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Fターム[4K029DA03]の内容

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Fターム[4K029DA03]に分類される特許

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【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記成膜源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子と、前記測定用水晶振動子を校正するための前記校正用水晶振動子と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子は、前記移動手段内に設けられ、前記校正用水晶振動子は、前記移動手段が前記成膜待機位置にあるときの前記移動手段の上方に設けられることを特徴とする成膜装置、及びこの成膜装置を用いた成膜方法。 (もっと読む)


【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー50と、基板保持機構と、蒸着源30と、モニタ用膜厚センサー20と、制御系60と、校正用膜厚センサー10と、を有し、モニタ用膜厚センサー20と校正用膜厚センサー10のうち計測精度を高める方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離が、他方の膜厚センサーから前記蒸着源の開口部の中心までの距離よりも短いことを特徴とする、真空蒸着装置1。 (もっと読む)


【課題】基板に入射する電子を効果的に減らす。
【解決手段】蒸着装置1Aは、基板Pの表面に成膜材料を蒸着させる蒸着装置である。成膜材料50を蒸着可能な範囲として予め設定された所定の範囲A1に、基板Pの蒸着面Paを下方に向けて基板Pを配置可能な基板配置部3と、基板配置部3の下方に配置され、所定の範囲A1に放射される成膜材料50を収容する収容部4と、収容部4に電子ビームEBを照射する照射部5と、収容部4の側方に配置され、電子を吸着する吸着部6と、収容部4から所定の範囲A1に向う成膜材料50の放射範囲A2の外側における少なくとも吸着部6の上方に配置され、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界M3を発生させる磁界発生部7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】精度よく、成膜対象物に均一な膜を成膜することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出させるための成膜源21と、前記成膜源を、所定の成膜待機位置と成膜位置との間で成膜対象物に対して相対的に移動させる移動手段と、前記蒸着源から放出される前記成膜材料の放出量を測定するための測定用水晶振動子22と、前記測定用水晶振動子を校正するための校正用水晶振動子23と、を備える成膜装置であって、前記測定用水晶振動子及び前記校正用水晶振動子が、前記成膜源の所定の成膜待機位置の上方に固定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】生産性を低下させることなく、成膜対象物上に形成される薄膜の膜厚管理を正確な精度で行うことができる成膜装置及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を加熱し、前記成膜材料の蒸気を放出するための成膜源21と、成膜源21を所定の成膜待機位置と成膜位置との間で移動させるための移動手段(成膜源ユニット20)と、成膜源21から放出される前記成膜材料の蒸気の量をモニタするための測定用水晶振動子22と、測定用水晶振動子22に付着した前記成膜材料の膜から測定値を校正するための校正用水晶振動子23と、を有し、成膜対象物に前記成膜材料からなる膜を形成する成膜装置1であって、前記移動手段が、測定用水晶振動子22及び校正用水晶振動子23を保持することを特徴とする、成膜装置1、及び成膜装置1を利用して行う成膜方法。 (もっと読む)


【課題】蒸着レートを正確に計測し、より高精度の膜厚制御を行うことを可能にする真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー50と、基板保持機構と、蒸着源30と、モニタ用膜厚センサー20と、校正用膜厚センサー10と、制御系60と、を有し、蒸着源30の開口部32の中心から校正用膜厚センサー10までの距離L1と、蒸着源30の開口部32の中心からモニタ用膜厚センサー20までの距離L2との間にL1≦L2の関係が成り立ち、かつ、蒸着源30の開口部32の中心から基板40の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源30の開口部32の中心と校正用膜厚センサー10とを結ぶ直線とでなす角度θ1と、蒸着源30の開口部32の中心から基板40の成膜面に下ろした垂線と、蒸着源30の開口部32の中心とモニタ用膜厚センサー20とを結ぶ直線とでなす角度θ2との間にθ1≦θ2の関係が成り立つ。 (もっと読む)


【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽2内で被処理体3上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる2種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体6を、独立に出力調整可能な複数の電源10a、10b、10c、10dの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート7上に設置し、2種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源10a、10b、10c、10dの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源10a、10b、10c、10dの各出力電力をそれぞれ0%〜100%の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】蒸発材料を劣化させずに長時間放出を継続できる技術を提供する。
【解決手段】
真空槽11内に加熱側筒体23と冷却側筒体24とを、加熱側筒体23が上になるように配置して、それらの内部に蒸発材料15が配置された蒸発材料容器26を挿入し、蒸発材料15の上部の所定量が、加熱側筒体23の内側に配置されて、加熱側筒体23から加熱されて蒸気が放出されるようにする。このとき、蒸発材料15の下部は、冷却側筒体24によって冷却され、不必要に加熱されず、劣化しないようになる。 (もっと読む)


【課題】HIPIMSのスパッタ源のプラズマに含まれるイオンの生成分布を安定して検出する。
【解決手段】HIPIMSのスパッタ源で発生したプラズマに含まれるイオンをTOF質量分析にかけて、イオンの生成分布を検出する。その際、プラズマからの光を検出し、TOF分析装置におけるイオンの飛行時間の開始時刻をプラズマからの光に基づき定める。HIPIMSのスパッタ源に対向するTOF質量分析装置の開口部はスパッタ源のターゲットより低い電位とする。 (もっと読む)


【課題】マスクと基板との隙間を介して侵入する蒸着物質によって生じる輪郭ボケや回り込み等のない、高品位な薄膜パターンを得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板20の裏面の、マスクフレームの内側であって、マスクの開口領域10の外側の領域を、基板の対向する2辺に沿った線状に、押圧体30によって押圧することにより、マスク開口部の変形を招くことなく、基板とマスクとを略水平状態にして密着させることができる。 (もっと読む)


【課題】アライメント動作回数を少なくすることによって、基板とマスクへのダメージを低減し、且つ、マスク蒸着の生産性を向上したアライメント方法、及びアライメント装置を提供する。
【解決手段】搬入直後の基板3の重力方向の振動をレーザー振動計2で計測し、得られた振動データに基づいて、振動制御部4が逆位相の振動波を発生し、該振動波を基板3に付与して基板3の振動を低減した後、基板3とマスク4とのアライメントを行う。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の回収手段を備えた蒸着装置において、蒸着材料の回収効率を向上し、生産性の改善を図る。
【解決手段】材料容器9から噴出部5までの第1流路11と、材料容器9から材料回収容器10までの第2流路12に、検出口6,7を設け、該検出口6,7から噴出する蒸着材料の噴出状態を検知する検出器3,4を配置し、材料容器9から検出口6までのコンダクタンスと、材料容器9から検出口7までのコンダクタンスを等しく構成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜材料の使用効率が高く、大型基板に所定の形状の薄膜を形成できる技術を提供する。
【解決手段】
材料ガス放出装置30は、内部に材料ガスが配置される中空の蒸気タンク32h、32dと、載置面13と対面する位置に配置され、蒸気タンク32h、32dにそれぞれ接続された複数の放出装置本体311、312、313と、各放出装置本体311、312、313を、載置面13に平行で薄膜形成方向5と直角な成分を有する方向にそれぞれ個別に移動する位置調整装置とを有している。材料ガス放出装置30と処理台12を一の薄膜形成方向5に沿って相対移動させながら、各放出装置本体311、312、313から材料ガスを真空槽11内に放出させて載置面13上の成膜対象物20に到達させ、直線状の薄膜を複数本同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】長時間に亘る蒸着でもコンタミネーションの発生を抑制可能な蒸発装置及び該蒸発装置を有した蒸着装置を提供することである。
【解決手段】薄膜材料40を保持する材料保持部21を複数有し、さらに1又は2以上の材料保持部21内の薄膜材料40を加熱する加熱手段22と、材料保持部21に薄膜材料40を供給する材料供給手段24と、材料保持部21を移動させる保持部移動手段23を有し、1又は2以上の材料保持部21を使用し、材料保持部21に対して材料供給手段24によって連続的に又は間欠的に薄膜材料40を供給すると共に、材料保持部21に供給された薄膜材料40を加熱手段22によって加熱して蒸発させ、一定要件を満足することを条件の一つとして保持部移動手段23によって材料保持部21aを移動し、新たな材料保持部21bに交換する。 (もっと読む)


【課題】 テスト成膜による成膜の無駄を省き、成膜効率を向上させることが可能な薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 ターゲット(29a,29b)をスパッタして回転ドラム(13)に保持され回転する基板(S)及びモニタ基板(S0)に、第1薄膜であるA膜を目標膜厚T1で形成した後、A膜の形成に使用したターゲット(29a,29b)をさらにスパッタし、A膜と同一組成の別薄膜である第2薄膜であるC膜を目標膜厚T3で形成するための方法であって、膜厚監視工程S4,S5と、停止工程S7と、実時間取得工程S8と、実速度算出工程S9と、必要時間算出工程S24とを有する。 (もっと読む)


【課題】真空内を機構が簡単で基板の蒸着面を上面にして搬送ができ、前記上面搬送においても高精彩に蒸着可能な有機ELデバイス製造装または同製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】
真空内を基板の蒸着面を上面にして搬送し、少なくとも前記基板が移動する場合には前記基板の搬送面が摺動しないように保持し、前記真空チャンバ内で前記基板を受渡し、その後前記基板を垂直または略垂直にたてて蒸着する。
また、上面搬送されてきた複数の基板を一つの真空蒸着チャンバ内で同一の蒸着源で交互に蒸着する。 (もっと読む)


【課題】成膜した基板の膜厚寸法のばらつきを防止することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板14を成膜するための成膜源と、基板14の中心を中心軸として回転させる基板回転手段20と、基板14の回転座標を検出する回転座標検出手段22と、基板14の成膜領域から外側にある位置を回転軸として回転することにより、成膜源と基板14との間を開放又は遮断するシャッタ30と、シャッタ30を回転軸の軸回りに回転させるシャッタ駆動手段28と、シャッタ30が成膜源と基板との間を開放開始するときの基板14の回転座標を記憶する記憶手段38Aと、記憶手段38Aに記憶された基板14の回転座標と同じ回転座標のときにシャッタ30が成膜源と基板14との間を遮断開始するようにシャッタ駆動手段28を制御する制御手段38と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板をy方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、y方向と直交するx方向の蒸着フラックスを測定する。
【解決手段】測定光をy方向と直交するx方向に通過させ、かつ、測定光の光路より蒸発源側に配置される蒸着フラックスを遮蔽する遮蔽板を用い、測定光の光路と遮蔽板とを相対的に移動することにより、遮蔽板によって遮蔽されない蒸着フラックスに対する、測定光のx方向の通過位置を変更することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板をy方向に搬送しつつ蒸着によって成膜を行う際に、光源や受光器を成膜材料で汚染することなく、原子吸光法によって、y方向と直交するx方向の蒸着フラックスを測定する。
【解決手段】x方向に延在し、y方向に離間して配置される、x方向に延在する測定光透過領域を有し、前記蒸着による成膜空間と気密に分離される第1および第2の筒状部と、第1の筒状部において、光源をx方向に移動する光源移動手段、および、第2の筒状部において、光源の移動に同期して受光器をx方向に移動する受光器移動手段とを有することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板に薄膜を成膜させるのと同時に、膜厚の制御を行うことが可能な蒸着処理装置を提供する。
【解決手段】蒸着によって基板に薄膜を成膜させる蒸着処理装置であって、材料ガスを供給する減圧自在な材料供給部と、前記基板に薄膜を成膜する成膜部を備え、前記成膜部は前記基板に噴射される材料ガスの蒸気濃度を測定する検知手段を有し、前記検知手段における測定結果に基づいて成膜条件を制御する制御部を設けた、蒸着処理装置が提供される。 (もっと読む)


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