【課題】不純物が混入しない酸化物半導体膜を成膜する成膜装置を提供することを課題とする。不純物が混入しない酸化物半導体膜を含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成膜装置を含む環境から不純物を排除することにより、成膜装置の外部から成膜装置内へ不純物を含む気体が漏洩（リーク）する現象を防げばよい。また、当該装置を用いて成膜した、不純物が低減された酸化物半導体層を半導体装置に適用すればよい。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が大幅に改善した酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第１酸化物粉末がＦｅ₂Ｏ₃粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に複数の半導体素子を形成する工程の前に、半導体基板１の外周を減厚して外周端部３を形成し、外周端部３に、前記半導体基板より熱膨張係数が大きく、かつ、半導体素子１を形成する工程内の熱処理工程で印加されるもっとも高い温度より融点が高い金属４を、半導体基板１の半導体素子が形成される両主面より突出しない膜厚で被着する半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すれば良い。具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。ハロゲン元素としては、フッ素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。コリメーターの移動には試料搬送に用いる搬送機器を利用する。コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。またシャッター板の設置も可能である。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜（光半透過膜、遮光膜）の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化（線幅の太り）を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基体上に最適なバッファー層を形成することで、より結晶性に優れたアナターゼ相を含み、高い屈折率と低い比抵抗を有する、酸化チタンを主成分としてニオブなどの添加元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層を有する積層体を提供し、この積層体を具備した半導体発光素子、あるいは太陽電池などの機能素子を提供する。
【解決手段】 基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 （もっと読む）

【課題】所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る金属窒化膜は、ＴｉとＡｌとＮを含有し、該金属窒化膜のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５３以上であり、かつ、上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．３２以下であり、かつ上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】密着膜を備え、配向の揃った圧電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ｓｉ基板１１上方に、酸化シリコンの絶縁膜１２、Ｔｉ層１４、その上にＰｔ層１６を堆積し、（ｂ）Ｔｉ層１４、Ｐｔ層１６を堆積した基板１１をプラズマ気相堆積装置に搬入し、（ｃ）プラズマ気相堆積装置内において、基板１１を不活性ガス雰囲気中で、圧電体膜堆積温度まで加熱し、（ｄ）プラズマ気相堆積装置内において、加熱した基板１１上に、プラズマ気相堆積により、酸化物圧電体膜１８を堆積する。さらに圧電体膜１８上にＰｔ等の上部電極２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】容易にターゲット表面側の磁場形状や磁場強度を変更でき、装置の製造コストを低減できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３が取り付けられるカソードの裏面側に磁石ユニット１０を配置したマグネトロンスパッタリング装置であって、磁石ユニット１０は、内側磁石１１と、外側磁石１２と、それらを固定する非磁性体と、内側磁石と外側磁石の磁極を接続するヨーク１４とで形成され、さらに、そのヨークは、矩形状に配列した外側磁石の長辺方向と直交する面で複数個に分割可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法にて基板上にパターンを形成する際に、パターンボケが生じるのを抑制することができるマスク材、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】基板４０上にスパッタ法にてパターンを形成する際に用いるマスク材８０であって、該パターンに対応した開口８１を有するとともに、該開口が形成されていない部分の厚さが均一に形成されている。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）