Ｌが最も長い前記開口部の前記開口長Ｌが所定の値以下となるように前記第２の梁が配置されていることを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜用精密マスクであって、
前記第１の梁の厚みである梁厚みＴが１０μｍ〜５０μｍの範囲にあり、
前記開口部の幅である開口幅Ｄが１０μｍ〜３０μｍの範囲にあるとき、
前記開口部の長手方向における中心線と隣り合う前記開口部の中心線との間隔である開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間では、
前記開口間隔ＰをＸμｍとし、前記開口長Ｌの前記所定の値をＹｍｍとするとき、
Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８の条件を満たすことを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項３】
請求項２に記載の成膜用精密マスクであって、
基体上に前記第１の梁、前記第２の梁の順に配置して、蒸着により前記開口部の形状に膜を形成するときに用いられ、
前記第１の梁と少なくとも１条の前記第２の梁とを囲んで枠部が配置され、
前記第１の梁の厚みと前記第２の梁の厚みとを加算した厚みは前記枠部の厚みより薄いことを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項４】
基体上に請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜用精密マスクを重ねて前記基体の一部を遮蔽し、前記基体の遮蔽されていない場所に膜を形成することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の膜の形成方法を用いて導電性の膜を形成することを特徴とする微細配線の形成方法。
【請求項６】
基板上に画素電極とＥＬ発光層と対向電極とが積層された電気光学装置の製造方法であって、
前記対向電極と電気的に接する低抵抗の補助配線を形成する配線工程を有し、
請求項５に記載の微細配線の形成方法を用いて前記補助配線を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
単結晶シリコンからなる成膜用精密マスクであって、
所定の間隔をもって平行に配置され、１方向に長い開口部を複数形成する第１の梁と、
前記第１の梁と交差して配置される少なくとも一条の第２の梁とを備え、
前記第２の梁によって区切られる前記開口部の長さを開口長Ｌとするとき、複数の前記開口部のうち前記開口長Ｌが最も長い前記開口部の前記開口長Ｌが所定の値以下となるように前記第２の梁が配置されていることを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜用精密マスクであって、
前記第１の梁の厚みである梁厚みＴが１０μｍ〜５０μｍの範囲にあり、
前記開口部の幅である開口幅Ｄが１０μｍ〜３０μｍの範囲にあるとき、
前記開口部の長手方向における中心線と隣り合う前記開口部の中心線との間隔である開口間隔Ｐが８０μｍ〜５００μｍの間では、
前記開口間隔ＰをＸμｍとし、前記開口長Ｌの前記所定の値をＹｍｍとするとき、
Ｙ≦６．８×ｌｎＸ−２１．８の条件を満たすことを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項３】
請求項２に記載の成膜用精密マスクであって、
基体上に前記第１の梁、前記第２の梁の順に配置して、蒸着により前記開口部の形状に膜を形成するときに用いられ、
前記第１の梁と少なくとも１条の前記第２の梁とを囲んで枠部が配置され、
前記第１の梁の厚みと前記第２の梁の厚みとを加算した厚みは前記枠部の厚みより薄いことを特徴とする成膜用精密マスク。
【請求項４】
基体上に請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜用精密マスクを重ねて前記基体の一部を遮蔽し、前記基体の遮蔽されていない場所に膜を形成することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の膜の形成方法を用いて導電性の膜を形成することを特徴とする微細配線の形成方法。
【請求項６】
基板上に画素電極とＥＬ発光層と対向電極とが積層された電気光学装置の製造方法であって、
前記対向電極と電気的に接する低抵抗の補助配線を形成する配線工程を有し、
請求項５に記載の微細配線の形成方法を用いて前記補助配線を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−３７５８６（Ｐ２０１０−３７５８６Ａ）
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２００４５６（Ｐ２００８−２００４５６）
【出願日】平成２０年８月４日（２００８．８．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年２月１８日（２０１０．２．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月４日（２００８．８．４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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