【課題】高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持部２０に、基板ホルダ２と基板１１とＯリング４によって囲まれる閉空間２１を形成し、その空間に流量及び圧力を制御した散乱用ガスを導入する。そのガスを基板１１の貫通穴３３を通じて真空チャンバー１内に流出させることにより、真空チャンバー全体のガス圧力を上昇させずに、貫通穴内部及びその近傍のみの圧力を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、持続的に真空アーク放電を保持することができる真空アーク放電発生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空中でアーク電源を介して接続される陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ、前記陰極と前記陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介して主閉回路を形成する真空アーク放電発生装置において、装置内に副陽極を配置し、少なくとも前記陰極と前記副陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介した副閉回路を形成し、前記副閉回路に副陽極を介してアーク放電の状態を計測するモニター装置を配設することを特徴とする真空アーク放電発生装置である。 （もっと読む）

【課題】温度測定装置において、熱の影響を受けることなく、真空環境下において複雑に移動する被測定物の温度を正確に測定できるようにする。
【解決手段】装置本体３１と、これを固定状態で収容する内装ケース３３と、内面寸法が内装ケース３３の外面寸法よりも大きく形成されて、内装ケース３３との間に隙間が形成されるように内装ケース３３を収容する外装ケース３５と、外装ケース３５の外側に配されると共に内装ケース３３及び外装ケース３５の挿通孔３３ｃ，３５ｃを介して装置本体３１に電気配線された温度計３７と、外装ケース３５内において内装ケース３３を非接触状態で浮遊させる浮遊手段４９とを備える温度測定装置５を提供する。 （もっと読む）

【課題】少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１のターゲット材料をスパッタリングして基板上に成膜する第１のスパッタ工程と、前記第１のターゲット材料とは異なる第２のターゲット材料をスパッタリングして前記基板上に成膜する第２のスパッタ工程と、前記第１のスパッタ工程と前記第２のスパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第１および第２のターゲット材料をそれぞれ成膜レートが変化するようにスパッタリングするプリスパッタ工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気にて、金属ターゲットを用いてスパッタを行う反応性スパッタ法によって金属酸化物よりなる導電性透明化合物薄膜を成膜する方法であって、スパッタ時における放電のインピーダンス又は発光強度をモニタリングし、前記モニタリングの結果に基づいて導入酸素流量を制御し、フィードバック制御によって遷移領域内で導電性透明化合物薄膜を成膜する方法において、基板を加熱する。 （もっと読む）

【課題】高精度で成膜速度及び形成される薄膜の成膜厚の再現性を向上することのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１を載置する材料設置部４と、基板１００をターゲット１０１に対向させる基板ホルダ３と、材料設置部４と基板ホルダ３との間に設けられたシャッタ５と、基板ホルダ３の近傍に配置され、基板１００に成膜される薄膜の成膜速度及び成膜厚を測定可能な第１センサ６Ａと、材料設置部４とシャッタ５との間に配置された第２センサ６Ｂとを含むセンサ部６と、薄膜の成膜速度及び成膜厚を制御する制御部７とを備え、制御部７は、シャッタ５を退避させた直後は第２センサ６Ｂに基づいて制御を行い、第１センサ６Ａが安定してから第１センサ６Ａに基づく制御を行う。 （もっと読む）

【課題】制御が複雑となる反復計算を用いることなく、また、真空蒸着にありがちな成膜速度変動等の影響を受けることなく、光学膜厚を制御しながら屈折率を高精度に制御し、厳しい仕様が求められる光学素子を安定して製造する。
【解決手段】まず、成膜しようとする薄膜の物理膜厚に対するモニタ光の目標光量変化を予め設定する（Ｓ１）。次に、薄膜の成膜を開始し（Ｓ２）、成膜途中で薄膜の物理膜厚を検知する（Ｓ３）。同時に、Ｓ３で検知した物理膜厚でのモニタ光の光量を検知する（Ｓ４）。そして、Ｓ３で検知した物理膜厚におけるＳ４でのモニタ光の検知光量と、Ｓ１で予め設定されたその物理膜厚における目標光量との差に基づき、その後の物理膜厚に対するモニタ光の光量変化が予め設定された目標光量変化に追従するように、成膜条件を変更しながら薄膜を成膜する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い有機ＥＬ装置の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、第１電極２３Ｒ等と、発光機能層と、第２電極とを基板２０上に備える有機ＥＬ装置１の蒸着装置５である。有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、基板２０を収容し、内部が真空状態であるチャンバ４０と、チャンバ４０内で発光機能層を基板２０上に成膜するために蒸着材料を加熱蒸発する蒸着源４２と、蒸着源４２より基板２０に近い位置における不活性ガスの濃度が、基板２０より蒸着源４２に近い位置における不活性ガスの濃度と比較して濃くなるようにチャンバ４０内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段４５とを備える。 （もっと読む）

第一のデバイスが提供される。そのデバイスはプリントヘッドを含む。更に、プリントヘッドは、第一のガス源に気密的に密閉された第一のノズルを含む。第一のノズルは、その第一のノズルの流れ方向に垂直な方向において０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有するアパーチャを有する。第一のノズルのアパーチャの最小寸法の５倍であるアパーチャから第一のノズル内への距離における流れ方向に垂直な最小寸法は、第一のノズルのアパーチャの最小寸法の少なくとも二倍である。
（もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】制御用膜厚センサーによる計測データを補正し、高精度な膜厚制御を行う。
【解決手段】基板３１に蒸着させる蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源１０と、蒸着材料の蒸気をモニターして蒸着源１０を温度制御するための、水晶振動子を用いた制御用膜厚センサー２０と、水晶振動子を用いた補正用膜厚センサー４０と、を設ける。不連続的に蒸着レートを計測する補正用膜厚センサー４０による補正値に基づいて、制御用膜厚センサー２０の計測データを補正することで、膜厚制御の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】磁界によって感度が変化する真空計の測定子を、磁界中の最適位置に配するように構成された真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、真空ポンプ３６により内部が減圧された真空処理室３０と、真空処理室３０内に磁界を形成する一対の磁界形成手段３２、３３と、真空処理室３０内の圧力を測定できる真空計５０と、を備え、真空計５０の測定子は、磁界形成手段の対３２、３３の一方による磁界の強度が、磁界形成手段の対３２、３３の他方による磁界の強度によって相殺される取り付け空間に配されている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と蒸着マスクとの重ね合わせ構造を改良して、蒸着マスクの軽量化や成膜精度の向上を図ることのできるマスク蒸着装置、蒸着マスク、およびマスク蒸着法を提供すること。
【解決手段】マスク蒸着装置においては、被処理基板２００の被成膜面２００ａとは反対側の面２００ｂが重ねて配置される基板支持面５５、および磁石５２を備えた磁石ユニット５０を用いる。磁石ユニット５０の基板支持面５５に対して被処理基板２００の被成膜面２００ａとは反対側の面２００ｂを重ねて配置した後、被処理基板２００の被成膜面２００ａに金属製の蒸着マスク４０を重ねて配置すると、磁石ユニット５０に設けた磁石５２による磁気吸引力によって、蒸着マスク４０と基板支持面５５との間に被処理基板２００を挟持するように蒸着マスク４０が磁石ユニット５０に吸着される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。
【解決手段】上記スパッタリング装置には、成膜されるＳｉＣｙＯｘ膜の目標透過率に対応した酸素ガス流量のＰＩＤ制御を行う調節計14と、成膜直後におけるＳｉＣｙＯｘ膜の透過光量を測定してＳｉＣｙＯｘ膜の透過率を算出する透過率モニター手段100が設けられ、透過率モニター手段で測定された透過率のデータを調節計に入力して、連続して成膜されるＳｉＣｙＯｘ膜の透過率が目標透過率と等しくなるように酸素ガス流量のＰＩＤ制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特別な光源を必要としない安価なモニタリングが可能なリチウムイオン電池用集電体の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 集電体基材２の表面に、表面皮膜３を成膜するリチウムイオン電池用集電体１の表面処理方法において、成膜をするときに発生する放電光１７を光源として使うこと、放電光１７が照射された成膜状態を状態モニタ１５で撮像し、撮像された成膜状態に基づいて、成膜異常、ターゲット不良、集電体基材２のしわ、集電体基材２の搬送蛇行の異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】高真空装備内で大面積基板のチャッキング及びデチャッキングを安定的に制御できる静電チャックを提供する。
【解決手段】本発明の静電チャックは、中心部を貫通する少なくとも１つの開口部を備える絶縁プレートと、前記絶縁プレートに実装される一対の電極と、前記一対の電極に電圧を印加する第１コントローラと、前記絶縁プレートに隣接するように配置され、前記絶縁プレートの一面上に位置する帯電物体の静電荷が除去されるように前記少なくとも１つの開口部にイオンを放出する除電部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光学損失の少ない多層膜を製造する方法と装置を生産すること。
【解決手段】被覆装置又は反応装置に対して相対的に移動可能な少なくとも１つの基板上で、第一の層の上に、反応性成分を有する第二の層の堆積を行い、かつ少なくとも１つの層の構造および／または化学量論比の変更を反応装置によって行う多層膜を製造する方法において、所定の値以下に多層膜の光学損失を低下させるために、第一の層に隣り合う第二の層の領域内に、厚さｄ₁を有し、かつ反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁値よりも小さい値を有する境界面の構成を行い、第二の層の瞬間の厚さｄ（ｔ）の値を、有利には第二の層の堆積の間に算出し、かつｄ（ｔ）がｄ₁よりも大きくなり次第、反応性成分の不足ＤＥＦがＤＥＦ₁よりも大きい値を有する第二の層の堆積を行うことを特徴とする、多層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバーを大気開放することなく、膜厚センサーの振動子を繰り返し再生して使用することを可能にする。
【解決手段】複数の振動子５を振動子ホルダー６上に設置し、検知部３に位置する振動子５の表面にある程度の膜厚の蒸着膜が堆積したら、振動子ホルダー６を回転させ、誘導電極９を有する再生部８に移動させる。誘導加熱によって振動子５の表面の蒸着膜を再蒸発させて再生する間、検知部３に位置する振動子５を測定に使用する。この工程を繰り返すことで、真空チャンバーを大気開放せずに膜厚センサーを再使用して蒸着を続けることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】材料容器から放出口まで連なる輸送管温度の影響が、輻射あるいは伝導により材料容器に及ぶことにより、材料容器への材料補充や交換のための装置停止期間が長時間に及び、装置の稼動効率が低下するのを防ぐ。
【解決手段】材料容器１０において気化した成膜材料を放出口２０へ輸送するための輸送管１４と材料容器１０の間は、材料容器１０を輸送管１４から取り外し交換可能とする連結部１３によって接続されている。輸送管１４を加熱する加熱手段を複数に分割し、連結部１３の近傍の輸送管１４の温度を残りの部位から独立して制御するための連結部加熱手段１６を設ける。材料容器交換等のために成膜を停止するときは、材料容器加熱手段１１及び連結部加熱手段１６を輸送管加熱手段１５より先に停止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンゲージの破損を抑制し、安定して放電を開始することができるスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置は、チャンバー２と、チャンバーを真空排気する配管７と、ガスを導入するガスライン１３と、ターゲット５と、ウェハ４を保持するステージ台３と、ターゲットに電力を印加する電源と、ターゲットとステージ台との間で流れる電流を測定する電流測定器９と、チャンバーに設けられた開口部と、開口部に連結したイオンゲージ１２ａと、開口部を遮蔽可能に設けられたシャッター１１ｂと、シャッターにスイッチ８を介して電気的に接続されたアースと、シャッター、イオンゲージ及び電流測定器に電気的に接続された制御機構１０と、を具備し、制御機構は、スイッチのオンとオフを制御するとともに、シャッターの開閉動作を制御することを特徴とする。 （もっと読む）