【課題】新たな構造の半導体装置を提供し、書き込み後の当該半導体装置のメモリセルのしきい値電圧のばらつきを小さくし、動作電圧を低減する、または記憶容量を増大する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタと、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタとをそれぞれ有する複数のメモリセルと、複数のメモリセルを駆動する駆動回路と、駆動回路に供給する複数の電位を生成する電位生成回路と、複数のメモリセルへのデータの書き換えが終了したか否かを検知する書き込み終了検知回路と、を有し、駆動回路は、データバッファと、複数のメモリセルのそれぞれに複数の電位のうちいずれか一の電位をデータとして書き込む書き込み回路と、メモリセルに書き込まれたデータを読み出す読み出し回路と、読み出されたデータと、データバッファに保持されたデータとが一致するか否かをベリファイするベリファイ回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜不良を防止すること。
【解決手段】成膜対象に薄膜が成膜される雰囲気を生成するスパッタ処理室５と、その雰囲気に配置されている荷重測定対象１５と、荷重測定対象１５から支持部材１４に印加される荷重を測定するセンサ１６−１〜１６−３とを備えている。このような成膜装置１は、その荷重に基づいて、その雰囲気に配置される物体に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちたかどうかを検出することができ、その雰囲気の成膜処理に対する適否を判別することができる。このため、成膜装置１は、その雰囲気が不適切と判別されたときにその雰囲気で成膜処理を実行しないことにより、その雰囲気で成膜される成膜対象の成膜不良を防止することできる。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＴｉＣ膜を含む半導体構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】 高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ１０３ａは、基板２０を保持する一方面Ｓ１と、一方面Ｓ１と反対の他方面Ｓ２とを有する。またホルダ１０３ａには、平面視において基板２０の一部と重複する領域において開口部ＯＰが設けられている。蒸着源１２０はホルダ１０３ａの一方面Ｓ１に対向している。ヒータはホルダの他方面Ｓ２に対向している。固定具６０は、ホルダの一方面Ｓ１上に固定され、一方面Ｓ１との間で基板２０を挟むことによって基板２０を固定している。 （もっと読む）

【課題】電極と抵抗変化層の界面に小さな突起を形成することなく、低電圧での初期化が可能な不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０５と上部電極１０７との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１１６を備える。抵抗変化層１１６は、第１の抵抗変化層１１６１と第２の抵抗変化層１１６２との少なくとも２層から構成され、第１の抵抗変化層１１６１は第１の遷移金属酸化物１１６ｂから構成され、第２の抵抗変化層１１６２は、第２の遷移金属酸化物１１６ａと第３の遷移金属酸化物１１６ｃとから構成され、第２の遷移金属酸化物１１６ａの酸素不足度は第１の遷移金属酸化物１１６ｂの酸素不足度及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃの酸素不足度のいずれよりも高く、第２の遷移金属酸化物１１６ａ及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃは、第１の抵抗変化層１１６１と接している。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】単一金属酸化物半導体材料をチャネル層として使用時に極性をｐ型伝導又はｎ型伝導に変更できる同時両極性電界効果型トランジスタを実現し、さらに、該同時両極性ＴＦＴを用いたＣＭＯＳ構造のトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けたチャネル層と、前記チャネル層上又は下にゲート絶縁膜を介して設けられて前記チャネル層のキャリア濃度を制御するゲート電極を有する電界効果型トランジスタにおいて、前記チャネル層材料は、酸化第一スズ（ＳｎＯ）薄膜であり、前記チャネル層とゲート絶縁膜との界面の欠陥準位密度が５×１０^１４ｃｍ^−２ｅＶ^−１以下であり、前記チャネル層は、電子（ｎ型）及び正孔（ｐ型）伝導性の両方の動作が可能な同時両極性を有することを特徴とする同時両極性電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎを含み、焼結体密度が相対密度で９０％以上であり、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、バルク抵抗が３０ｍΩｃｍ以下であり、直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が、１．００ｍｍ^２あたり２．５個以下である複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体膜中にｐ型酸化物半導体材料を含ませることで酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。これは、ｎ型酸化物半導体膜中の意図せずに生じた電子が、ｐ型酸化物半導体材料中に生じたホールと再結合することにより、消滅するためである。従って、酸化物半導体膜中に意図せずに生じるキャリアを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器５０内に収められた基板２００の主面の第１の領域を蒸着源６０へ露出しかつ第２の領域を遮蔽するように第１のシャッター１０Ａを配置しながら、第１の成膜条件によって第１の領域の上に第１の薄膜が成膜される。次に、基板２００の主面の第２の領域の少なくとも一部を蒸着源６０へ露出しかつ第１の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第２のシャッター１０Ｂを配置しながら、第２の成膜条件によって第２の領域の上に第２の薄膜が成膜される。第１および第２の薄膜の特性が評価される。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎを含み、酸化物に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、および［Ｉｎ］としたとき、下記式（１）〜（３）を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧−０．５３×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＋０．３６ ・・・（１）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≧２．２８×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−２．０１ ・・・（２）
［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）≦１．１×［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）−０．３２ ・・・（３） （もっと読む）

【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、ＣＰＵ、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、ＣＰＵを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置６２において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面９０になされた原料保持体６４と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面９０に沿って流下させる原料液体貯留部６６と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段６８とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な目的は、相変化材料層を形成する方法を提供することにより、従来の技術でのウエハの表面の汚染、歩留まりの減少という問題を克服することができる。
【解決手段】ケイ素又は他の半導体、或いは、ケイ素系や他の半導体系の添加剤を有する相変化材料層が、ケイ素や他の半導体及び相変化材料を含む複合スパッタターゲットを使用することによって形成される。その複合スパッタターゲットのケイ素または他の半導体の濃度は、形成される前記層におけるケイ素または他の半導体の特定された濃度よりも５倍以上大きい。GST型の相変化材料のケイ素系添加剤に対し、スパッタターゲットは４０原子％以上のケイ素を含むことができる。ケイ素系又は他の半導体系の添加剤は、成膜時のスパッタチャンバー内に、酸素や窒素のような反応ガスの流れを伴なう複合スパッタターゲットを用いて形成され得る。 （もっと読む）