【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属酸化物の焼結体を含み、その金属酸化物の焼結体の含有水素濃度が、たとえば、１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満と低いスパッタリングターゲットを用いて酸化物半導体膜を形成することで、Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物、もしくは水素原子等の不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を成膜する。また、この酸化物半導体膜をトランジスタの活性層として適用する。 （もっと読む）

【課題】プロセスチャンバとポンプとの間のバルブや導管に起因するコンダクタンス損失を低減または解消し、かつ、ポンプをプロセスチャンバのプロセス空間に流入する気体分子の気体分子源に対して最適な位置に配置することができるプロセスチャンバシステムを提供する。
【解決手段】本発明のプロセスチャンバシステム５００は、プロセス空間５１４を有するプロセスチャンバと、プロセスチャンバに着脱可能に取り付けられた複数の冷凍機５０２と、冷凍機５０２に着脱可能に取り付けられた複数のアレイ５０４とを備える。冷凍機５０２とアレイ５０４とがプロセスチャンバ内に延在して、プロセス空間５１４内に排気面を形成している。この排気面は、プロセス空間に連通する気体分子源の近傍に配置され得る。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】実質的なリーク電流を生じることなく膜厚を減少させることができる高品質で均一な酸化膜、窒化膜あるいは酸窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする
【解決手段】Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物や炭素原子を含む化合物、もしくは水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガスの流量制御は、マスフローコントローラによって行われている。ここで使用される流量調整バルブは、流量を調整することに重点が置かれているため、閉鎖時にも微小ながらガスが流出する。このため、流量調整バルブの出力側に閉鎖特性の良好な開閉バルブが挿入されている。しかし、流量調整バルブと開閉バルブ間の流路系には、一定の容量を有するため、流量調整バルブが閉鎖されている間に、この流路系の圧力が流量調整バルブのリークを介して、上昇するという問題がある。このような出力側バルブ間空間の圧力上昇は、次に、開閉バルブが開いたときに、ガス被供給系への余剰のガス供給の原因となる。
【解決手段】本願発明は、マスフローコントローラのガス排出側の流量制御バルブと開閉バルブ間の圧力を計測することで、流量制御バルブの閉鎖時のリークガス流量を検知可能とした半導体製造装置である。 （もっと読む）

本発明は、化学式Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｘ_２（ここで、ＸはＳまたはＳｅ）を有する半導体材料から成る膜を堆積させるための方法および装置に関する。本発明の方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットから基板の少なくとも１つの表面上にＣｕ，ＩｎおよびＧａをカソードスパッタ堆積させることを含み、加えて、カソードチャンバ内の前記表面上に蒸気相にあるＸを同時堆積させることを含む。Ｘまたは後者の前駆物質の蒸気形態は、第１のガス層流の形態で移動させられ、その進行経路は基板表面に平行であり、かつ後者と接触し、しかも不活性ガスに対する第２のガス層流の形態で同時に移動させられ、その進行経路は第１のガス層流と平行であり、かつ第１ガス層流の進行経路とスパッタリングターゲットの表面との間に設置され、これによって、第１のガス層流が基板の周りの領域に制限されることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示すペロブスカイト構造のＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜をダイヤモンド単結晶上に直接成長させることが困難なため、従来技術では、酸化物薄膜（例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＳｒＴｉＯ_３連続膜）を緩衝層として用いていたが、強誘電特性は不十分であった。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。更に、ｐ型ダイヤモンド（１３）／フッ化物（１４）／ＰＺＴ（１５）／金属（１６）構造からなるキャパシタを提供する。 （もっと読む）

【課題】素子特性の劣化を可及的に防止することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板５１と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜５３と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１ゲート電極５４ａと、第１ゲート電極上に設けられ金属および酸素を含む電極間絶縁膜５５と、電極間絶縁膜上に設けられた第２ゲート電極５４ｂと、第１および第２ゲート電極の両側の半導体基板に設けられたソース／ドレイン領域５８ａ、５８ｂと、を備え、電極間絶縁膜５５は、リン、砒素、アンチモン、ビスマスのうちから選択された少なくとも１つの添加元素を含み、その含有量が０．１ａｔ％以上３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】オフ特性およびキャリア移動度に優れた、高品質の、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体からなる活性層とを備えてなる。そして、活性層とソース電極の間および活性層とドレイン電極の間には、炭素製のバッファ層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】より安価に化合物結晶を製造することができる化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶５の表面の少なくとも一部と塊状の固形物からなる固体原料３の表面の少なくとも一部とが間隔を空けて互いに向かい合うように種結晶５と固体原料３とを配置する工程と、固体原料３を加熱する工程と、固体原料３の加熱により固体原料３が昇華して発生した昇華ガスを、互いに向かい合っている種結晶５の表面と固体原料３の表面との間の領域から実質的に外部に漏洩させずに種結晶５の表面上に化合物結晶を成長させる工程と、を含む、化合物結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｇａ（ガリウム）及びＳｎ（錫）を含有し、Ｓｎ（錫）の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。
０．０１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．１０ （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微粒子による汚染を減少させることのできる基板ホルダを提供することである。
【解決手段】本発明は、基板支持体と、第１の位置においては支持体上に配置された基板と係合し、別の位置においては基板から離れて配置されるように構成された可動クリッピング手段と、クリッピング手段を第２の位置から第１の位置へ動かすための位置決め手段とを備えた基板ホルダに関する。基板が支持体上に配置されていないときにクリッピング手段と支持体との接触を防止するために、弾性停止要素が使用され、この弾性停止要素は、クリッピング手段の運動を制限する。さらに本発明は、これらの基板ホルダおよびクリッピング装置を使用したクリッピング装置およびイオン注入装置に関する。 （もっと読む）

【課題】真空容器のベーキング時間を短縮させたベーキング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空容器の排気を行う工程と、真空容器に不活性ガスを導入する工程と、を繰り返すサイクルを有する真空容器のベーキング方法であって、
前記真空容器の排気は、前記真空容器に設けた排気コンダクタンス可変のスロー排気バルブを介して行い、前記スロー排気バルブの排気コンダクタンスを、前記サイクルの直前のサイクルにおける排気コンダクタンスより大きく設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）